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semiconductor interfacesの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 56件
Since positive holes generated in a manufacturing process are dispersed and captured on two interfaces of the three-layer light transparent film, electric field strength in the vicinity of a surface of the p-type semiconductor layer 102 is made smaller than the conventional case, generation of inversion of conductivity type is made little, and the leakage current between the light receiving part can be reduced.例文帳に追加
この3層の光透過性膜の2つの界面に、製造工程で生じた正孔が分散して捕獲されるので、P型半導体層102の表面付近における電界強度が従来より小さくなり、導電型の反転が少なくなって、受光部間のリーク電流が少なくできる。 - 特許庁
The microprocessor for use in a personal computer or the like comprises a bus state controller BSC which includes control registers such as wait control registers WCR1 and WCR2 and is capable of parallelly controlling interfaces of various semiconductor memories such as a ROM, a burst ROM, a SRAM, a PSRAM, a DRAM and a synchronous DRAM and PC cards such as memory and I/O cards.例文帳に追加
パーソナルコンピュータ等に内蔵されるマイクロプロセッサに、ウェイトコントロールレジスタWCR1及びWCR2等のコントロールレジスタを含みかつROM,バーストROM,SRAM,PSRAM,DRAM及びシンクロナスDRAM等の各種半導体メモリやメモリカード及びI/Oカード等のPCカードのインターフェイスを並行制御しうるバスステートコントローラBSCを設ける。 - 特許庁
The battery system electrically connects in parallel an electronic device having a rectifying function such as a rectifier and the like, and rectifying units 30A to 30F comprising at least one of rectifying interfaces such as metal/semiconductor interface and the like, to each of unit cells 10A to 10F electrically connected in series.例文帳に追加
電気的に直列に接続された単位セル10A〜10Fの各々に対して、整流器などの整流機能を有する電子素子、および、金属−半導体界面などの整流作用を有する界面のうち少なくとも一方よりなる整流部30A〜30Fを、電気的に並列に接続する。 - 特許庁
Output driver ICs 2A, 2B each comprise output drivers 22 provided with power transistors for a plurality of channels, serial communication interfaces 23 for establishing serial communications with the microcomputer, and timer circuits 20A, 20B for producing pulse-duration modulation signals and pulse signals, and those parts are constituted as an integrated semiconductor circuit.例文帳に追加
出力ドライバIC2A,2Bは、複数チャネル分のパワートランジスタを備える出力ドライバ22と、マイコンとシリアル通信を行うシリアル通信インタフェース23と、パルス幅変調信号やパルス信号を生成するタイマ回路20A,20Bを備え、これらが集積化された半導体回路として構成される。 - 特許庁
One or more of the passivation layers 18, 20 can be removed using interfaces between the layers as the etch stop so that a distance between a gate terminal 38 and the semiconductor device layer 14 can be tightly controlled, where the distance can be made very small to improve device performance and reduce the gate current leakage.例文帳に追加
層の間の境界面をエッチストップとして使用することにより1つ又はより多くの不動態化層18、20を除去し、ゲート端子38と半導体デバイス層14間の距離を正確に制御することができるようにし、この距離はデバイスの性能を向上させ且つゲート電流の漏れを減少させるよう極めて短くすることができる。 - 特許庁
In the semiconductor integrated circuit device having a through-hole electrode, when a through-via is formed after forming a pre-metal wiring layer, a silicon nitride type insulation film is used as a metal diffusion prevention film at an interface of an interlayer insulation film located at the upper end of the through-hole electrode, and a silicon carbide type insulation film is used as the metal diffusion prevention film at other interfaces of the interlayer insulation films.例文帳に追加
本願の一つの発明は、貫通電極を有する半導体集積回路装置において、プリメタル配線層形成よりも後に貫通ビアを形成する場合において、貫通電極の上端に当たる層間絶縁膜の界面に、メタル拡散防止絶縁膜として、窒化シリコン系絶縁膜を使用し、それ以外の層間絶縁膜の界面に、メタル拡散防止絶縁膜として、炭化シリコン系の絶縁膜を使用するものである。 - 特許庁
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