「semiconductor-layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

SEMICONDUCTOR ELEMENT WITH BUFFER LAYER例文帳に追加

緩衝層を有する半導体素子 - 特許庁

HYDROGEN BARRIER LAYER AND SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

水素バリヤ層及び半導体装置 - 特許庁

WAFER INCLUDING INTRINSIC SEMICONDUCTOR LAYER例文帳に追加

真性半導体層を備えたウェーハ - 特許庁

The second layer is provided on the protective layer side of the semiconductor layer.例文帳に追加

第２の層は、半導体層において保護層側に設けられる。 - 特許庁

The second layer is provided closer to the protective layer, on the semiconductor layer.例文帳に追加

第２の層は、半導体層において保護層側に設けられる。 - 特許庁

The semiconductor region 19 includes a first semiconductor layer 21, a second semiconductor layer 23, and the light emitting layer 25.例文帳に追加

半導体領域１９は、第１半導体層２１と、第２半導体層２３と、発光層２５とを有する。 - 特許庁

The semiconductor material confinement layer is deposited on another semiconductor layer and defines a plane parallel to the other semiconductor layer.例文帳に追加

閉込め層は、別の半導体層の上に堆積され、この別の半導体層に平行な面を画定する。 - 特許庁

Further, a semiconductor layer 12 electrically separated from the photoelectric conversion layer by an insulating layer 2, a semiconductor layer 13, a semiconductor layer 3 and a semiconductor layer 14 constitute a PN diode.例文帳に追加

さらに、絶縁膜２によって光電変換層から電気的に隔絶された半導体層１２、半導体層１３、半導体層３、半導体層１４は、ＰＮダイオードを構成する。 - 特許庁

SEMICONDUCTOR DEVICE AND INTER-LAYER INSULATION LAYER FORMING METHOD例文帳に追加

半導体装置及び層間絶縁層形成方法 - 特許庁

The first semiconductor layer 4 is an AlGaN layer.例文帳に追加

第１の半導体層４はＡｌＧａＮ層とする。 - 特許庁

Then, a metal layer is formed on the semiconductor layer.例文帳に追加

次に、半導体層の上に、金属層を形成する。 - 特許庁

Since a gate electrode is composed of a P-type semiconductor layer and an N-type semiconductor layer, a depletion layer 13 occurs at the junction surface between the P-type semiconductor layer and the N-type semiconductor layer.例文帳に追加

ゲート電極はＰ型半導体層及びＮ型半導体層からなるので、Ｐ型半導体層とＮ型半導体層との接合面に、空乏層１３が生じる。 - 特許庁

SEMICONDUCTOR WAFER HAVING ADHESIVE LAYER, SEMICONDUCTOR ELEMENT, AND SEMICONDUCTOR PACKAGE例文帳に追加

接着剤層付き半導体ウエハ、半導体素子および半導体パッケージ - 特許庁

The semiconductor layer furhter includes an amorphous semiconductor.例文帳に追加

さらに、半導体層において、非晶質半導体を含む。 - 特許庁

The n-type semiconductor layer includes a nitride semiconductor.例文帳に追加

前記ｎ型半導体層は、窒化物半導体を含む。 - 特許庁

SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING GROUP-III NITRIDE SEMICONDUCTOR LAYER例文帳に追加

ＩＩＩ族窒化物半導体層を含む半導体装置 - 特許庁

METHOD FOR CONTROLLING COMPOSITION OF SEMICONDUCTOR LAYER例文帳に追加

半導体層の組成制御方法 - 特許庁

A donor is contained in the first p-type organic semiconductor layer (5D); and an acceptor is contained in the second p-type organic semiconductor layer (5L).例文帳に追加

第２のｐ型有機半導体層(5L)にアクセプターを含ませる。 - 特許庁

P-TYPE SEMICONDUCTOR LAYER ACTIVATING METHOD例文帳に追加

ｐ型半導体層活性化方法 - 特許庁

A semiconductor device comprises: a semiconductor layer; and a semi-insulating layer formed on the semiconductor layer and having electric conductivity lower than that of the semiconductor layer.例文帳に追加

半導体装置であって、半導体層と、半導体層上に形成されており、半導体層よりも電気伝導率が低い半絶縁層を有している。 - 特許庁

SUPPORTING LAYER FOR SEMICONDUCTOR CONTINUOUS LAYER AND MANUFACTURING METHOD FOR SEMICONDUCTOR CHIP例文帳に追加

半導体連続層のための担体層および半導体チップスの製造法 - 特許庁

The semiconductor structure includes: a base layer; a silicon layer; a photodiode layer; and a metal layer.例文帳に追加

半導体構造はベース層と、シリコン層と、フォトダイオード層と、金属層とを含む。 - 特許庁

An N-type semiconductor layer 2 is formed on a surface of a semiconductor substrate 1, and a P-type semiconductor layer 3 is formed on the N-type semiconductor layer.例文帳に追加

半導体基板１の表面にＮ−型半導体層２を形成し、その上層にＰ型半導体層３を形成する。 - 特許庁

The semiconductor substrate includes the p^- layer 7 and the n^- layer 6.例文帳に追加

半導体基板は、ｐ^-層７とｎ^-層６とを含む。 - 特許庁

The first electrode layer is in electrical conduction with the second semiconductor layer and the second electrode layer is in electrical conduction with the first semiconductor layer.例文帳に追加

第１電極層は、第２半導体層と導通し、第２電極層は、第１半導体層と導通する。 - 特許庁

Preferably, the insulating layer is adjacent to a side surface of the SiGe layer, an upper surface of the semiconductor layer, a lower surface of the semiconductor layer, and a side surface of the semiconductor layer.例文帳に追加

絶縁層は、ＳｉＧｅ層の側面、並びに半導体層の上面、半導体層の下面及び導体層の側面に隣接していることが好ましい。 - 特許庁

A semiconductor light-emitting element includes a first semiconductor layer, a light-emitting layer, a second semiconductor layer, a first electrode layer, and a second electrode layer.例文帳に追加

実施形態に係る半導体発光素子は、第１半導体層と、発光層と、第２半導体層と、第１電極層と、第２電極層と、を備える。 - 特許庁

MANUFACTURE OF SEMICONDUCTOR CRYSTAL LAYER例文帳に追加

半導体結晶層の成長方法 - 特許庁

COMPOSITE SEMICONDUCTOR HAVING THIN-FILM LAYER例文帳に追加

薄膜層を有する複合半導体 - 特許庁

METHOD OF FORMING NITRIDE SEMICONDUCTOR LAYER例文帳に追加

窒化物半導体層の形成方法 - 特許庁

ORGANIC SEMICONDUCTOR LAYER AND IMPROVEMENT THEREOF例文帳に追加

有機半導体層およびその改善 - 特許庁

METHOD OF FORMING THIN FILM SEMICONDUCTOR LAYER例文帳に追加

薄膜半導体層の形成方法 - 特許庁

PROCESS FOR DEPOSITING NITRIDE SEMICONDUCTOR LAYER例文帳に追加

窒化物半導体層の積層方法 - 特許庁

ETCHING METHOD OF NITRIDE SEMICONDUCTOR LAYER例文帳に追加

窒化物半導体層のエッチング方法 - 特許庁

SEMICONDUCTOR IMAGE SENSOR CONTAINING OPTICAL LAYER例文帳に追加

光学層を含む半導体イメージセンサ - 特許庁

SEMICONDUCTOR ELEMENT HAVING PASSIVATION LAYER例文帳に追加

パッシベーション層を有する半導体素子 - 特許庁

GROWTH METHOD OF SEMICONDUCTOR LAYER STRUCTURE例文帳に追加

半導体層構造の成長方法 - 特許庁

When a plurality of semiconductor layers are formed on a semiconductor substrate and a Schottky electrode is formed in a semiconductor layer surface, an upper layer semiconductor layer consisting of at least an InGaP layer or an InAlGaP layer, and a semiconductor substrate wherein a lower layer semiconductor layer consisting of a GaAs layer or an AlGaAs layer is formed immediately below the upper layer semiconductor layer, are prepared.例文帳に追加

半導体基板上に複数の半導体層が形成され、半導体層表面にショットキー電極を形成する際、少なくともＩｎＧａＰ層 又はＩｎＡｌＧａＰ層からなる上層半導体層と、上層半導体層直下にＧａＡｓ層又はＡｌＧａＡｓ層からなる下層半導体層が形成された半導体基板を用意する。 - 特許庁

The light-emitting layer is provided between the n-type semiconductor layer and the p-type semiconductor layer.例文帳に追加

発光層は、前記ｎ形半導体層と前記ｐ形半導体層との間に設けられる。 - 特許庁

The light-emitting layer is provided between the n-type semiconductor layer and the p-type semiconductor layer.例文帳に追加

前記発光層は、前記ｎ型半導体層と前記ｐ型半導体層との間に設けられる。 - 特許庁

The semiconductor device has a semiconductor lower layer in repetitive structure of an electron barrier layer and a quantum well layer.例文帳に追加

電子障壁層と量子井戸層の繰返し構造を有する半導体下層を備えている。 - 特許庁

The second semiconductor layer is disposed between the first semiconductor layer and the electron transport layer.例文帳に追加

第２の半導体層は、第１の半導体層と電子輸送層との間に配置されている。 - 特許庁

A source wire includes a first semiconductor layer, a second semiconductor layer, and a conductive layer.例文帳に追加

ソース配線が第１の半導体層、第２の半導体層、及び導電層によって構成される。 - 特許庁

The first electrode layer is provided on the second semiconductor layer on the side opposite to the first semiconductor layer.例文帳に追加

第１電極層は、第２半導体層の第１半導体層とは反対側に設けられる。 - 特許庁

The semiconductor chip contains a porous semiconductor layer 1, a nonporous semiconductor layer 2 laminated on the porous semiconductor layer 1, and an electrode 3 penetrating through the porous semiconductor layer 1 and the nonporous semiconductor layer 2.例文帳に追加

半導体チップは、多孔質半導体層１と、多孔質半導体層１に積層された非多孔質半導体層２と、多孔質半導体層１及び非多孔質半導体層２を貫通する電極３とを含む。 - 特許庁