「protective insulating～」に関連した英語例文の一覧と使い方(8ページ目) - Weblio英語例文検索

The capacitive film 4 and the protective film 6 are etched using the interlayer insulating film 7 as a mask, so that openings 9, 12 for contact with the lower electrode 3 and the upper electrode 5 are formed, respectively, on the capacitive film 4 and the protective film 6.例文帳に追加

そして、層間絶縁膜７をマスクとして、容量膜４および保護膜６がエッチングされることにより、容量膜４および保護膜６にそれぞれ下部電極３および上部電極５とのコンタクトのための開口９，１２が形成される。 - 特許庁

The organic thin film semiconductor transistor comprises a substrate, a gate electrode, a gate insulating layer, an organic semiconductor active layer, a source-drain electrode, and a protective layer, and further, a buffer layer installed between the above-mentioned organic semiconductor active layer and the above-mentioned protective layer.例文帳に追加

基板、ゲート電極、ゲート絶縁層、有機半導体活性層、ソース−ドレイン電極、および保護層を含み、前記有機半導体活性層と前記保護層との間に緩衝層が介設されていることを特徴とする有機薄膜半導体トランジスター。 - 特許庁

The lower-layer wiring 12 has a surface covered with a protective layer 15, and the upper-layer wiring 14 directly contacts the lower-layer wiring 12 via a contact hole 17 formed in a way of penetrating through the interlayer insulating film 13 and the protective layer 15 and cutting away the surface of the lower-layer wiring 12.例文帳に追加

下層配線１２は表面が保護層１５により覆われており、上層配線１４は、層間絶縁膜１３及び保護層１５を貫通し且つ下層配線１２の表面部分を削り取る形で形成されたコンタクトホール１７を介して下層配線１２と直接接触している。 - 特許庁

The corrosion detection element of the steel material in concrete includes the sensor wiring 26 made of a metal arranged on an insulating substrate 20, electrodes 24 and 28 which keeps the sensor wiring 26 connected and are connected to external wiring, and a protective film 38 having the same composition as the protective film on the surface of the steel material in concrete 12 to cover the sensor wiring 26.例文帳に追加

絶縁基板２０上に配線された金属製のセンサ配線２６と、センサ配線２６が接続されているとともに外部の配線につながれた電極２４，２８と、コンクリート１２中の鋼材表面の保護皮膜と同様の組成でセンサ配線２６を被覆した保護皮膜３８とを備える。 - 特許庁

The adhesive force in shearing and the thickness of the protective layer 53 are set so that it may produce exfoliation between the electronic components 15 and the protective layer 53 when the expansion and shrinkage within the bounds of possibility of breakage of the electric connection occurs in the insulating resin of the mold 45.例文帳に追加

保護層５３の剪断接着強さと厚みは、電気的接続の破壊を発生させる可能性のある膨張収縮がモールド部４５の絶縁樹脂に発生したときに、電子部品１５と保護層５３との間に剥離を生じさせることができるように定める。 - 特許庁

For the insulator structure for a battery pack made of an insulating sheet arranged between a cell face of a battery and a protective circuit board 7 arranged on the cell face, a notched part is provided at a part of a cell face side enabled to form a space for housing a component-mounting part 8 on the protective circuit board 7.例文帳に追加

電池のセル面と該セル面上に配置する保護回路基板７との間に設置する絶縁性シートでなる電池パック用インシュレータ構造であって、前記保護回路基板７上の部品実装部８を収容する空間を形成可能に前記セル面側の一部に切り欠き部を設ける。 - 特許庁

The method of manufacturing the thin-film transistor at least having a gate electrode, a gate insulating layer, an oxide semiconductor layer, and a protective layer contacting the oxide semiconductor layer on a base body, includes a step of forming the protective layer by a coating method.例文帳に追加

基体上に少なくとも、ゲート電極、ゲート絶縁層、酸化物半導体層、該酸化物半導体層に接する保護層を有する薄膜トランジスタの製造方法において、該保護層が塗布法により形成される工程を有することを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。 - 特許庁

The silicon carbide trench MOS type semiconductor device includes a protective diode 100 on a surface of a peripheral breakdown voltage region, wherein a cathode is connected to a second main electrode 10 through an insulating film 6-3, and the breakdown voltage of the protective diode is lower than that of a MOS type semiconductor device.例文帳に追加

周辺耐圧領域表面に絶縁膜６−３を介して、前記第二主電極１０にカソードが接続される保護ダイオード１００を備え、該保護ダイオードの耐圧がＭＯＳ型半導体装置の耐圧よりも低い炭化珪素トレンチＭＯＳ型半導体装置とする。 - 特許庁

In the electrophotographic photoreceptor having a photosensitive layer 2 and a protective layer 6 formed on a conductive body 1, the protective layer 6 contains at least conductive particles and a copolymer containing charge transfer blocks and insulating blocks.例文帳に追加

本発明は、少なくとも導電性基体１上に感光層２と保護層６を設けた電子写真感光体において、該保護層６が、少なくとも、導電性粒子、及び、電荷輸送性ブロックと絶縁性ブロックを含む共重合体を含有していることを特徴とする。 - 特許庁

In a detection element 1, protective films 30a, 30b and 31a: insulating films 31b and 30c; a heating resistor 3; a temperature sensing resistor 4; a contact part 33; a drawn wiring part 34; a contact barrier metal film 36; and a strength reinforcing protective film 37 are formed in a flat substrate 32.例文帳に追加

検出素子１は平板基板３２に保護膜３０ａ、３０ｂ、３１ａ、絶縁膜３１ｂ、３０ｃ、発熱抵抗体３、温度検出抵抗体４、コンタクト部３３、引き出し配線部３４、コンタクトバリアメタル膜３６、強度補強保護膜３７を形成する。 - 特許庁

The pressing metal fixture constituting the metal fixture integrated protective pipe is attached on the insulating flange constituting the insulating bushing through the O-ring, and a waterproof layer is provided over the outer circumference of a cable outside semiconductor layer constituting a cable terminal on the outer circumference of the opposite end of the cable terminal of the cylindrical portion constituting the metal fixture integrated protective pipe.例文帳に追加

金具一体型保護管を構成する押さえ金具は、絶縁ブッシングを構成する絶縁フランジにＯリングを介して取り付けられ、金具一体型保護管を構成する円筒部のケーブル端末と対向する端部の外周にはケーブル端末を構成するケーブル外部半導電層の外周に跨って防水層が設けられている。 - 特許庁

A first protective layer made of metal is provided on the insulating layer 10 facing a substrate 40 for a liquid ejection head including elements 12 used for ejecting liquid, and a supply port penetrating the insulating layer 10 and a substrate 8, and a second protective layer made of metal is provided on a surface of the supply port to which the substrate is exposed.例文帳に追加

液体を吐出するために用いられる素子１２と絶縁層１０と基板８を貫通する供給口とを備えた液体吐出ヘッド用基板４０に面する絶縁層の上に、金属からなる第１の保護層が設けられ、かつ供給口の基板が露出する面の上に、金属からなる第２の保護層が設けられている。 - 特許庁

The semiconductor device is constituted of a substrate 1, a gate electrode 2 formed on the substrate 1, a gate insulating layer 3 formed on the gate electrode 2 and the substrate 1, a p-type organic semiconductor layer 4 formed on the gate insulating layer 3, a protective layer 5 formed on the p-type organic semiconductor layer 4, and a source electrode 8 and a drain electrode 9 formed on the protective layer 5.例文帳に追加

基板１と、前記基板上に形成されたゲート電極２と、ゲート電極２及び基板１上に形成されたゲート絶縁層３と、ゲート絶縁層３上に形成されたｐ型有機半導体層４と、有機半導体層４上に形成された保護層５と、保護層５上に形成されたソース電極８及びドレイン電極９と、を有する半導体装置を構成する。 - 特許庁

A first NSG film (first insulating film) 31 by a high density plasma CVD method and a second NSG film (second insulating film) 32 by a plasma CVD method are laminated on an uppermost wiring layer 20 functioning as a fuse to form a first protective film 30, and then the surface of the protective film 30 is flattened by a CMP method.例文帳に追加

ヒューズとして機能する最上層配線層２０上に、高密度プラズマＣＶＤ法による第一のＮＳＧ膜（第一の絶縁膜）３１と、プラズマＣＶＤ法による第二のＮＳＧ膜（第二の絶縁膜）３２を積層して第一の保護膜３０を形成した後、この第一の保護膜３０の表面をＣＭＰ法によって平坦にする。 - 特許庁

The capacitor lower electrode 109 and an impurity diffusion layer 105 of the first FET are connected to a first contact plug 107, formed on the first protective insulating film 106, and the capacitor upper electrode 111 and an impurity diffusion layer 105 of the second FET are connected by a second contact plug 108, formed on the first protective insulating film 106.例文帳に追加

容量下部電極１０９と第１の電界効果型トランジスタの不純物拡散層１０５とは第１の保護絶縁膜１０６に形成された第１のコンタクトプラグ１０７により接続され、容量上部電極１１１と第２の電界効果型トランジスタの不純物拡散層１０５とは第１の保護絶縁膜１０６に形成された第２のコンタクトプラグ１０８により接続されている。 - 特許庁

The integrated circuit 1 comprises: a flexible printed-circuit board 2 having a wiring pattern 4; an insulating protective film 7 provided to coat a part on the wiring pattern 4; a conductive adhesive film 8 coated by the part on at least the insulating protective film 7 and connected to the reference potential; and an integrated circuit element 1 arranged in contacting on the conductive adhesive film 8.例文帳に追加

集積回路１は、配線パターン４を有するフレキシブルプリント配線板２と、配線パターン４上の一部に覆設された絶縁性保護膜７と、少なくとも絶縁性保護膜７上の一部に覆設され、かつ基準電位に接続される導電性接着膜８と、導電性接着膜８上に接して配置された集積回路素子１とを備えることを特徴とする。 - 特許庁

To provide a liquid crystal display device capable of preventing a protective insulating film from abnormally being grown even when an amorphous conductive film is patterned in a specified shape by using a specified etchant and the protective insulating film is formed so as to cover the patterned conductive film.例文帳に追加

本発明は、非晶質の導電性膜を所定のエッチャントを用いて、所定の形状にパターニングし、当該パターニングされた導電性膜を覆うように保護絶縁膜を形成したとしても、当該保護絶縁膜の異常成長を防止することができる、液晶表示装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a radiation-sensitive resin composition for forming an interlayer insulating film, a protective film and a spacer from a single kind of a radiation-sensitive resin composition, achieving high sensitivity, high flatness, high adhesion property and high transmittance in the interlayer insulating film and in the protective film, and achieving high resolution and high sensitivity in the spacer.例文帳に追加

の目的は、１種類の感放射線性樹脂組成物で層間絶縁膜、保護膜及びスペーサーを形成することが可能であり、さらに、層間絶縁膜、保護膜においては高感度、高平坦性、高密着性、高透過率、スペーサーにおいては高解像度、高感度を達成できる感放射線性樹脂組成物を提供することにある。 - 特許庁

The strained SOI structure comprises an insulating substrate 10, a protective layer 12 formed on all surfaces of the insulating substrate and composed of AlN, a bonding layer 14 formed on the protective layer 12 and composed of SiO_2 or polycrystalline silicon, an SiO_2 layer 28 formed on the bonding layer 14, and a strained silicon layer formed on the SiO_2 layer 28.例文帳に追加

絶縁性基板１０と、絶縁性基板１０の表面全体に形成されたＡＩＮからなる保護層１２と、保護層１２上に形成されたＳｉＯ_２又は多結晶シリコンからなるボンディング層１４と、ボンディング層１４上に形成されたＳｉＯ_２層２８と、ＳｉＯ_２層２８上に形成されたストレインシリコン層と、を備えるストレインＳＯＩ構造体である。 - 特許庁

The thermal infrared detection part 3 includes: on a heat insulating layer 33 of the silicon substrate 1, a temperature detection part 36 consisting of an n-type polysilicon layer (silicon layer) 34, a p-type polysilicon layer (silicon layer) 35 and an electrode 37; and an interlayer insulating film (protective film) 49 and a passivation film (protective film) 60 protecting the temperature detection part 36.例文帳に追加

熱型赤外線検出部３は、シリコン基板１の熱絶縁層３３上にｎ形ポリシリコン層（シリコン層）３４、ｐ形ポリシリコン層（シリコン層）３５および電極３７からなる温度検出部３６と、温度検出部３６を保護する層間絶縁膜（保護膜）４９およびパッシベーション膜（保護膜）６０とを備える。 - 特許庁

To provide a base material for a back surface protective sheet for a solar cell, capable of highly accurately laminating various kinds of materials such as a metal foil, an insulating resin layer and a solar cell and manufacturing the back surface protective sheet for the solar cell excellent in durability such as weatherability, heat resistance and moisture resistance and excellent in insulation reliability as well, and to provide the back surface protective sheet for the solar cell.例文帳に追加

本発明は、金属箔、絶縁樹脂層、太陽電池セル等の各種積層を高い精度で実施でき、耐候性、耐熱性、耐湿性等の耐久性に優れ、かつ絶縁信頼性にも優れた太陽電池用裏面保護シートを製造できる太陽電池用裏面保護シート用基材、及び太陽電池用裏面保護シートの提供を目的とする。 - 特許庁

In a thermal head wherein a heating element row comprising a large number of heating elements 3 are provided on the upper surface of an insulating substrate 1 and these heating elements 3 are coated with a protective layer comprising a inorg. material, a frame member 6 having heat conductivity smaller than that of the protective layer is provided on the protective layer so as to surround the heating element row.例文帳に追加

絶縁基板1 の上面に多数の発熱素子3 から成る発熱素子列を取着させるとともに、これら発熱素子3 を無機質材料から成る保護層で被覆したサーマルヘッドにおいて、前記保護層上に、該保護層よりも小さな熱伝導率を有する枠体6 を、前記発熱素子列を囲繞するように被着させる。 - 特許庁

The thin film transistor substrate comprises a thin film transistor connected with a gate line and a data line, an organic protective film that protects the thin film transistor, a contact surface with the organic protective film formed between the gate line and the data line, and inorganic insulating film, whose surface not in contact with the organic protective film is formed in a different manner.例文帳に追加

本発明による薄膜トランジスタ基板は、ゲートライン及びデータラインと接続された薄膜トランジスタと、薄膜トランジスタを保護する有機保護膜と、ゲートラインとデータラインとの間に形成され有機保護膜との接触面と、有機保護膜との非接触面が異なる形態で形成された無機絶縁膜と、を具備する。 - 特許庁

The light-emitting device comprises: a plastic substrate; an insulating layer with an adhesive interposed therebetween; a thin film transistor over the insulating layer; a protective insulating film over the thin film transistor; a color filter over the protective insulating film; and a white-emissive light-emitting element formed over and being in contact with the thin film transistor.例文帳に追加

プラスチック基板と、該プラスチック基板上に、接着剤を介して形成された絶縁層と、該絶縁層上に形成された薄膜トランジスタと、該薄膜トランジスタ上に形成された保護絶縁膜と、該保護絶縁膜上に形成されたカラーフィルタと、該カラーフィルタ上に形成された層間絶縁膜と、該層間絶縁膜上に形成され、当該薄膜トランジスタと電気的に接続する白色発光素子と、を有する発光装置である。 - 特許庁

(i) To have a worker wear personal insulating protective equipment, and install an insulating device to the portions of such charged electrical circuit other than the portion handled by workers where is liable to cause danger of electric shock when workers contact or close to the portions. 例文帳に追加

一　労働者に絶縁用保護具を着用させ、かつ、当該充電電路のうち労働者が現に取り扱つている部分以外の部分が、接触し、又は接近することにより感電の危険が生ずるおそれのあるものに絶縁用防具を装着すること。 - 日本法令外国語訳データベースシステム

(2) A worker shall, in the work set forth in the preceding paragraph, when having been instructed to wear personal insulating protective equipment, install an insulating device, and use live line work instruments or live line work equipment by the employer, wear, install, or use them respectively. 例文帳に追加

２　労働者は、前項の作業において、絶縁用保護具の着用、絶縁用防具の装着又は活線作業用器具若しくは活線作業用装置の使用を事業者から命じられたときは、これを着用し、装着し、又は使用しなければならない。 - 日本法令外国語訳データベースシステム

Article 343 (1) The employer shall, when having workers carry out work installing or removing an insulating device in the case set forth in the preceding two Articles, have the worker engaging in the said work wear personal insulating protective equipment or have them use live line work instruments or live line work equipment. 例文帳に追加

第三百四十三条　事業者は、前二条の場合において、絶縁用防具の装着又は取りはずしの作業を労働者に行なわせるときは、当該作業に従事する労働者に、絶縁用保護具を着用させ、又は活線作業用器具若しくは活線作業用装置を使用させなければならない。 - 日本法令外国語訳データベースシステム

(2) The employer shall, in the case described in the preceding paragraph, and when having workers carry out work installing or removing an insulating device, have the worker engaging in the said work wear personal insulating protective equipment or have them use live line work instruments. 例文帳に追加

２　事業者は、前項の場合において、絶縁用防具の装着又は取りはずしの作業を労働者に行なわせるときは、当該作業に従事する労働者に、絶縁用保護具を着用させ、又は活線作業用器具を使用させなければならない。 - 日本法令外国語訳データベースシステム

To provide a semiconductor device of high performance and superior reliability by satisfying both conflicting requests for improvement of chemical stability in the surface of a compound semiconductor region and superior insulation performance of an insulating film itself expected for a protective insulating film.例文帳に追加

化合物半導体領域の表面における化学的な安定性の向上と、絶縁膜自体の良好な絶縁性という、保護絶縁膜に求められる相反する要求を共に満たし、高性能で信頼性に優れた半導体装置を実現する。 - 特許庁

A TFT substrate 1 has a structure where protective insulating films 40 of a control capacitance part 42 for forming a control capacitance and of an auxiliary capacitance part 43 for forming an auxiliary capacitance are formed smaller in film thickness than the insulating film 40 for covering a TFT 5, or the like.例文帳に追加

ＴＦＴ基板１は、制御容量が形成される制御容量部４２の保護絶縁膜４０、及び補助容量が形成される補助容量部４３の保護絶縁膜４０の膜厚が、ＴＦＴ５等を覆う保護絶縁膜４０の膜厚に比べて薄く形成された構造を有している。 - 特許庁

To provide an insulating coating glass material and sealing glass material, which are excellent in flatness and wear resistance and with which an insulating protective coating can be formed in the form of a single layer and the generation of bubbles caused by a reaction with an electrode can be suppressed, in the development of electronic material substrates represented by thermal print heads.例文帳に追加

サーマルプリントヘッドに代表される電子材料基板開発で、絶縁保護被膜を単層で形成でき、電極反応泡が抑制され、かつ平坦性および耐磨耗性の優れた絶縁性被膜ガラス材料及び封着ガラス材料が望まれている。 - 特許庁

In the protective circuit, a recessed section or an isolating section is formed at the crossing section of the first wiring and the second wiring in the insulating film insulating the first wiring and the second wiring.例文帳に追加

基板上に形成される第１配線と、第１配線と交差する第２配線と、第１配線及び第２配線を絶縁する絶縁膜とが形成され、第１配線及び第２配線の交差部において、第１配線または第２配線の一方が、第１配線または第２配線の他方側へ突出する保護回路である。 - 特許庁

To provide an insulating coating glass material and sealing glass material, from which an insulating protective coating film can be formed in the form of a single layer and the generation of bubbles caused by a reaction with an electrode can be suppressed and which are excellent in flatness and wear resistance and required in the development of electronic material substrates represented by thermal print heads.例文帳に追加

サーマルプリントヘッドに代表される電子材料基板開発で、絶縁保護被膜を単層で形成でき、電極反応泡が抑制され、かつ平坦性および耐磨耗性の優れた絶縁性被膜ガラス材料及び封着ガラス材料が望まれている。 - 特許庁

A capacitive element which consists of a capacitive lower electrode 104, a capacitive insulating film 105, and a capacitive upper electrode 106 is formed on an insulating film 103 which is formed on a semiconductor substrate 100, and then a first protective film 107 which consists of a silicon oxide film and covers the capacitive element is deposited.例文帳に追加

半導体基板１００上に形成された絶縁膜１０３の上に、容量下部電極１０４、容量絶縁膜１０５及び容量上部電極１０６からなる容量素子を形成した後、容量素子を覆うシリコン酸化膜からなる第１の保護膜１０７を堆積する。 - 特許庁

To provide a surge protective circuit for an insulating gate type transistor with improved surge-resistance for static electricity, etc., by shortening the gate charge time for operating (on) the insulating gate type transistor within a discharge period for a surge current to flow, causing no parasitic bipolar operation.例文帳に追加

ゲート充電時間を短縮し放電時間内に絶縁ゲート型トランジスタを動作（オン）させてサージ電流を流し、寄生バイポーラ動作を起こさせないようにして静電気などのサージ耐量を向上させることができる絶縁ゲート型トランジスタのサージ保護回路を提供する。 - 特許庁

Further, the wiring layer 50 in the wiring region 54 is partially buried in the insulating resin layer 40, and an interface between the insulating resin layer 40 and a protective layer 70 is positioned in at least a part of a side face of the wiring layer 50 in the wiring region 54.例文帳に追加

さらに、配線領域５４における配線層５０は、絶縁樹脂層４０に部分的に埋め込まれており、配線領域５４における配線層５０の側面の少なくとも一部に絶縁樹脂層４０と保護層７０との境界が位置している。 - 特許庁

The cover lay film has an insulating film, an adhesive layer made of an adhesive composition for a semiconductor device and a peelable protective film, and the average surface roughness (Ra) of a surface without the adhesive layer in the insulating film is 0.05 μm or more.例文帳に追加

絶縁性フィルム、半導体装置用接着剤組成物からなる接着剤層および剥離可能な保護フィルムを有するカバーレイフィルムであって、前記絶縁性フィルムの接着剤層を有していない面の平均表面粗さ（Ｒａ）が０．０５μｍ以上であることを特徴とするカバーレイフィルム。 - 特許庁

In the exothermic pipe 1 that is formed by printing an insulating layer 10, exothermic resistor 22 and a protective layer 30 in this order on a surface of a base material pipe 3, the exothermic resistor 22 is formed to avoid printing unevenness 11 of printing termination position E10 of the insulating layer 10.例文帳に追加

基材パイプ３の表面に絶縁層１０、発熱抵抗体２２及び保護層３０をこの順に印刷により形成したパイプ型発熱体１において、絶縁層１０の印刷終了位置E１０の印刷ムラ１１を避けるように発熱抵抗体２２を形成する。 - 特許庁

Consequently, there are discharged a by-product staying on an interface between an upper protective film 6 and a low dielectric interlayer insulating film 5 and a by-product staying on an interface between the etching stopper film 4 and the low dielectric interlayer insulating film 5, and hence it is possible to reduce the remaining amount of such by-products.例文帳に追加

これにより上部保護膜６と低誘電率層間絶縁膜５との界面に滞留した副生成物、およびエッチングストッパ膜４と低誘電率層間絶縁膜５との界面に滞留した副生成物が放出され、副生成物の残留量を減少させることができる。 - 特許庁

To provide a semiconductor device and its manufacturing method which can form an insulating film, without generating air gaps under eaves, when the upper protective layer of wiring turns into eaves type, and bury the insulating film in a part between wirings arranged with high density, without generating air gaps by an HDP-CVD method.例文帳に追加

配線の上部保護層がひさし状になっても、その下に空隙を生じずに絶縁膜を形成し、高密度に配置された配線間に空隙を生じずにＨＤＰ−ＣＶＤ法により絶縁膜を埋め込むことができる半導体装置とその製造方法を提供する。 - 特許庁

The periphery of the header 11 is coated with a heat insulating member 33 consisting of a foaming substance 34 and a protective skin 35 affixed to its surface, and each branch piping connecting part 28 is fitted in an insert hole 36 provided in the heat insulating member 33.例文帳に追加

そのヘッダー１１の周囲には、発泡体３４とその発泡体３４の表面に貼着された保護皮３５とよりなる断熱部材３３が被覆され、各枝配管接続部２８は断熱部材３３に形成された挿入孔３６にはめ込まれている。 - 特許庁

To provide a technique for forming a dense insulating film of high quality suitably applicable as a gate insulating film or a protective film, at a temperature below the deformation point on a glass substrate and to apply a semiconductor device for realizing high reliability with high performance using the technique.例文帳に追加

ゲート絶縁膜や保護膜として好適に適用可能な緻密で高品質の絶縁膜を、ガラス基板に歪み点以下の温度で形成する技術、並びにそれを用いて高性能で高信頼性を実現する半導体装置を適用することを目的とする。 - 特許庁

To provide a hot water storage tank composed of a water pipe and a branch pipe connected with a hot-water tank, by vertically disposing a heat insulating material capable of receiving a lead wire in a storage groove, on a side face of the hot water storage tank, and covering both right and left sides of the heat insulating material by protective covers.例文帳に追加

温水タンクに接続された水配管と分岐管で構成された貯湯タンクであって、前記貯湯タンクの側面に、収納溝にリード線を収納することが可能な断熱材を上下方向に設けるとともに、前記断熱材の左右両側に保護カバーで覆われたことを特徴とする。 - 特許庁

Abrasive solution comprises a conductor oxidizing agent, an metal oxide dissolvent, a protective film forming agent, and water, its polishing rate ratio of metal to a barrier layer (barrier layer/metal) is 1 or above, and its polishing rate ratio of a barrier layer to an insulating film layer (barrier layer/insulating film layer) is 10 or above.例文帳に追加

導体の酸化剤、酸化金属溶解剤、保護膜形成剤及び水を含有する研磨液であり、金属とそのバリア層の研磨速度比（バリア層／金属）が１以上であり、バリア層と絶縁膜層（バリア層／絶縁膜層）の研磨速度比が１０以上である金属用研磨液。 - 特許庁

A magnetic head having a structure produced by laminating a substrate, ferromagnetic material 3, magnetic coil 1 embedded in an insulating material and transparent insulating protective layer is disposed in such a manner that the ferromagnetic material 3 is placed in the opposite side to the face of the magnetic coil 1 facing an optical disk medium.例文帳に追加

基板、強磁性体３、絶縁体中に埋設された磁気コイル１、及び、透明絶縁保護層の順で積層した構造からなる磁気ヘッドを、磁気コイル１の光ディスク媒体と対向する面と反対側に強磁性体３が位置するように配置する。 - 特許庁