「semiconductor-layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(3ページ目) - Weblio英語例文検索

The semiconductor layer 16 has a first semiconductor layer 12 and a second semiconductor layer 14 that is provided on the first semiconductor layer 12 and has a wider band gap than the first semiconductor layer 12.例文帳に追加

半導体層１６は、第１半導体層１２と、第１半導体層１２上に設けられているとともに第１半導体層１２よりもバンドギャップが広い第２半導体層１４を有している。 - 特許庁

GROWTH METHOD OF NITRIDE SEMICONDUCTOR LAYER例文帳に追加

窒化物半導体層の成長方法 - 特許庁

METHOD OF FORMING COMPOUND SEMICONDUCTOR LAYER例文帳に追加

化合物半導体層の形成方法 - 特許庁

FOR MANUFACTURING POLYCRYSTALLINE SEMICONDUCTOR LAYER METHOD例文帳に追加

多結晶半導体層の製造方法 - 特許庁

CRYSTAL SEMICONDUCTOR LAYER MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

結晶質半導体層の製造方法 - 特許庁

GROWTH METHOD FOR SEMICONDUCTOR CRYSTAL LAYER例文帳に追加

半導体結晶層の成長方法 - 特許庁

SEMICONDUCTOR LAYER FOR THIN FILM TRANSISTOR例文帳に追加

薄膜トランジスタのための半導体レイヤ - 特許庁

MULTI-LAYER CIRCUIT SUBSTRATE AND SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

多層回路基板及び半導体装置 - 特許庁

FORMATION OF CRYSTALLINE SEMICONDUCTOR LAYER例文帳に追加

結晶性半導体層の作成方法 - 特許庁

The first nitride semiconductor layer 102 is an undoped nitride semiconductor layer.例文帳に追加

第一の窒化物半導体層１０２は、アンドープの窒化物半導体層である。 - 特許庁

METHOD FOR PRODUCING OXIDE SEMICONDUCTOR LAYER例文帳に追加

酸化物半導体層の製造方法 - 特許庁

METHOD FOR MANUFACTURING NITRIDE SEMICONDUCTOR CRYSTAL LAYER AND NITRIDE SEMICONDUCTOR CRYSTAL LAYER例文帳に追加

窒化物半導体結晶層の製造方法及び窒化物半導体結晶層 - 特許庁

SEMICONDUCTOR LAYER STRUCTURE HAVING SUPERLATTICE例文帳に追加

超格子を有する半導体層構造 - 特許庁

PASTE FOR FORMING SEMICONDUCTOR POROUS LAYER例文帳に追加

半導体多孔質層形成用ペースト - 特許庁

The first semiconductor layer 21 directly contacts the second semiconductor layer 22.例文帳に追加

第１半導体層２１と第２半導体層２２は、直接接触している。 - 特許庁

EVALUATION METHOD OF SEMICONDUCTOR LAYER, AND EVALUATION EQUIPMENT OF SEMICONDUCTOR LAYER AND STORAGE DEVICE例文帳に追加

半導体層の評価方法、半導体層の評価装置及び記憶媒体 - 特許庁

SEMICONDUCTOR STRUCTURE HAVING PHOTODIODE LAYER例文帳に追加

フォトダイオード層を備える半導体構造 - 特許庁

A second semiconductor layer 15 is provided on a first semiconductor layer 13.例文帳に追加

第２の半導体層１５は第１の半導体層１３上に設けられる。 - 特許庁

SEMICONDUCTOR HETEROJUNCTION HAVING INTERMEDIATE LAYER例文帳に追加

中間層を含む半導体ヘテロ接合 - 特許庁

SEMICONDUCTOR ELEMENT HAVING CARRIER CONFINING LAYER例文帳に追加

キャリア閉込層を有した半導体素子 - 特許庁

The semiconductor light-emitting element includes an n-type semiconductor layer and an active layer, has a first p-type semiconductor layer between the n-type semiconductor layer and the active layer, and has a second p-type semiconductor layer at a side opposite to a side having the first p-type semiconductor layer when viewed from the active layer.例文帳に追加

ｎ型半導体層と、活性層と、を含み、ｎ型半導体層と活性層との間に第１のｐ型半導体層を備え、活性層から見て第１のｐ型半導体層がある側とは反対側に第２のｐ型半導体層を備えた半導体発光素子である。 - 特許庁

A semiconductor light-emitting element comprises a first semiconductor layer including an n-type semiconductor layer, a second semiconductor layer including a p-type semiconductor layer, and a light-emitting portion provided between the first semiconductor layer and the second semiconductor layer.例文帳に追加

実施形態によれば、ｎ形半導体層を含む第１半導体層と、ｐ形半導体層を含む第２半導体層と、前記第１半導体層と前記第２半導体層との間に設けられた発光部と、を備えた半導体発光素子が提供される。 - 特許庁

The semiconductor integrated circuit has a multilayered structure, and comprises a first semiconductor layer, first semiconductor layer transistor formed in the first semiconductor layer, interconnection layer deposited on the first semiconductor layer and is formed with a metal interconnection, second semiconductor layer deposited on the interconnection layer, and second semiconductor layer transistor formed in the second semiconductor layer.例文帳に追加

多層構造で構成される半導体集積回路であって、第１半導体層と、第１半導体層に形成された第１半導体層トランジスタと、第１半導体層上に堆積され、金属配線が形成された配線層と、配線層上に堆積された第２半導体層と、第２半導体層に形成された第２半導体層トランジスタとを備える。 - 特許庁

METHOD OF GROWING SEMICONDUCTOR LAYER AND SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE例文帳に追加

半導体層の成長方法および半導体発光素子 - 特許庁

A semiconductor laminate 17 includes a gallium nitride semiconductor layer 25.例文帳に追加

半導体積層１７は、窒化ガリウム半導体層２５を含む。 - 特許庁

POWERING SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR FORMING SEMICONDUCTOR LAYER例文帳に追加

電力用半導体素子及び半導体層の形成方法 - 特許庁

GROWING METHOD FOR COMPD. SEMICONDUCTOR LAYER AND SEMICONDUCTOR LASER例文帳に追加

化合物半導体層の成長方法および半導体レーザ - 特許庁

The semiconductor layer 11 includes an n-type semiconductor layer, an active layer thereupon, and a p-type semiconductor layer further thereupon, and the Ni ultrathin film 12 is formed in contact with the p-type semiconductor layer.例文帳に追加

半導体層１１はｎ型半導体層、その上の活性層およびその上のｐ型半導体層を含み、このｐ型半導体層に接してＮｉ超薄膜１２を形成する。 - 特許庁

By the buffer layer interposed between the semiconductor layer and the source electrode layer, and between the semiconductor layer and the drain electrode layer using compound semiconductor material; the conductivity between the semiconductor layer and the source electrode layer, and between the semiconductor layer and the drain electrode layer is improved enabling electrically good connection.例文帳に追加

化合物半導体材料を用いた半導体層とソース電極層及びドレイン電極層との間に介在するバッファ層によって、半導体層とソース電極層及びドレイン電極層との導電性は向上し、電気的に良好な接続を行うことができる。 - 特許庁

The first layer is one of a dielectric layer and an organic semiconductor layer, and the second layer is the other of the dielectric layer and the organic semiconductor layer.例文帳に追加

第１の層は誘電体層と有機半導体層のうちの一方であり、かつ第２の層は誘電体層と有機半導体層のうちの他方である。 - 特許庁

According to an embodiment, a semiconductor light-emitting element comprises a foundation layer, a first semiconductor layer, a light-emitting layer and a second semiconductor layer.例文帳に追加

実施形態によれば、下地層と、第１半導体層と、発光層と、第２半導体層と、を備えた半導体発光素子が提供される。 - 特許庁

Here is disclosed a light-emitting diode including an n-type semiconductor layer, an active layer, a p-type semiconductor layer, and a transparent electrode layer.例文帳に追加

ｎ型半導体層、活性層、ｐ型半導体層、及び透明電極層を備える発光ダイオードが開示される。 - 特許庁

The layer can be brought into a single layer of semiconductor nanocrystals.例文帳に追加

該層は、半導体ナノクリスタルの単層にすることができる。 - 特許庁

The metal layer extends from an upper surface of the third semiconductor layer.例文帳に追加

金属層は、第３半導体層の上面から延びる。 - 特許庁

The second electrode layer is provided on the second semiconductor layer.例文帳に追加

第２電極層は、第２半導体層の上に設けられる。 - 特許庁

The light-emitting layer includes an active layer of a nitride semiconductor.例文帳に追加

前記発光層は、窒化物半導体の活性層を含む。 - 特許庁

The second electrode layer is in electrical conduction with the first semiconductor layer.例文帳に追加

第２電極層は、第１半導体層と導通する。 - 特許庁

In the semiconductor layer manufacturing method, a semiconductor is irradiated with a laser for manufacturing the semiconductor layer.例文帳に追加

半導体にレーザ照射して半導体層を製造する半導体層の製造方法が提供される。 - 特許庁

COMPOSITION FOR POLISHING SEMICONDUCTOR LAYER例文帳に追加

半導体層を研磨するための組成物 - 特許庁

METHOD OF FORMING NITRIDE SEMICONDUCTOR LAYER例文帳に追加

窒化物系半導体層の形成方法 - 特許庁

On the void-containing layer, a semiconductor device layer is formed, which includes an n-type semiconductor layer and a p-type semiconductor layer each made of a group III nitride-based compound semiconductor.例文帳に追加

空洞含有層の上に、III族窒化物系化合物半導体からなるｎ型半導体層およびｐ型半導体層を含む半導体デバイス層を形成する。 - 特許庁

INSPECTING METHOD AND APPARATUS FOR SEMICONDUCTOR LAYER例文帳に追加

半導体層の検査方法および装置 - 特許庁

SEMICONDUCTOR ELEMENT EPITAXIAL LAYER SEPARATING METHOD例文帳に追加

半導体素子のエピタキシャル層分離方法 - 特許庁

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MULTI-LAYER WIRING SUBSTRATE例文帳に追加

半導体装置および多層配線基板 - 特許庁

METHOD OF MANUFACTURING NITRIDE-BASED SEMICONDUCTOR LAYER例文帳に追加

窒化物系半導体層の製造方法 - 特許庁