「semiconductor-layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(6ページ目) - Weblio英語例文検索

SEMICONDUCTOR LAYER MANUFACTURING METHOD AND SEMICONDUCTOR LAYER MANUFACTURING DEVICE AND SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURED BY USING THESE例文帳に追加

半導体層製造方法および半導体層製造装置ならびにこれらを用いて製造される半導体デバイス - 特許庁

It is preferable that the semiconductor light-emitting element includes an n-type semiconductor layer formed between the substrate and the p-type semiconductor layer.例文帳に追加

ここで、基板とｐ型半導体層との間に設置されたｎ型半導体層を含むことが好ましい。 - 特許庁

In a body 3 of the semiconductor device 1, a semiconductor layer 33 and a second semiconductor layer 34 are laminated and a channel region 36 is formed in the side of the semiconductor layer 33 on an interface between the semiconductor layer 33 and the second semiconductor layer 34.例文帳に追加

半導体デバイス１において、本体部３では、半導体層３３と第２の半導体層３４とが積層し、半導体層３３と第２の半導体層３４との間の界面の半導体層３３側にチャネル領域３６が形成される。 - 特許庁

The transistor includes a gate insulating layer at least whose uppermost surface is a silicon nitride layer, a semiconductor layer over the gate insulating layer, and a buffer layer over the semiconductor layer, and the concentration of nitrogen in the vicinity of an interface between the semiconductor layer and the gate insulating layer in the semiconductor layer is lower than that of the buffer layer and other parts of the semiconductor layer.例文帳に追加

少なくとも最表面が窒化シリコン層であるゲート絶縁層と、前記ゲート絶縁層上に設けられた半導体層と、前記半導体層上にバッファ層を有し、該半導体層中のゲート絶縁層との界面近傍における窒素の濃度は、半導体層の他の部分及びバッファ層よりも低い薄膜トランジスタを作製する。 - 特許庁

In a method for manufacturing a semiconductor light emitting device, at least a first conductivity type semiconductor layer, an activity layer and a second conductivity type semiconductor layer are laminated on a substrate.例文帳に追加

基板上に、少なくとも、第１の導電型の半導体層と活性層と第２の導電型の半導体層を積層する。 - 特許庁

In a semiconductor optical device, a compound semiconductor layer is laminated which includes an etching stop layer 32 and an active layer 36 and is laminated on a semiconductor substrate 2.例文帳に追加

半導体基板２に積層された、エッチング停止層３２と活性層３６とを含む化合物半導体層を積層する。 - 特許庁

A semiconductor light-emitting element includes a substrate layer, a first semiconductor layer, a light-emitting part, and a second semiconductor layer.例文帳に追加

実施形態によれば、下地層と、第１半導体層と、発光部と、第２半導体層と、を備えた半導体発光素子が提供される。 - 特許庁

The rectifying element is the p-i-n diode comprising a p-type semiconductor layer, an n-type semiconductor layer, and an intrinsic semiconductor layer between them.例文帳に追加

整流素子は、p型半導体層、n型半導体層及びこれらの間の真性半導体層から構成されるp-i-nダイオードである。 - 特許庁

The group III nitride semiconductor multilayer structure 2 includes: a light-emitting layer 10; an n-type semiconductor layer 11; and a p-type semiconductor layer 12.例文帳に追加

III族窒化物半導体積層構造２は、発光層１０と、ｎ型半導体層１１と、ｐ型半導体層１２とを備えている。 - 特許庁

A semiconductor light-emitting element includes a substrate layer, a first semiconductor layer, a light-emitting part, and a second semiconductor layer.例文帳に追加

実施形態によれば、下地層と、第１半導体層と、発光部と、第２半導体層と、を含む半導体発光素子が提供される。 - 特許庁

The semiconductor light emitting device is provided with a p-type semiconductor layer and an n-type semiconductor layer interposing an active layer and mutually joined.例文帳に追加

半導体発光素子は、活性層を介在させて互いに接合されたｐ型半導体層とｎ型半導体層とを備える。 - 特許庁

A semiconductor light-emitting element comprises a light-emitting layer, a light-transmitting layer, and a semiconductor layer.例文帳に追加

実施形態によれば、発光層と、透光層と、半導体層と、を備えた半導体発光素子が提供される。 - 特許庁

The second semiconductor layer is provided at a side opposite to the surface, where the first semiconductor layer abuts on the gate insulating layer.例文帳に追加

第２の半導体層は、第１の半導体層がゲート絶縁層と接する面とは反対側に設けられる。 - 特許庁

On the n-type semiconductor layer 12 for the protection element, an active layer and a p-type semiconductor layer 13 are layered.例文帳に追加

保護素子用のｎ型半導体層１２には、活性層及びｐ型半導体層１３を積層してある。 - 特許庁

The first semiconductor layer is a light-absorbing layer, positioned on a light incident side rather than the second semiconductor layer.例文帳に追加

第１の半導体層は、第２の半導体層よりも光入射側に位置する光吸収層である。 - 特許庁

A semiconductor upper layer having a quantum well layer sandwiched between electron barrier layers is formed on the semiconductor lower layer.例文帳に追加

半導体下層の上に、電子障壁層に挟まれた量子井戸層を有する半導体上層を備えている。 - 特許庁

The second n-type semiconductor layer 19 is formed between the active layer 15 and the p-type semiconductor layer 17.例文帳に追加

第２のｎ型半導体層１９は、活性層１５とｐ型半導体層１７との間に設けられている。 - 特許庁

An n^+-type 3rd semiconductor layer 14 is formed on a part of the surface layer part of the 2nd semiconductor layer 13.例文帳に追加

第２の半導体層１３の表層部の一部にＮ^＋型の第３の半導体層１４が設けられている。 - 特許庁

An n-type semiconductor layer 21 and a p-type semiconductor layer 23 are laminated on one surface of a support layer 1.例文帳に追加

ｎ型半導体層２１及びｐ型半導体層２３は、支持層１の一面上で積層されている。 - 特許庁

A second nitride semiconductor layer (7) is arranged on the first nitride semiconductor layer (6) and the conductor layer (10).例文帳に追加

第１の窒化物半導体層（６）と導電体層（１０）の上に第２の窒化物半導体層（７）を配置する。 - 特許庁

The semiconductor layer 120 is arranged on the substrate 110 while the minute rough layer 130 is arranged on the semiconductor layer 120.例文帳に追加

前記半導体層120は該基板上110に配置され、前記微細粗化層130は該半導体層120に配置されている。 - 特許庁

The light-emitting part is provided between the n-type semiconductor layer and the p-type semiconductor layer and includes a first light-emitting layer.例文帳に追加

発光部は、ｎ形半導体層とｐ形半導体層との間に設けられ、第１発光層を含む。 - 特許庁

An optical semiconductor element includes: a semiconductor film including a first semiconductor layer having a first conductive type, a second semiconductor layer having a second conductive type, and an active layer provided between the first semiconductor layer and the second semiconductor layer; a first electrode connecting with the first semiconductor layer; and a second electrode connecting with the second semiconductor layer and facing the first electrode.例文帳に追加

第一の導電型を有する第一半導体層と、第二の導電型を有する第二半導体層と、第一半導体層と第二半導体層との間に設けられた活性層と、を含む半導体膜と、第一半導体層に接続された第一電極と、第二半導体層に接続され且つ第一電極に対向する第二電極と、を含む。 - 特許庁

The p-side barrier layer is provided between the well layer and the p-type semiconductor layer.例文帳に追加

ｐ側障壁層は、井戸層とｐ形半導体層との間に設けられる。 - 特許庁

The semiconductor device 1 includes a semiconductor element layer 2, an interconnection layer 3, a polyimide layer 4, a first barrier layer 5, a copper interconnection 6, a second barrier layer 7, and an adhesive layer 8.例文帳に追加

半導体装置１は、半導体素子層２と、配線層３と、ポリイミド層４と、第１バリア層５と、銅配線６と、第２バリア層７と、接着層８とを備えている。 - 特許庁

The well layer is provided between the n-side barrier layer and the p-type semiconductor layer.例文帳に追加

井戸層は、ｎ側障壁層とｐ形半導体層との間に設けられる。 - 特許庁

A channel layer 11 is formed of a semiconductor layer, such as a zinc oxide ZnO layer.例文帳に追加

チャネル層１１は、例えば、酸化亜鉛ＺｎＯ等の半導体で形成される。 - 特許庁

The contact window is filled with the metal layer so that the metal layer contacts the semiconductor layer.例文帳に追加

金属層が、半導体層に接触するようにコンタクト・ウィンドウに充填される。 - 特許庁

The trench is buried in a first semiconductor layer.例文帳に追加

トレンチは第１半導体層に埋められる。 - 特許庁

METHOD OF MANUFACTURING COMPOUND SEMICONDUCTOR LAYER STRUCTURE例文帳に追加

化合物半導体層構造の製造方法 - 特許庁

SELECTIVE GROWTH METHOD OF NITRIDE SEMICONDUCTOR LAYER例文帳に追加

窒化物半導体層の選択成長方法 - 特許庁

MULTI-LAYER PRINTED WIRING BOARD AND SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

多層プリント配線板、及び半導体装置 - 特許庁

METHOD FOR PRODUCING NITRIDE SEMICONDUCTOR CRYSTAL LAYER例文帳に追加

窒化物半導体結晶層の製造方法 - 特許庁

METHOD OF FORMING PASSIVATION LAYER OF SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

半導体素子のパッシベーション層形成方法 - 特許庁

There are laminated on a p-type substrate 1 a p-type semiconductor layer 24, an n-type semiconductor layer 23, a p-type semiconductor layer 22, and an n-type semiconductor layer 21 to form a PNPN structure.例文帳に追加

ｐ型基板１上に、ｐ型半導体層２４，ｎ型半導体層２３，ｐ型半導体層２２，ｎ型半導体層２１が積層され、ＰＮＰＮ構造を形成している。 - 特許庁

To enable efficient distortion of a semiconductor layer.例文帳に追加

半導体層を効率的に歪ませること。 - 特許庁

MANUFACTURING METHOD OF THIN LAYER OF SEMICONDUCTOR MATERIAL例文帳に追加

半導体材料の薄層の製造方法 - 特許庁

SEMICONDUCTOR LAYER AND MANUFACTURE THEREOF例文帳に追加

半導体層と該半導体層の製造方法 - 特許庁

A semiconductor laser is provided with an active layer 6.例文帳に追加

半導体レーザは、活性層６を備える。 - 特許庁

An i-type Si semiconductor layer is disposed between an n-type Si semiconductor layer or p-type Si semiconductor layer and an i-type Si_xGe_1-x semiconductor layer (where 0≤x≤0.6).例文帳に追加

ｎ型Ｓｉ半導体層又はｐ型Ｓｉ半導体層とｉ型Ｓｉ_ｘＧｅ_１−ｘ半導体層（但し、０≦ｘ≦０．６）の間に、ｉ型Ｓｉ半導体層を配置することとした。 - 特許庁

The p-i-n diode has a diffusion prevention region on at least the end part of the intrinsic semiconductor layer side of the p-type semiconductor layer and the end part of the intrinsic semiconductor layer side of the n-type semiconductor layer.例文帳に追加

p-i-nダイオードは、少なくともp型半導体層の真性半導体層側の端部及びn型半導体層の真性半導体層側の端部に拡散防止領域を有する。 - 特許庁

The organic semiconductor layer 23 is composed of pentacene.例文帳に追加

有機半導体層２３は、ペンタセンからなる。 - 特許庁

The collector layer 20 includes a third semiconductor.例文帳に追加

コレクタ層２０は、第３の半導体を含む。 - 特許庁

A semiconductor layer is formed on a substrate, an ion is doped to the semiconductor layer, the semiconductor layer where the ion is doped is heated, the ion is activated, and the semiconductor layer is hydrogenated after activation.例文帳に追加

基板上に半導体層を形成し、半導体層にイオンをドーピングし、イオンがドーピングした半導体層を加熱して、イオンを活性化し、活性化の後、半導体層を水素化する。 - 特許庁

MANUFACTURE OF SUBSTRATE HAVING SEMICONDUCTOR LAYER例文帳に追加

半導体層を有する基板の製造方法 - 特許庁