「polycide」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

Then, P-type impurity of a third dosage larger than the first dosage is introduced only on the second area of the silicon film, high melting point metal film is deposited on the silicon film to form a silicide film, and thus the polycide wiring is formed.例文帳に追加

その後、シリコン膜の第２の部分のみに、第１のドーズ量よりも大きな第３のドーズ量のＰ型不純物を導入し、シリコン膜上に高融点金属膜を堆積してシリサイド膜を形成し、本発明のポリサイド配線を形成する。 - 特許庁

The lateral MOS transistor includes a substrate 100, an active layer 101, the Locos oxide film 102, diffusion layers 103, 104 and 105, a gate oxide layer 106, a drain region 107, a source region 108, a body diffusion layer 109, and a gate polycide electrode 110.例文帳に追加

横型ＭＯＳトランジスタは、基板１００、活性層１０１、Ｌｏｃｏｓ酸化膜１０２、拡散層１０３、１０４、１０５、ゲート酸化層１０６、ドレイン領域１０７、ソース領域１０８、ボディ拡散層１０９、ゲートポリサイド電極１１０を備える。 - 特許庁

Thus when an upper part wiring and source/drain regions 18 and 20 are connected via a contact hole, even if a formation position of the contact hole deviates, it is prevented that polycide gates 8b and 8c engage with the contact holes directly.例文帳に追加

従って、ることになり、上部配線とソース・ドレイン領域１８および２０とをコンタクトホールを介して接続する際に、コンタクトホールの形成位置がずれても、ポリサイドゲート８ｂおよび８ｃが直接にコンタクトホールに係合することが防止される。 - 特許庁

The W polycide wiring 11 is constituted of an n-type doped silicon film 14 and a W silicide film 13 doped with an impurity that is of the same kind and moreover larger in quantity than that of the W silicide film 13.例文帳に追加

Ｐウェル領域３上に配置されたＷポリサイド配線１１は、Ｎ型のドープドポリシコン膜１４とこの膜１４に含まれる不純物と同種で且つそれよりも多い量の不純物が導入されたＷシリサイド膜１３とから構成されている。 - 特許庁

The W polysilicon polycide 11 located on an n-well region 2 is constituted of a p-type doped polysilicon film 12 and a W silicide film 13 doped with an impurity, that is of the same kind and moreover an quantity larger than that of the p-type doped silicon film 12.例文帳に追加

Ｎウェル領域２上に配置されたＷポリサイド配線１１は、Ｐ型のドープドポリシコン膜１２と、この膜１２に含まれる不純物と同種で且つそれよりも多い量の不純物が導入されたＷシリサイド膜１３とから構成されている。 - 特許庁