「protective insulating～」に関連した英語例文の一覧と使い方(18ページ目) - Weblio英語例文検索

The conductive film, the film having the n-type conductivity, and the oxide semiconductor film containing In, Ga and Zn are etched using the channel protective layer and gate insulating films as etching stoppers with the resist mask, so that source and drain electrode layers, a buffer layer, and a semiconductor layer are formed.例文帳に追加

このレジストマスクと共に、チャネル保護層及びゲート絶縁膜をエッチングストッパーとして利用して、導電膜と、ｎ型の導電型を有する膜と、Ｉｎ、Ｇａ、及びＺｎを含む酸化物半導体膜をエッチングして、ソース電極層及びドレイン電極層と、バッファ層と、半導体層を形成する。 - 特許庁

The system is provided with a substrate 110, a gate line provided with a gate electrode 124 formed on the substrate, a gate insulating film 140 formed on the gate line, a drain electrode 175 opposed to a data line and a source electrode provided with source electrodes 173 formed on the gate insulating film, a protective film 180 formed on the data line and drain electrode, and a pixel electrode 190 connected to the drain electrode.例文帳に追加

基板１１０、該基板上に形成されゲート電極１２４を備えるゲート線、ゲート線上に形成されているゲート絶縁膜１４０、ゲート絶縁膜上に形成されているソース電極１７３を備えるデータ線及びソース電極と対向しているドレイン電極１７５、データ線及びドレイン電極上に形成されている保護膜１８０、及びドレイン電極と接続されている画素電極１９０を備える。 - 特許庁

A gate electrode 12 is disposed on an insulating substrate 11, on which a gate insulating layer 13 is disposed, and further, a source electrode 15 and a drain electrode 14 are disposed on it, on which an organic semiconductor layer 16 and a protective film 17 are arranged.例文帳に追加

絶縁性基板１１上にゲート電極１２を配置し、その上にゲート絶縁層１３を配置し、更にその上にソース電極１５およびドレイン電極１４を配置し、その上に有機半導体層１６および保護膜１７を配置してなる電界効果型有機トランジスタであって、該ゲート絶縁層１６が光異方性材料を含有し、その光異方性材料により該有機半導体層が配向している電界効果型有機トランジスタである。 - 特許庁

The thin film transistor includes a channel layer formed of oxide semiconductor material, a source electrode and drain electrode facing each other on the channel layer, a protective layer formed to cover the channel layer under the source electrode and drain electrode, a gate electrode to apply an electric field on the channel layer, and a gate insulating layer interposed between the gate electrode and the channel layer.例文帳に追加

酸化物半導体物質から形成されたチャンネル層、チャンネル層上に互いに対向して位置するソース電極及びドレイン電極、ソース電極及びドレイン電極の下で、チャンネル層をカバーするように形成された保護層、チャンネル層に電界を印加するためのゲート電極、及びゲート電極とチャンネル層との間に介在されたゲート絶縁層を備えることを特徴とする薄膜トランジスタである。 - 特許庁