「protective insulating～」に関連した英語例文の一覧と使い方(10ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a magnetic head suspension manufacturing method capable of forming an insulating resin layer and a wiring pattern to desired thicknesses without exposing the wiring pattern from a protective layer.例文帳に追加

配線パターンを保護層から露出させることなく、絶縁樹脂層、配線パターンを所望の厚さに形成できる磁気ヘッド用サスペンションの製造方法を提供する。 - 特許庁

A lower wiring 102 is buried in an insulating film 101 formed on a semiconductor substrate 100, and a protective film 103 is formed on the lower wiring 102.例文帳に追加

半導体基板１００上に形成された絶縁膜１０１には下層配線１０２が埋め込まれ、該下層配線１０２の上には保護膜１０３が形成されている。 - 特許庁

In the pixel region 2 a protective film 9 and an interlayer insulating film 10 exist between a TFT 8 and a pixel electrode 11.例文帳に追加

画素領域２では、ＴＦＴ８と画素電極１１の間に保護膜９と層間絶縁膜１０が存在し、カラーフィルタ１５上には液晶分子の傾斜方向を規制する突起１８が形成されている。 - 特許庁

Further, after a protective insulating layer 8 is formed on the semiconductor layers 3A-3C, 'heat treatment in a reducing gas' is performed for controlling the resistance values of the semiconductor layers 3A-3C.例文帳に追加

又、半導体装置の製造方法において、半導体層３Ａ〜３Ｃ上に保護絶縁層８を形成した後に、半導体層３Ａ〜３Ｃの抵抗値を制御する「還元性ガス中の熱処理」を行う。 - 特許庁

Thereafter, after a protective insulation film 15 is formed, an impurity is activated, and an RTA treatment for releasing the stress of the insulating film embedded in the trench element isolated region 2 is performed.例文帳に追加

その後、保護絶縁膜１５を形成した後、不純物を活性化させ、トレンチ素子分離領域２に埋め込まれている絶縁膜の応力を開放するためのＲＴＡ処理を行う。 - 特許庁

A TEOS oxide film 11 is formed as a principal interlayer insulating film for covering wiring patterns ALA1, ALA2, on which a protective film , e.g., a nitride film 12 is formed.例文帳に追加

配線パターンＡＬＡ１，ＡＬＡ２上を覆う主要な層間絶縁膜としてＴＥＯＳ酸化膜１１を形成し、その上に保護膜、例えば窒化膜１２を形成する。 - 特許庁

On the upper surface of the silicon substrate 1 around the low dielectric film wiring laminate structural part 3, there is provided a side part insulating film 11 such that its upper surface is substantially flush with the upper surface of the protective film 9.例文帳に追加

低誘電率膜配線積層構造部３の周囲におけるシリコン基板１の上面には側部絶縁膜１１がその上面が保護膜９の上面とほぼ面一となるように設けられている。 - 特許庁

After forming the three mesas of an emitter-contact mesa, a base-collector mesa, and a sub-collector mesa to complete the fundamental structure of the transistor, the whole of the fundamental structure is covered with a protective insulating film.例文帳に追加

エミッタコンタクトメサ、ベース・コレクタメサ、サブコレクタメサの三つのメサを形成してトランジスタ基本構造を完成後、全体を保護絶縁膜で覆う。 - 特許庁

The protective insulating films 16 and 17 form a two-layered structure formed of a silicon nitride film 16 covering the side wall of the control gate electrode 14a and a silicon oxide film 17 covering the silicon nitride film 16.例文帳に追加

保護絶縁膜１６、１７は、制御ゲート電極１４ａの側壁上を覆うシリコン窒化膜１６と、シリコン窒化膜１６上を覆うシリコン酸化膜１７との２層構造となっている。 - 特許庁

To prevent peeling of a protective film, which occurs when a semiconductor substrate the surface of which is coated with an electrically insulating hard film is cut by dicing, etc.例文帳に追加

表面が電気絶縁性の硬質の膜で覆われている半導体基板を、ダイシング等の方法で切断する際に、発生する保護膜のはがれを防止する。 - 特許庁

The X-shaped projecting parts are formed with X-shaped projecting patterns formed at the lower part of the pixel electrode, and a gate insulating film and a protective film formed on the X-shaped projecting patterns.例文帳に追加

Ｘ字形の突出部は、画素電極下部に形成されているＸ字形の突起パターンと突起パターンの上に形成されているゲート絶縁膜及び保護膜によって形成される。 - 特許庁

An insulating layer 102 is formed on a low-resistant n-type semiconductor substrate 101, and a surface protective film 104 is formed on the base 107 and emitter 108 of a bipolar transistor.例文帳に追加

低抵抗のＮ型半導体基板１０１の上に絶縁層１０２を形成し、バイポーラトランジスタのベース１０７，エミッタ１０８上に表面保護膜１０４を形成する。 - 特許庁

An Al pad 11 is formed on an insulating film (not shown) in the upper layer of an integrated circuit formed on an Si substrate 10 and a protective film 12 of SiO2 is formed on the periphery thereof.例文帳に追加

Ｓｉ基板１０における集積回路上層の絶縁膜（図示せず）上にＡｌパッド１１、その周囲部に例えばＳｉＯ_2 膜でなる保護膜１２が形成されている。 - 特許庁

The piezoelectric body layer and insulating protective film between both IDTs are partially removed to form a response part 11 wherein the surface of the diamond layer is exposed.例文帳に追加

両ＩＤＴの間の圧電体層及び絶縁保護膜を部分的に除去して、ダイヤモンド層の表面を露出させた感応部１１を形成する。 - 特許庁

A resin member (a spacer) 20 having an insulating property is arranged at a stepped part of a battery cell like a polymer battery 21, and is housed in a lower case 26 made of plastic together with parts such as a protective circuit board 25.例文帳に追加

ポリマー電池２１などの電池セルが有する段差部に絶縁性を有する樹脂製の部材（スペーサー）２０を配置し、保護回路基板２５等の部品とともにプラスチック製の下ケース２６に収容する。 - 特許庁

A transparent insulating layer 2 made of thermosetting resin, a transparent electrode 3, a light emission layer 6, a reflective insulation layer 7, a rear electrode 8 and a protective layer 9 are formed on a bright film 1.例文帳に追加

透明フィルム１の上に熱硬化性の樹脂からなる透明絶縁層２、透明電極３、発光層６、反射絶縁層７、裏面電極８、保護層９を形成する。 - 特許庁

In the above coating operation, the inner walls of the through-holes are also covered with the insulating protective layer 9, the electrodes are insulated, and the passage holes 4 which are each concentrically formed with the electrodes are provided.例文帳に追加

その被覆時に貫通孔３４の内壁も併せて被覆し、各電極を絶縁し、各電極から同心状に形成された通過孔４を形成する。 - 特許庁

Firstly, a laminated film 10 composed of a protective film 3 and an insulating film 4 is formed on a substrate 1, having a contact region 2a and a non-contact region 2b.例文帳に追加

最初に、コンタクト領域２ａと非コンタクト領域２ｂとを有する基板１上に、保護膜３と絶縁膜４とからなる積層膜１０を形成する。 - 特許庁

Gate polysilicon wiring 21 and a protective diode 22, which are covered with the interlayer insulating film 8 and electrically connected with the gate electrode 7, are embedded in recesses 25, 26.例文帳に追加

層間絶縁膜８で覆われ、ゲート電極７に電気的接続されたゲートポリシリ配線２１および保護ダイオード２２は凹部２５，２６に埋め込まれている。 - 特許庁

To provide a photosensitive resin composition, a cured film of which has ample flexibility, and which yields an insulating protective coating having improved soldering heat resistance, thermal degradation resistance, and electroless gold plating resistance.例文帳に追加

硬化膜が可撓性に富み、はんだ耐熱性、耐熱劣化性、無電解金メッキ耐性に優れた絶縁保護被膜を与える新規感光性樹脂組成物の提供。 - 特許庁

Then, the surface protective layer 4 is formed by the use of insulating and heat-resistant electrodeposition resin on the peripheral part of the circuit wiring pattern 2 through an electrodeposition method, then the mask 5 is removed, and the connection opening 3 is formed.例文帳に追加

そこで、絶縁性、耐熱性などからなる電着樹脂を用いて電着手法により回路配線パタ−ン２の外周にのみ表面保護層４を形成した後、マスク５を除去して接続用開口部３を形成する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method in which a protective insulating film (flattening film) formed on a pixel circuit can easily be patterned by dry etching, and a display device manufactured by the manufacturing method.例文帳に追加

画素回路上に形成された保護絶縁膜（平坦化膜）をドライエッチングにより容易にパターニングすることができる製造方法、及び、該製造方法により製造された表示装置を提供する。 - 特許庁

Thereafter, using a resist 11 as a mask, the resist 11 is removed by the O_2 ashing after removal of the protective insulating film 10 in the silicide forming region AreaA.例文帳に追加

その後、レジスト１１をマスクにして、シリサイド形成領域ＡｒｅａＡの保護絶縁膜１０を除去した後、レジスト１１をＯ_2アッシングによって除去する。 - 特許庁

In this hot water mat for floor heating, an integrated hot water mat unit obtained by integrally adhering and stacking a hot water mat body and the vacuum heat insulating material integrated with hard urethane foam as a protective material, is applied.例文帳に追加

床暖房用温水マットにおいて、温水マット本体と、硬質ウレタンフォームを保護材として一体発泡した真空断熱材とを互いに接着積層し、一体化した温水マットユニットを適用する。 - 特許庁

Approximately elliptical openings of smaller dimensions than the ball terminal 11 are made in the insulating protective film 9 above the electrodes 21 thus forming primary lands 21a.例文帳に追加

電極２１上の絶縁性保護膜９にボール端子１１よりも小さい寸法の近似楕円形形状の開口部が形成されて、１次ランド２１ａが形成されている。 - 特許庁

To improve light fastness of a para-aramid fibers and to provide a heat-resistant cloth with improved lightness and heat insulating performance and to provide a heat-resistant protective clothing using the heat-resistant cloth as the surface layer.例文帳に追加

パラ系アラミド繊維の耐光性を改良すると共に、軽量性や遮熱性が改善された耐熱性布帛及びそれを表地層として配してなる耐熱性防護服を提供すること。 - 特許庁

The flat insulating membrane 21 has a buffering layer to absorb the stress generated on hardening and prevent peeling of the substrate 1 and a protective wicker basket 10.例文帳に追加

平坦化絶縁膜２１は、緩衝層となってシール１１硬化時に生じるストレスを吸収し、基板１と保護筐体１０との剥離を防止する。 - 特許庁

Thus, the metal membrane is covered with the transparent conductive membrane 141, and insulating membrane 109, and a protective membrane 174, protected from the outside air.例文帳に追加

よって、接続配線の金属膜の側面は保護膜１７４で覆われているためこの部分において、金属膜は透明導電膜１４１、下地の絶縁膜１０９、保護膜１７４に接して囲まれ、外気に触れることがない。 - 特許庁

An insulating protective film without solder wettability including a connection opening portion is provided on an electrode located on one principal surface of an electric power semiconductor chip, and a linear wiring is connected with the aid of a solder through the opening portion.例文帳に追加

電力用半導体チップの一主面上にある電極上に、接続用の開口部をもつ絶縁性かつ半田濡れ性のない保護膜を有し、前記開口部を通して外部から線状の配線が、半田によって接続している。 - 特許庁

An insulating protective layer 24 is arranged so as to cover an outer peripheral surface 25 of the electrode group 10 including a positive electrode 21, the negative electrode 22 containing the negative electrode active material bringing forth a volume change, and a separator 23 interposed between them.例文帳に追加

正極２１と、体積変化を起こす負極活物質を含有する負極２２と、これらの間に介在するセパレータ２３とを含む電極群１０の外周面２５を覆うように絶縁性保護層２４を配置する。 - 特許庁

In a magnetic sensor, a semiconductor intermediate layer 13 is formed between an InxGa1-xAsySb1-y (0<x≤1 and 0≤y≤1) thin film 2 and a protective film 11 composed of an inorganic insulating layer.例文帳に追加

Ｉｎ_xＧａ_1-xＡｓ_yＳｂ_1-y（０＜ｘ≦１，０≦ｙ≦１）薄膜と無機質絶縁層である保護膜との間に半導体中間層が形成されている磁気センサーである。 - 特許庁

The poisoning preventing layer 60 is lamellarly formed from a poisoning preventing metal oxide so as to coat a protective layer 50 and the underside part of an electric insulating substrate 10.例文帳に追加

被毒防止層６０は、保護層５０及び電気絶縁基板１０の下側部を被覆するように、被毒防止層用金属酸化物により層状に形成されている。 - 特許庁

All the required heat treatment processes performed in a period after the process of forming the wiring layer and before the process of covering the wiring layer with the protective insulating film are performed at a plastic deformation temperature of the wiring layer or a temperature lower than this.例文帳に追加

そして、前記配線層を形成する工程の後であって、前記配線層を前記保護絶縁膜で覆う工程の前に行われる必要な全ての熱処理工程を、前記配線層の塑性変形温度以下で行う。 - 特許庁

In one embodiment, the inkjet head includes a substrate, a piezoelectric member, a plurality of electrodes, a plurality of electrically conductive portions, a frame member, an insulating film, a nozzle plate, an electronic component and a protective agent.例文帳に追加

一つの実施形態のインクジェットヘッドは、基板と、圧電部材と、複数の電極と、複数の導電部と、枠部材と、絶縁膜と、ノズルプレートと、電子部品と、保護剤とを具備する。 - 特許庁

The core 13 is prevented from coming into direct contact with the patterns 2 and 4, by applying insulating protective films 20 and 21 to the portions of the patterns 2 and 4 facing the core 13 and widening the intervals between the patterns 2 and 4 and the core 13.例文帳に追加

磁気コア１３と対向するコイルパターン２,４の部分に絶縁性の保護膜２０，２１を塗布して、コイルパターン２，４と磁気コア１３間の間隔を広げ、コイルパターン２，４と磁気コア１３間の直接接触を防止する。 - 特許庁

COMPOSITION AND METHOD FOR MANUFACTURING IT, POROUS MATERIAL AND METHOD FOR FORMING IT, INTERLAYER INSULATING FILM, SEMICONDUCTOR MATERIAL, SEMICONDUCTOR DEVICE, AND LOW-REFRACTIVE-INDEX SURFACE PROTECTIVE FILM例文帳に追加

組成物及びその製造方法、多孔質材料及びその形成方法、層間絶縁膜、半導体材料、半導体装置、並びに低屈折率表面保護膜 - 特許庁

A gate electrode 2, a gate insulating film 3, a silicon semiconductor layer (a-Si) 4, an n+ semiconductor film 5, a source electrode 61, and a drain electrode 62 are fabricated on a glass substrate 1, and a protective film 7 is formed over the entire surface.例文帳に追加

ガラス基板１上にゲート電極２、ゲート絶縁膜３、シリコン半導体層（ａ-Ｓｉ）４、n+半導体膜５、ソース電極６１、ドレイン電極６２を形成し、この上の全面に保護膜７が成膜される。 - 特許庁

The inkjet head includes a body, a plurality of electrodes, a plurality of electrically conductive portions, an insulating film, an adhesive, a frame member, a lid member, an electronic component and a protective agent.例文帳に追加

一つの実施の形態に係るインクジェットヘッドは、本体と、複数の電極と、複数の導電部と、絶縁膜と、接着剤と、枠部材と、蓋部材と、電子部品と、保護剤とを具備する。 - 特許庁

A thin film transistor includes a gate electrode, a gate insulating layer, a semiconductor layer made of an amorphous oxide, a source electrode, a drain electrode, and a protective layer.例文帳に追加

薄膜トランジスタは、ゲート電極と、ゲート絶縁層と、アモルファス酸化物からなる半導体層と、ソース電極と、ドレイン電極と、保護層とを含む。 - 特許庁

The ultraviolet semiconductor light emitting element includes a protective layer 9 protecting the p electrode 6 as the transparent electrode formed of a transparent insulating material in the luminescent wavelength of the ultraviolet light.例文帳に追加

紫外光の発光波長において透明な絶縁材料により形成され透明電極であるｐ電極６を保護する保護層９を備える。 - 特許庁

After the protective insulating film 3 having an opening 3a for exposing an electrode pad 2 is formed on a substrate (semiconductor substrate 1) where the electrode pad 2 is formed, a photosensitive resin film 4 is formed.例文帳に追加

電極パッド２が形成された基板（半導体基板１）上に、電極パッド２を露出させる開口３ａを有する保護絶縁膜３を形成した後、感光性樹脂膜４を形成する。 - 特許庁

A protective layer 3 composed of an insulating inorganic compound such as silicon nitride or a hydrophilic organic polymer compound such as polyvinyl alcohol is formed thereon by CVD or coating of a solution.例文帳に追加

その上に、窒化ケイ素などの絶縁性無機化合物又はポリビニルアルコールなどの親水性有機高分子化合物からなる保護層３を、ＣＶＤ法や水溶液の塗布によって形成する。 - 特許庁

A plurality of projections 202 to be cores of a plurality of external connection terminals respectively are formed first by selectively forming a curable resin layer over a protective insulating film 120.例文帳に追加

まず、保護絶縁膜１２０上に選択的に硬化型の樹脂層を形成することにより、複数の外部接続端子それぞれのコアとなる複数の凸部２０２を形成する。 - 特許庁

Then, the plurality of external connection terminals and a plurality of interconnects are formed by selectively forming the conductive film over the plurality of projections 202, the protective insulating film 120 and a plurality of electrode pads 130.例文帳に追加

ついで、複数の凸部２０２、保護絶縁膜１２０、及び複数の電極パッド１３０上に導電膜を選択的に形成することにより、複数の外部接続端子、及び複数の配線を形成する。 - 特許庁

Further, it has a bump (resin core bump 6) including a bump core (resin core 4) formed on the protective insulating film 3 and a conductive layer 5a formed on the bump core.例文帳に追加

更に、保護絶縁膜３上に形成されたバンプコア（樹脂コア４）と、バンプコア上に形成された導電層５ａと、を含むバンプ（樹脂コアバンプ６）を有する。 - 特許庁