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Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > semiconductor interfacesに関連した英語例文

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semiconductor interfacesの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 56件



例文

This semiconductor integrated circuit device has an emulation control part making one of two data transmitting/receiving interfaces (IFs) execute operation for emulating the IF of a connection partner having the different operation specification when the two IFs among a plurality of IFs are connected by a transmission line inside an LSI having the plurality of IFs for transferring data with outside.例文帳に追加

外部とのデータ送受信用インターフェース(IF)を複数備えたLSIの内部に、複数のIFのうちの2つのIFが伝送線によって接続された時、2つのIFのうちの一方に、動作仕様が異なる接続相手先のIFをエミュレートする動作を実行させるエミュレート制御部を備える。 - 特許庁

To provide a novel heterogeneous composite material as a means for providing a desirous separation in interfaces between nano-particles and a matrix and also providing a narrow distribution of nano-particle sizes, the composite material having a system of bidirectional reaction consisting of oxidation and reduction in a heat-treatment and also having dispersed semiconductor particles which are thermodynamically less likely to mix and nanometer-scaled.例文帳に追加

ナノ粒子及びマトリクス界面の良好な分離及びナノ粒子サイズ狭分布化を実現する手段として、熱処理における酸化及び還元からなる双方向性の反応系を有し、かつ、熱力学的に混ざりにくくナノスケール化された半導体粒子が分散する異種複合材料を新規に提供する。 - 特許庁

Since positive holes generated in a manufacturing process are dispersed and captured on two interfaces of the three-layer light transparent film, electric field strength in the vicinity of a surface of the p-type semiconductor layer 102 is made smaller than the conventional case, generation of inversion of conductivity type is made little, and the leakage current between the light receiving part can be reduced.例文帳に追加

この3層の光透過性膜の2つの界面に、製造工程で生じた正孔が分散して捕獲されるので、P型半導体層102の表面付近における電界強度が従来より小さくなり、導電型の反転が少なくなって、受光部間のリーク電流が少なくできる。 - 特許庁

Output driver ICs 2A, 2B each comprise output drivers 22 provided with power transistors for a plurality of channels, serial communication interfaces 23 for establishing serial communications with the microcomputer, and timer circuits 20A, 20B for producing pulse-duration modulation signals and pulse signals, and those parts are constituted as an integrated semiconductor circuit.例文帳に追加

出力ドライバIC2A,2Bは、複数チャネル分のパワートランジスタを備える出力ドライバ22と、マイコンとシリアル通信を行うシリアル通信インタフェース23と、パルス幅変調信号やパルス信号を生成するタイマ回路20A,20Bを備え、これらが集積化された半導体回路として構成される。 - 特許庁

例文

One or more of the passivation layers 18, 20 can be removed using interfaces between the layers as the etch stop so that a distance between a gate terminal 38 and the semiconductor device layer 14 can be tightly controlled, where the distance can be made very small to improve device performance and reduce the gate current leakage.例文帳に追加

層の間の境界面をエッチストップとして使用することにより1つ又はより多くの不動態化層18、20を除去し、ゲート端子38と半導体デバイス層14間の距離を正確に制御することができるようにし、この距離はデバイスの性能を向上させ且つゲート電流の漏れを減少させるよう極めて短くすることができる。 - 特許庁


例文

In the semiconductor integrated circuit device having a through-hole electrode, when a through-via is formed after forming a pre-metal wiring layer, a silicon nitride type insulation film is used as a metal diffusion prevention film at an interface of an interlayer insulation film located at the upper end of the through-hole electrode, and a silicon carbide type insulation film is used as the metal diffusion prevention film at other interfaces of the interlayer insulation films.例文帳に追加

本願の一つの発明は、貫通電極を有する半導体集積回路装置において、プリメタル配線層形成よりも後に貫通ビアを形成する場合において、貫通電極の上端に当たる層間絶縁膜の界面に、メタル拡散防止絶縁膜として、窒化シリコン系絶縁膜を使用し、それ以外の層間絶縁膜の界面に、メタル拡散防止絶縁膜として、炭化シリコン系の絶縁膜を使用するものである。 - 特許庁




  
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