「"protective insulating～"」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

A TFT substrate 1 has a structure such that the protective insulating film 40 of a control capacity portion 42, where a control capacitor is formed and the protective insulating film 40 of an auxiliary capacity portion 43, where an auxiliary capacitor is formed are less in film thickness than a protective insulating film 40 covering a TFT 5 etc.例文帳に追加

ＴＦＴ基板１は、制御容量が形成される制御容量部４２の保護絶縁膜４０、及び補助容量が形成される補助容量部４３の保護絶縁膜４０の膜厚が、ＴＦＴ５等を覆う保護絶縁膜４０の膜厚に比べて薄く形成された構造を有している。 - 特許庁

Subsequently, an upper part protective insulating film 14b is formed on the lower part protective insulating film 14a by a plasma CVD method containing a plasma of silane and nitrogen or ammonia to thereby form a protective insulating film 14 made of the lower and upper part insulating films 14a and 14b.例文帳に追加

続いて、下部保護絶縁膜１４ａの上に、シラン及び窒素又はアンモニアのプラズマを含むプラズマＣＶＤ法により、上部保護絶縁膜１４ｂを成膜して、下部保護絶縁膜１４ａ及び上部保護絶縁膜１４ｂからなる保護絶縁膜１４を形成する。 - 特許庁

To provide a component for semiconductor package which is manufactured employing a protective insulating material (non-photosensitive protective insulating material) containing no photosensitivity developing material, and has a protective insulating layer with a highly precise fine pattern which can not be formed by a printing method, and to provide a manufacturing method of such a component for semiconductor package.例文帳に追加

感光性発現物質を含まない保護絶縁材料（非感光性の保護絶縁材料）を使用して製造される、印刷法では形成できない高精度の微細パターンの保護絶縁層を備えた半導体パッケージ用部品と、そのような半導体パッケージ用部品の製造方法を提供すること。 - 特許庁

In the semiconductor device, the protective insulating film may include silicon and nitrogen.例文帳に追加

上記半導体装置において、保護絶縁膜は、シリコンおよび窒素を含有できる。 - 特許庁

The indium tin oxide layer and a pixel electrode layer are deposited at different positions on the protective insulating layer.例文帳に追加

前記インジウムスズ酸化物層と画素電極層は、保護絶縁層上の異なる位置に堆積する。 - 特許庁

A 2nd storage capacitor comprises a 2nd metal layer, a protective insulating layer, and an indium tin oxide layer.例文帳に追加

第二蓄積コンデンサは、第二金属層、保護絶縁層と、インジウムスズ酸化物層より形成される。 - 特許庁

The protective insulating film consists of a silicon nitride film 103 and a silicon oxide film.例文帳に追加

保護絶縁膜は、シリコン窒化膜１０３及びシリコン酸化膜から構成されている。 - 特許庁

Protective insulating layers on the conductive layers disposed on the inside surface of the panels can be eliminated.例文帳に追加

パネルの内表面に配置される導電層上の保護絶縁層はなくすことができる。 - 特許庁

Further, the pixel electrode 10 is covered with the transparent protective insulating film 13.例文帳に追加

また、画素電極１０は、透明性を有する保護絶縁膜１３により、覆われている。 - 特許庁

A protective insulating film 13 is formed on a semiconductor substrate 11 and a first resist pattern 51 opening the memory circuit 1A of the semiconductor substrate 11 is formed on the formed protective insulating film 13.例文帳に追加

半導体基板１１上に保護絶縁膜１３を形成し、形成した保護絶縁膜１３の上に、半導体基板１１の記憶回路部１Ａを開口する第１のレジストパターン５１を形成する。 - 特許庁

Additionally, at least a surface of a side of a step portion between the first electrode pad 420 and the second electrode pad 440 is formed from an insulating film (a protective insulating film 260 or a protective insulating film 500).例文帳に追加

また、第一電極パッド４２０と第二電極パッド４４０との間の段差部のうち、側面の少なくとも表面は、絶縁膜（保護絶縁膜２６０または保護絶縁膜５００）で形成されている。 - 特許庁

Then, an electrode protective insulating film 9 is formed so as to cover the gate electrode 5, and the entire surface of a surface layer of the electrode protective insulating film 9 is washed with dilute fluorinated acid and is removed by etching.例文帳に追加

次に、ゲート電極５を覆うように電極保護絶縁膜９を形成し、この電極保護絶縁膜９の表層部の全面を希フッ酸により洗浄してエッチング除去する。 - 特許庁

A second protective insulating layer 19 is formed under upper bus electrodes 16 and 17 to serve as a current feeder line to the upper electrode 13 of the thin-film type electron source array, and any defects of a protective insulating layer 14 to restrict an electron emission part are covered with the insulating layer 19.例文帳に追加

薄膜型電子源アレイの上部電極１３への給電線となる上部バス電極１６、１７の下に、第２保護絶縁層１９を形成し、電子放出部を制限する保護絶縁層１４の欠陥を被覆する。 - 特許庁

To prevent damages in the formed state of lower electrodes when upper electrodes are formed without introducing a process of forming a protective insulating layer.例文帳に追加

上部電極を形成する際に、保護用絶縁層形成の工程導入をせずに、下部電極の形成状態の損傷を防止する。 - 特許庁

Consequently, a protective insulating film covering the capacitor upper electrode and the dielectric film therebelow is formed with a good coverage.例文帳に追加

これにより、キャパシタ上部電極とその下の誘電体膜を覆う保護絶縁膜をカバレッジ良く形成することができる。 - 特許庁

The protective insulating film 14 is formed from an upper part of the semiconductor substrate 11 to an upper surface of the lower layer electrode 13 and forms an aperture part.例文帳に追加

保護絶縁膜１４は、半導体基板１１の上から下層電極１３の上面の上に亘って設けられ、開口部を形成している。 - 特許庁

A silicide layer 18a is formed on a region excluding the corner 16a out of the source-drain region 16 by this protective insulating film 17.例文帳に追加

この保護絶縁膜１７によって、ソース・ドレイン領域１６のうちコーナー部１６ａを除く領域上にシリサイド層１８ａを形成する。 - 特許庁

The selection wiring 89 is embedded in a protective insulating film 32 and a planarizing film 33 on the surface of the transistor array substrate 50.例文帳に追加

選択配線８９はトランジスタアレイ基板５０の表面の保護絶縁膜３２及び平坦化膜３３に埋設されている。 - 特許庁

There is formed a protective insulating film 17 which covers the element isolation region 12 and a corner 16a of the source-drain region 16.例文帳に追加

そして、素子分離領域１２及びソース・ドレイン領域１６のコーナー部１６ａを覆う保護絶縁膜１７が形成されている。 - 特許庁

The via hole is formed by etching the gate insulating layer and protective insulating layer in an etching step of one insulating layer.例文帳に追加

前記バイアホールは、１つの絶縁層のエッチングステップによって、前記ゲート絶縁層と前記保護絶縁層をエッチングして形成される。 - 特許庁

The semiconductor device 100 has an electrode pad 2 and a protective insulating film 3 in which an opening 3a for exposing the electrode pad 2 is formed.例文帳に追加

半導体装置１００は、電極パッド２と、電極パッド２を露出させる開口３ａが形成された保護絶縁膜３を有する。 - 特許庁

To reduce a wave (ripple) of output of a photoelectric conversion device at a wavelength of incident light without changing a structure of a protective insulating film.例文帳に追加

光電変換装置において、保護絶縁膜の構造を変えることなく、入射光の波長に対しての出力の波（リップル）を低減する。 - 特許庁

An upper insulating layer 2 and a protective insulating layer 3 are laminated on each conductive layer 1 to form a lamination structure.例文帳に追加

各導電層１上には上層絶縁層２と保護絶縁層３とが積層して積層構造が形成されている。 - 特許庁

Then a protective insulating film 5 is formed on the insulating layer 1 to cover a predetermined area of the seed layer 2 and conductor pattern 4.例文帳に追加

そして、シード層２および導体パターン４の所定領域を覆うように、絶縁層１上に保護絶縁膜５が形成される。 - 特許庁

The sidewall protective insulating layer 14 includes an insulating film with excellent adhesive properties between the substrate 11 and the adhesion layer 12.例文帳に追加

側壁保護絶縁層１４は基板１１および密着層１２との密着性に優れた絶縁膜により成る。 - 特許庁

Using photosensitive black pigment scattering resin for the protective insulating layer, a BM function and a PS (Photo-Spacer) function are provided for the substrate for the display device.例文帳に追加

また、保護絶縁層に感光性黒色顔料分散樹脂を用いて、ＢＭ機能とＰＳ機能を表示装置用基板に付与する。 - 特許庁

In such a manner, it is possible to eliminate the processes of photo- resist deposition, pattern exposure, and development which have been necessary for patterning the protective insulating film in the conventional art.例文帳に追加

これにより従来保護絶縁膜のパターニングに必要としていたフォトレジスト成膜、パターン露光、現像工程を削減できる。 - 特許庁

Hereby, a carrier trap introduced into the gate insulating film 4 and the electrode protective insulating film 9 is removed.例文帳に追加

これにより、ゲート絶縁膜４及び電極保護絶縁膜９内に導入されたキャリアトラップを除去する。 - 特許庁

After the entire layer structure of the thin film transistor array is formed, an opening is formed at a desired position in a protective insulating film 19 in the uppermost layer.例文帳に追加

薄膜トランジスタアレイにおける全ての層構造を形成後、最上層の保護絶縁膜１９の所望の位置に開口部を設ける。 - 特許庁

The outer peripheral surface of the metal connecting part 30a exposed inside the lateral groove part 18 is covered with a protective insulating layer 41.例文帳に追加

そして横方向溝部１８内にて現れる金属接合部３０ａの外周表面が保護絶縁層４１により覆われている。 - 特許庁

To improve adhesibility by forming an adhesion layer, between an inter-metal interlayer insulating film and a protection insulating film, and to prevent a protective insulating film from peeling off near the outer periphery of a semiconductor substrate.例文帳に追加

メタル層間絶縁膜と保護絶縁膜との間に接着層を形成することにより、密着性を向上させる。 - 特許庁

To provide a semiconductor device manufacturing method which is capable of forming a protective insulating layer, without having to deteriorate the characteristics of a semiconductor device.例文帳に追加

半導体装置の特性を劣化させることなく保護絶縁層を形成することのできる半導体装置の製造方法を得る。 - 特許庁

The feed wiring 90 is embedded in the protective insulating film 32 and the planarizing film 33 and is provided projectingly from the surface of the flat film 33.例文帳に追加

給電配線９０は保護絶縁膜３２及び平坦化膜３３に埋設されているとともに、平坦化膜３３の表面から凸設されている。 - 特許庁

A protective insulating film 14 is deposited on a field effect transistor provided on a semiconductor substrate 10, and a contact plug 15 whose lower end is connected to the impurity diffused layer 13 is formed in the protective insulating film 14.例文帳に追加

半導体基板１０上に形成された電界効果型トランジスタの上には保護絶縁膜１４が堆積されており、該保護絶縁膜１４中には、下端部が電界効果型トランジスタの不純物拡散層１３と接続するコンタクトプラグ１５が形成されている。 - 特許庁

The thin film capacitor 20 comprising a capacitor 30 including a dielectric layer 13 consisting of a metal oxide, and a protective insulating layer 16 consisting of resin, has a barrier layer 15 consisting of a non-conductive organic material between the capacitor 30 and the protective insulating layer 16.例文帳に追加

金属酸化物からなる誘電体層１３を有するキャパシタ３０と、樹脂材からなる保護絶縁層１６と、を有する薄膜キャパシタ２０において、前記キャパシタ３０と前記保護絶縁層１６との間に、非導電性無機質材料からなるバリア層１５を設ける。 - 特許庁

After the first protective insulating film 18 composed of silicon oxide is eliminated, a second protective insulating film 22 composed of silicon oxide is deposited on the entire surface of the substrate 11 including a stacked cell electrode 17, with a CVD method at a relatively low temperature of approximately 480°C.例文帳に追加

その後、酸化シリコンからなる第１の保護絶縁膜１８を除去した後、堆積温度が約４８０℃の比較的低温のＣＶＤ法により、基板１１上にスタックセル電極１７を含む全面にわたって酸化シリコンからなる第２の保護絶縁膜２２を堆積する。 - 特許庁

The capacitor lower electrode 109 and an impurity diffusion layer 105 of the first FET are connected to a first contact plug 107, formed on the first protective insulating film 106, and the capacitor upper electrode 111 and an impurity diffusion layer 105 of the second FET are connected by a second contact plug 108, formed on the first protective insulating film 106.例文帳に追加

容量下部電極１０９と第１の電界効果型トランジスタの不純物拡散層１０５とは第１の保護絶縁膜１０６に形成された第１のコンタクトプラグ１０７により接続され、容量上部電極１１１と第２の電界効果型トランジスタの不純物拡散層１０５とは第１の保護絶縁膜１０６に形成された第２のコンタクトプラグ１０８により接続されている。 - 特許庁

In this device, a first protective insulating film 106 is deposited on a first and second FETs formed on a semiconductor substrate 100, and a capacitor lower electrode 109, an capacitor insulating film 110A composed of an insulating metal oxide film; and a capacitor element comprising a capacitor upper electrode 111 is formed on the first protective insulating film 106.例文帳に追加

半導体基板１００上に形成された第１及び第２の電界効果型トランジスタの上には第１の保護絶縁膜１０６が堆積されており、該第１の保護絶縁膜１０６の上には、容量下部電極１０９、絶縁性金属酸化膜からなる容量絶縁膜１１０Ａ及び容量上部電極１１１からなる容量素子が形成されている。 - 特許庁

To provide a liquid crystal display device capable of preventing a protective insulating film from abnormally being grown even when an amorphous conductive film is patterned in a specified shape by using a specified etchant and the protective insulating film is formed so as to cover the patterned conductive film.例文帳に追加

本発明は、非晶質の導電性膜を所定のエッチャントを用いて、所定の形状にパターニングし、当該パターニングされた導電性膜を覆うように保護絶縁膜を形成したとしても、当該保護絶縁膜の異常成長を防止することができる、液晶表示装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

A lower part protective insulating film 14a for covering the lower part of the metal wiring 13 is then formed on the semiconductor substrate 11 by a plasma CVD method not containing a plasma of nitrogen and ammonia.例文帳に追加

次に、窒素及びアンモニアのプラズマを含まないプラズマＣＶＤ法により、半導体基板１１の上に金属配線１３を覆う下部保護絶縁膜１４ａを成膜する。 - 特許庁

Thereafter, with the first resist pattern 51 as a mask, by implanting boron ions through the protective insulating film 13 to the semiconductor substrate 11, a first P well 14 is formed.例文帳に追加

その後、第１のレジストパターン５１をマスクとして、半導体基板１１に、保護絶縁膜１３を介してホウ素イオンを注入することにより第１のＰウエル１４を形成する。 - 特許庁

Through reaction of oxygen and silica in the oxidation treatment (sacrifice oxidation) after heating treatment under the nitrogen atmosphere, contaminants comes into a condition where it is held in the protective insulating film 5, so that contamination from the ion implanting part is restrained.例文帳に追加

汚染物質は窒素雰囲気下での加熱処理とその後の酸化処理（犠牲酸化）による酸素および珪素との反応を経て、保護絶縁膜５中に保持された状態となり、イオン注入部分からの汚染を抑えることができる。 - 特許庁

To prevent a shape failure caused in miniaturized metal wiring when a protective insulating film for protecting the fine metal wiring is made of an insulating film containing nitrogen.例文帳に追加

本発明は、前記従来の問題を解決し、微細化した金属配線を保護する保護絶縁膜を窒素を含む絶縁膜により成膜する際に、該金属配線に生じる形状不良を防止できるようにする。 - 特許庁

A low resistance source region 19 and a first drain region 21A are successively formed on a substrate 11, by selectively implanting high concentration arsenic ions into the substrate through a first protective insulating film 18 to provide a shallow junction.例文帳に追加

基板１１に、第１の保護絶縁膜１８を介して高濃度砒素イオンを浅接合となるように選択的に注入することにより、低抵抗のソース領域１９及び第１のドレイン領域２１Ａを順次形成する。 - 特許庁

The protective insulating film formed with the good coverage has a high capacitor protecting function and then prevent the capacitor from deteriorating owing to a reduced element to improve the capacitor characteristics.例文帳に追加

カバレッジ良く形成された保護絶縁膜は、キャパシタ保護機能が高くなるので、キャパシタの還元元素による劣化を防止して、キャパシタ特性を向上することができる。 - 特許庁