「protective insulating～」に関連した英語例文の一覧と使い方(9ページ目) - Weblio英語例文検索

In a prefabricated joint using the epoxy insulating unit 6 of CV cables 1 and 1, moistureproof compound at least 0.2 w/m.K or higher in thermal conductivity at 0-150°C is filled in the space between the epoxy insulating unit 6 and the protective conduit 7 positioned around that unit 6.例文帳に追加

ＣＶケーブル１，１のエポキシ絶縁ユニット６を用いてなるプレハブ式接続部において、エポキシ絶縁ユニット６と該ユニット６の外周に位置する保護導管７との隙間に、０〜１５０℃の熱伝導率が少なくとも０．２ｗ／ｍ・Ｋ以上である防湿コンパウンドを充填してなる。 - 特許庁

To automatically apply insulating paste using an application device, which is achieved only by hand in the past, in a manufacturing method of a gas sensor for forming a protective film made of the insulating paste so as to prevent contact with a filling layer containing glass components on the rear end face of a sensor element.例文帳に追加

センサ素子の後端面にガラス成分を含む充填層との接触を防止するために絶縁性ペーストからなる保護膜を形成するガスセンサの製造方法において、従来は手塗りでしか行うことができなかった絶縁性ペーストの塗布を塗布装置を用いて自動で塗布できるようにすること。 - 特許庁

Furthermore, an interlayer insulating film 8 composed of BPSG and an electrode pad 9 composed of aluminum are formed on the stress mitigating member 7 and the ground insulating film 3, while a PSG film 10 and a protective film 12 composed of a polyimide film 11 are laminated and formed thereon.例文帳に追加

さらに、応力緩和部材７と下地絶縁膜３の上には、ＢＰＳＧからなる層間絶縁膜８とアルミニウムからなる電極パッド９が形成され、その上にはＰＳＧ膜１０及びポリイミド膜１１からなる保護膜１２が積層形成されている。 - 特許庁

Two or more pairs of electrodes 4 and 5 are formed on a sheet-like insulating substrate 1, a plurality of resistors 6 connected to the two or more pairs of electrodes 4 and 5 are formed on the insulating substrate 1, and a protective film 7 for covering the resistors 6 is formed thereon.例文帳に追加

シート状の絶縁性基板１上に複数対の電極４、５を形成し、複数対の電極４、５に接続される複数の抵抗体６を絶縁性基板１上に形成し、抵抗体６を被覆する保護膜７を形成する。 - 特許庁

In the ceramic fiber blocks 10 arranged inside a furnace shell 11 of a heat treatment furnace so as to be aligned to form the heat insulating wall 12 of the heat treatment furnace, inner wall faces 13 forming the furnace inner surface of the heat insulating wall 12 are coated with stainless protective plates 14.例文帳に追加

熱処理炉の炉殻１１内側に並べて配置され熱処理炉の断熱壁１２を形成するセラミックファイバーブロック１０であって、断熱壁１２の炉内側表面を形成する内壁面１３がステンレス製保護板１４でそれぞれ被覆されている。 - 特許庁

In the simulation, at first a part of the insulating film is etched by employing the conversion mask of a mask for forming an activating region or a pseudo mask formed, based on the inverse mask, and then the insulating film is ground so as to expose the protective film.例文帳に追加

シミュレーションでは、まず、活性化領域形成用マスクの反転マスクまたはその反転マスクを基に形成された擬似マスクを用いて絶縁膜の一部がエッチングされ、さらに保護膜を露出するように絶縁膜が研磨される。 - 特許庁

Then, the anisotropic conductive sealant 13 having the double frame structure is disposed so as to make the inner frame Si of the insulating layer located on a region Dl inside a difference in level G formed on an end face of an insulating protective film 11 where scanning electrodes 3 and scanning wiring lines 7 are placed opposite to each other.例文帳に追加

そして、この２重枠構造の異方性導電シール材１３を、絶縁保護膜１１の端面で形成される段差Ｇより内側の走査電極３とその走査配線７が対向する領域Ｄlに絶縁層の内枠Ｓｉが位置するように、配置する。 - 特許庁

The method for manufacturing the semiconductor element includes steps of forming a substrate protective film 212 on a quartz substrate 211, forming the semiconductor film 213, forming a first insulating film 214 by thermally oxidizing the semiconductor film 213, melting for crystallizing the semiconductor film 213 by irradiating with light 215, and thereafter depositing a second insulating film by a CVD method.例文帳に追加

石英基板２１１上に下地保護膜２１２を形成し、半導体膜２１３を形成し、半導体膜２１３を熱酸化して第１絶縁膜２１４を形成し、光２１５を照射して半導体膜２１３を溶融結晶化し、その後ＣＶＤ法によって第２絶縁膜を堆積する。 - 特許庁

(2) A worker shall, in the work set forth in the preceding paragraph, when having been instructed to wear personal insulating protective equipment or use live line work instruments by the employer, wear, or use them respectively. 例文帳に追加

２　労働者は、前項の作業において、絶縁用保護具の着用又は活線作業用器具の使用を事業者から命じられたときは、これを着用し、又は使用しなければならない。 - 日本法令外国語訳データベースシステム

Article 348 (1) The employer shall, as regards personal insulating protective equipment, etc., listed in following each item, use those of the type, materials and size suitable for the purpose of use respectively: 例文帳に追加

第三百四十八条　事業者は、次の各号に掲げる絶縁用保護具等については、それぞれの使用の目的に適応する種別、材質及び寸法のものを使用しなければならない。 - 日本法令外国語訳データベースシステム

(3) The employer shall, when having found any abnormality in the said personal insulating protective equipment, etc., as a result of the self-inspection set forth in paragraph (1) or (2), not use them unless otherwise having repaired or taken other necessary measures. 例文帳に追加

３　事業者は、第一項又は第二項の自主検査の結果、当該絶縁用保護具等に異常を認めたときは、補修その他必要な措置を講じた後でなければ、これらを使用してはならない。 - 日本法令外国語訳データベースシステム

To provide an organic siloxane insulating film of low permittivity and high etching selective ratio against resist where no peeling problem occurs even with no silicon oxide protective film.例文帳に追加

低誘電率で、対レジストエッチング選択比が高く、かつ酸化珪素保護膜なしでも剥離の問題を生じないような有機シロキサン系絶縁膜を提供する。 - 特許庁

A lower part protective insulating film 14a for covering the lower part of the metal wiring 13 is then formed on the semiconductor substrate 11 by a plasma CVD method not containing a plasma of nitrogen and ammonia.例文帳に追加

次に、窒素及びアンモニアのプラズマを含まないプラズマＣＶＤ法により、半導体基板１１の上に金属配線１３を覆う下部保護絶縁膜１４ａを成膜する。 - 特許庁

The protective tape 10 is an insulating sheet which protects wire W by receiving external force acting on a wire harness WH between itself and the housing 3.例文帳に追加

保護テープ１０は、ワイヤーハーネスＷＨに作用する外力をハウジング３との間で受けることにより電線Ｗを保護する絶縁性のシートである。 - 特許庁

A thin film transistor includes a gate electrode, a gate insulating layer, a semiconductor layer made from amorphous oxide and the like, a source electrode, a drain electrode, and a protective layer.例文帳に追加

薄膜トランジスタは、ゲート電極と、ゲート絶縁層と、アモルファス酸化物からなる半導体層と、ソース電極と、ドレイン電極と、保護層とを含む。 - 特許庁

Thereafter, with the first resist pattern 51 as a mask, by implanting boron ions through the protective insulating film 13 to the semiconductor substrate 11, a first P well 14 is formed.例文帳に追加

その後、第１のレジストパターン５１をマスクとして、半導体基板１１に、保護絶縁膜１３を介してホウ素イオンを注入することにより第１のＰウエル１４を形成する。 - 特許庁

To prevent a leak current which flows between the upper and lower part electrodes of a capacitor through an insulating protective film, related to a compound semiconductor device comprising a capacitor.例文帳に追加

キャパシタを備えた化合物半導体装置に関し、絶縁性保護膜を介してキャパシタの上部及び下部電極の間に流れるリーク電流を阻止すること。 - 特許庁

A material of the protective film 11 may be a mixture of the metal-doped fullerene and an insulating material, or a mixture of the metal-doped fullerene and non-metal doped fullerene.例文帳に追加

保護膜１１の材料は、金属を内包したフラーレンと絶縁材料とが混合した材料でもよく、また、金属を内包したフラーレンと金属を内包しないフラーレンとが混合した材料でもよい。 - 特許庁

The protective resistor includes a surge limiter 36 provided with an insulation substrate 31 mounted on the first lead frame 22 and a resistor 35 mounted on the insulating substrate.例文帳に追加

保護抵抗は、第１リードフレーム２２に載置された絶縁性基板３１と、絶縁性基板上に実装された抵抗体３５とを有するサージ制限部３６を含む。 - 特許庁

The semiconductor device includes the semiconductor substrate 10, the first high potential electrode 25 and the second low potential electrode 15 that are arranged on the one side of the substrate, and the insulating protective film 35 covering the first electrode 15 and the second electrode 25.例文帳に追加

半導体装置は、半導体基板１０と、その一面側に配置された高電位の第１電極２５及び低電位の第２電極１５と、該第１電極１５及び第２電極２５を覆う電気絶縁性の保護膜３５とを含む。 - 特許庁

(c) After etching the reflection metal film 11, the photoresist 20 is stripped off with an amine type removing liquid while the organic insulating film 9 is covered with the protective metal film 10.例文帳に追加

（ｃ）反射金属膜１１のエッチング後、有機絶縁膜９上に保護金属膜１０が覆われた状態で、アミン系剥離液によってフォトレジスト２０の剥離を行う。 - 特許庁

An organic silicon material gas and a gas containing activated oxygen such as ozone are supplied from a surface of the adsorption film 12 or Si-rich SiN-based protective film to form an insulating film 13 of silicon oxide on the Si substrate 1.例文帳に追加

吸着層１２またはＳｉリッチなＳｉＮ系保護膜上から有機シリコン材料ガスとオゾン等の活性化された酸素を含むガスとを供給し、Ｓｉ基板１上にシリコン酸化物からなる絶縁膜１３を形成する。 - 特許庁

Through reaction of oxygen and silica in the oxidation treatment (sacrifice oxidation) after heating treatment under the nitrogen atmosphere, contaminants comes into a condition where it is held in the protective insulating film 5, so that contamination from the ion implanting part is restrained.例文帳に追加

汚染物質は窒素雰囲気下での加熱処理とその後の酸化処理（犠牲酸化）による酸素および珪素との反応を経て、保護絶縁膜５中に保持された状態となり、イオン注入部分からの汚染を抑えることができる。 - 特許庁

Materials having high thermal diffusivity such as hydrogen containing amorphous carbon, gas phase synthetic diamond, silicon containing amorphous carbon, amorphous AlN and amorphous BeO are applied to each non-magnetic insulating film of a head element and a disk protective film.例文帳に追加

含水素非晶質炭素、気相合成ダイヤモンド、含珪素非晶質炭素、非晶質ＡｌＮ、非晶質ＢｅＯ等の熱拡散率の高い材料を、ヘッド素子の各非磁性絶縁膜やディスク保護膜に適用する。 - 特許庁

Metal electrodes 109a-109c are buried in the contact holes, and final protective films 110 are formed on the interlayer insulating film 106 and metal electrodes 109a-109c.例文帳に追加

金属電極１０９ａ〜１０９ｃは各コンタクトホールに埋設され、層間絶縁膜１０６および金属電極１０９ａ〜１０９ｃの上から最終保護膜１１０が形成される。 - 特許庁

A channel protective film is selectively formed in a region corresponding a channel region on the crystalline silicon film 13P by the patterning of the buffer layer 14 and an insulating film 16.例文帳に追加

バッファ層１４および絶縁膜１６のパターニングによって、結晶質シリコン膜１３Ｐ上のチャネル領域に対応する領域にチャネル保護膜を選択的に形成する。 - 特許庁

On the semiconductor chip 101, a protective film 105 and an insulating film 107 having openings through which the electrode pad 103 is exposed are sequentially formed.例文帳に追加

半導体チップ１０１の上には、電極パッド１０３を露出する開口部を有する保護膜１０５及び絶縁膜１０７が順次形成されている。 - 特許庁

A W plug 22 is formed in a contact hole penetrating an etching protective film 11 and the first interlayer insulating film 12 on a cobalt silicide film 10 on the source/drain region 6 of the transistor for logic.例文帳に追加

ロジック用トランジスタのソース・ドレイン領域６上のコバルトシリサイド膜１０上には、エッチング保護膜１１及び第１の層間絶縁膜１２を貫通するコンタクトホール内にＷプラグ２２が形成されている。 - 特許庁

On a gate insulating film 6 under a grain line 13, a semiconductor thin film forming layer 7a and a channel protective film 8a for faulty drying prevention are provided.例文帳に追加

ドレイン線１３下のゲート絶縁膜６上には半導体薄膜形成用層７ａ及び乾燥不良防止用チャネル保護膜８ａが設けられている。 - 特許庁

The semiconductor device according to the present embodiment includes an electrode (an electrode pad 7) and the insulating film (for example, a protective resin film 5) formed on the electrode and having an opening 5a for exposing the electrode.例文帳に追加

本実施形態に係る半導体装置は、電極（電極パッド７）と、電極上に形成され電極を露出させる開口５ａを有する絶縁膜（例えば、保護樹脂膜５）と、を有する。 - 特許庁

A first protective film pt1 is formed while covering a memory gate insulating film MI1 and a memory gate electrode MG1 formed in order on a principal surface s1 of a silicon substrate 1.例文帳に追加

シリコン基板１の主面ｓ１上に順に形成したメモリゲート絶縁膜ＭＩ１およびメモリゲート電極ＭＧ１を覆うようにして、第１保護膜ｐｔ１を形成する。 - 特許庁

A gate insulating film and a protective film are formed also on a gate line and a data line defining a pixel area, and act as outline projections of the pixel electrode.例文帳に追加

画素領域を定義するゲート線とデータ線の上部にもゲート絶縁膜と保護膜が形成されていて、画素電極の外郭突起として作用する。 - 特許庁

A low resistance source region 19 and a first drain region 21A are successively formed on a substrate 11, by selectively implanting high concentration arsenic ions into the substrate through a first protective insulating film 18 to provide a shallow junction.例文帳に追加

基板１１に、第１の保護絶縁膜１８を介して高濃度砒素イオンを浅接合となるように選択的に注入することにより、低抵抗のソース領域１９及び第１のドレイン領域２１Ａを順次形成する。 - 特許庁

To provide polyimide precursor resin compositions useful as interlaminar insulating layers and surface protective films of electronic parts such as semiconductor integrated circuits and high density packaging substrates and a method for preparing the same.例文帳に追加

半導体集積回路、高密度実装基板等の電子部品の層間絶縁膜、表面保護膜として有用な、ポリイミド前駆体樹脂組成物及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

A wiring layer, not shown and regarding the memory cell, is formed in a multilayer via an interlayer insulating film, and a protective film (passivation film) 12 is formed thereon.例文帳に追加

このメモリセルに関係する図示しない配線層が層間絶縁膜を介して多層で形成され、その上に保護膜（パッシベーション膜）１２が形成されている。 - 特許庁

The protective insulating film formed with the good coverage has a high capacitor protecting function and then prevent the capacitor from deteriorating owing to a reduced element to improve the capacitor characteristics.例文帳に追加

カバレッジ良く形成された保護絶縁膜は、キャパシタ保護機能が高くなるので、キャパシタの還元元素による劣化を防止して、キャパシタ特性を向上することができる。 - 特許庁

To provide a voltage regulating diode which can stably operate without being influenced by ions contained in an insulating film or a protective film formed on the surface of a semiconductor substrate and withstands high voltage, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

半導体基板の表面に形成された絶縁膜や保護膜が有するイオンの影響を受けることなく、安定した動作が得られる高耐圧な定電圧ダイオードおよびその製造方法を提供する。 - 特許庁

This tape carrier package comprises a base 2, wiring 6, 7, 15 formed on the base 2, and an insulation protective film for insulating and protecting the wirings 6, 7, 15 formed on the base 2.例文帳に追加

このテープキャリアパッケージは、基材２と、基材２上に形成された配線６,７,１５と、配線６,７,１５上に形成されて配線６,７,１５を絶縁保護する絶縁保護膜とを備える。 - 特許庁

A gate-electrode material film and an insulating film for a side wall formed on the rear of the semiconductor substrate are removed by forming the surface protective film.例文帳に追加

表面保護膜を形成することにより、半導体基板裏面に形成されるゲート電極材料膜及びサイドウォール用絶縁膜を除去する。 - 特許庁

A manufacturing method of a semiconductor device comprises a process of forming the wiring layer on a semiconductor substrate, a process of patterning the wiring layer, and a process of covering the wiring layer with a protective insulating film.例文帳に追加

本発明に係る半導体装置の製造方法は、半導体基板上に配線層を形成する工程と；前記配線層をパターニングする工程と；前記配線層を保護絶縁膜で覆う工程とを含む。 - 特許庁

A base film 902, an amorphous semiconductor film 903, and a first protective insulating film 904 are formed on a substrate 901, and a light- transmitting thermal conductive layer 905 is selectively formed.例文帳に追加

基板９０１上に下地膜９０２、非晶質半導体膜９０３、第１の保護絶縁膜９０４を形成し、透光性を有する熱伝導層９０５を選択的に設ける。 - 特許庁

An insulating protective tape material 251 formed of polypropylene or the like is paid out from a roll 5; its end 252 is held by a chuck 8; and it is stretched.例文帳に追加

ロール５から、ポリプロピレン等で構成される絶縁性の保護テープ材料２５１を繰り出し、端部２５２をチャック８で把持して、これを張架する。 - 特許庁

Thereby, the glass insulating film 13 does not erode in the plating process after protective film formation, and the zinc oxide based laminated chip varistor 10 having good insulation can be obtained with good productivity.例文帳に追加

これにより、保護膜形成後の工程であるメッキ工程にて、ガラス絶縁膜１３が浸食される事が無く、良好な絶縁性を有する酸化亜鉛系積層チップバリスタ１０を良好な生産性で得る事ができる。 - 特許庁

This sulfuration detecting sensor A1 has an insulating substrate 10, a sulfuration detecting body 20, a lower surface electrode 22, a side surface electrode 24, a plating 26 and a protective film 40.例文帳に追加

硫化検出センサＡ１は、絶縁基板１０と、硫化検出体２０と、下面電極２２と、側面電極２４と、メッキ２６と、保護膜４０とを有している。 - 特許庁

In the wiring board 100 provided, in the uppermost layer, with a metal wiring pattern 11 having an electrode, an electrically insulating protective coating 2 is formed to cover the wiring pattern 11 including the electrode.例文帳に追加

最上層に電極を有する金属製の配線パターン１１が設けられた配線基板１００において、電極を含めて配線パターン１１を覆う電気絶縁性の保護皮膜２が形成されている。 - 特許庁