「semiconductor-layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(9ページ目) - Weblio英語例文検索

A photocatalyst layer 4 is formed as a base layer or a cap layer of the semiconductor film.例文帳に追加

半導体膜５の下地層又はキャップ層として光触媒層４を形成する。 - 特許庁

The semiconductor device is provided with a semiconductor layer 103, and a surface insulation film 108 that is formed on the surface of the semiconductor layer 103.例文帳に追加

半導体層１０３と、この半導体層１０３の表面に設けられた表面絶縁膜１０８とを備える。 - 特許庁

A semiconductor material constituting the first semiconductor layer and the second semiconductor layer is anatase-type TiO_2.例文帳に追加

そして、第一の半導体層及び前記第二の半導体層を構成する半導体材料はアナタース型のＴｉＯ_2である。 - 特許庁

In the semiconductor device, a P-N junction between a p type semiconductor layer 11 and an n type semiconductor layer 12 forms a photodiode.例文帳に追加

ｐ型半導体層１１とｎ型半導体層１２とのＰＮ接合によってフォトダイオードが構成されている。 - 特許庁

The stacked structure includes a first semiconductor layer of a first conductivity type, a second semiconductor layer of a second conductivity type facing a part of the first semiconductor layer, and a light-emitting layer provided between the part of the first semiconductor layer and the second semiconductor layer.例文帳に追加

積層構造体は、第１導電形の第１半導体層と、第１半導体層の一部に対向する第２導電形の第２半導体層と、第１半導体層の前記一部と第２半導体層とのあいだに設けられた発光層と、を含む。 - 特許庁

A semiconductor light-emitting element includes an n-type semiconductor layer containing a nitride semiconductor, a p-type semiconductor layer containing the nitride semiconductor, and a light-emitting part provided between the n-type semiconductor layer and the p-type semiconductor layer.例文帳に追加

実施形態によれば、窒化物半導体を含むｎ形半導体層と、窒化物半導体を含むｐ形半導体層と、前記ｎ形半導体層と前記ｐ形半導体層との間に設けられた発光部と、を備えた半導体発光素子が提供される。 - 特許庁

According to an embodiment of the present invention, there is provided a semiconductor light-emitting device comprising a first semiconductor layer, a light-emitting layer, a second semiconductor layer, and a low-refractive-index layer.例文帳に追加

本発明の実施態様によれば、第１半導体層と、発光層と、第２半導体層と、低屈折率層と、を備えた半導体発光素子が提供される。 - 特許庁

A semiconductor laser layer 12, an (n) type magnetic semiconductor layer 13, a non-magnetic layer 14, and a (p) type magnetic semiconductor layer 15 are laminated on a substrate 11 in this order.例文帳に追加

基板１１上に半導体レーザ層１２、ｎ型磁性半導体層１３、非磁性層１４、ｐ型磁性半導体層１５が、これらの順に積層されている。 - 特許庁

An n-type semiconductor layer, an active layer 14, and a p-type semiconductor layer are deposited on a substrate 11, and a p-side electrode 22 is provided on the p-type semiconductor layer.例文帳に追加

基板１１にｎ型半導体層，活性層１４およびｐ型半導体層が積層され、ｐ型半導体層の上にはｐ側電極２２が設けられている。 - 特許庁

A semiconductor device comprises: a semiconductor layer of a first conductivity type; a plurality of trenches; an insulating layer; a conductive layer; a first semiconductor diffusion layer; and an anode electrode.例文帳に追加

一態様に係る半導体装置は、第１導電型の半導体層、複数のトレンチ、絶縁層、導電層、第１半導体拡散層、及びアノード電極を有する。 - 特許庁

The group III nitride compound semiconductor light-emitting diode includes a substrate, a buffer layer, an N-type semiconductor material layer, an active layer, and a P-type semiconductor material layer.例文帳に追加

ＩＩＩ族窒素化合物半導体発光ダイオードは、基板と、バッファ層と、Ｎ型半導体材料層と、活性層と、Ｐ型半導体材料層とを備えている。 - 特許庁

At least one p-type semiconductor layer 3 is a delta-doped layer which consists of a gallium doped p-type semiconductor layer 31, and a boron-doped p-type semiconductor layer 32.例文帳に追加

少なくとも一つのｐ型半導体層３がガリウムドープｐ型半導体層３１、ボロンドープｐ型半導体層３２からなるデルタドープ層であることを特徴とする。 - 特許庁

The semiconductor device 100 includes a semiconductor layer, a gate insulating layer 26 formed on the semiconductor layer, and a gate electrode 28 formed on the gate insulating layer 26.例文帳に追加

半導体装置１００は、半導体層と、半導体層上に形成されたゲート絶縁層２６と、ゲート絶縁層２６上に形成されたゲート電極２８と、を含む。 - 特許庁

There is provided a photoelectric conversion element comprising at least a metal oxide semiconductor layer, a buffer layer stacked on the metal oxide semiconductor layer so as to contact the metal oxide semiconductor layer, and a light absorbing layer stacked on the buffer layer on a side opposite to the metal oxide semiconductor layer so as to contact the buffer layer.例文帳に追加

この光電変換素子は、金属酸化物半導体層と、金属酸化物半導体層に接して積層させたバッファー層と、バッファー層に接して金属酸化物半導体層とは反対側に積層させた光吸収層とを少なくとも具備している。 - 特許庁

On the first semiconductor layer, a second semiconductor layer is formed as constructed from a second conductive semiconductor inverse to the first conductive semiconductor.例文帳に追加

第１の半導体層の上に、第１導電型とは逆の第２導電型の半導体からなる第２の半導体層が形成されている。 - 特許庁

A semiconductor optical device 1a has a 1st conductivity type semiconductor layer 5, a 2nd conductivity type semiconductor layer 9, and a compound semiconductor 7.例文帳に追加

半導体光デバイス１ａは、第１導電型半導体層５と、第２導電型半導体層９と、化合物半導体部７とを備える。 - 特許庁

METHOD OF FORMING SEMICONDUCTOR LAYER, AND METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR ELEMENT例文帳に追加

半導体層の形成方法ならびに半導体素子の製造方法 - 特許庁

The semiconductor layer 20 is composed of an organic semiconductor material such as pentacene.例文帳に追加

半導体層２０は、ペンタセンなどの有機半導体材料からなる。 - 特許庁

An n^- semiconductor layer 3 is formed on a p^- semiconductor substrate 1.例文帳に追加

ｐ^-半導体基板１上にｎ^-半導体層３が形成されている。 - 特許庁

GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR LAYER STUCK SUBSTRATE AND SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

ＩＩＩ族窒化物半導体層貼り合わせ基板および半導体デバイス - 特許庁

OXIDE SEMICONDUCTOR LAYER, METHOD OF FORMING THE SAME, AND SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

酸化物半導体層およびその形成方法ならびに半導体装置 - 特許庁

FILM FORMING METHOD OF SEMICONDUCTOR LAYER AND MANUFACTURING APPARATUS FOR FORMING FILM OF SEMICONDUCTOR例文帳に追加

半導体層の成膜方法、半導体層を成膜する製造装置 - 特許庁

SEMICONDUCTOR CHIP WITH ADHESIVE LAYER, AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

接着剤層付き半導体チップ及び半導体装置の製造方法 - 特許庁

THREE-LAYER ADHESIVE FILM, SEMICONDUCTOR CHIP-CARRYING SUBSTRATE AND SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

三層接着フィルム、半導体チップ搭載用基板及び半導体装置 - 特許庁

MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING ZnO-BASED OXIDE SEMICONDUCTOR LAYER例文帳に追加

ＺｎＯ系酸化物半導体層を有する半導体装置の製法 - 特許庁

In the method for manufacturing of the semiconductor device, a buffering layer 520 is given and a first semiconductor layer 530 is formed on the surface of the buffering layer.例文帳に追加

バッファ層を提供するとともに、第１の半導体層５３０をバッファ層５２０の表面に形成する。 - 特許庁

The protective layer 3 and the organic semiconductor layer 2 are then patterned using the mask layer 5 as a mask thus obtaining an organic semiconductor pattern 7.例文帳に追加

マスク層５をマスクとして、保護層３と有機半導体層２をパターニングして、有機半導体パターン７を得る。 - 特許庁

A light emitting diode structure is formed by a p-type semiconductor layer 11, the light emitting layer 12 and an n-type semiconductor layer 13.例文帳に追加

ｐ型半導体層１１、発光層１２およびｎ型半導体層１３により発光ダイオード構造を形成する。 - 特許庁

The n-side electrode contacts a part of the n-type semiconductor layer on the opposite side to the light-emitting layer of the n-type semiconductor layer.例文帳に追加

ｎ側電極は、ｎ型半導体層の発光層とは反対側でｎ型半導体層の一部に接する。 - 特許庁

The second electrodes have portions contacting the second semiconductor layer at the side of the second semiconductor layer opposite to the side at which the light-emitting layer is provided.例文帳に追加

第２電極は、第２半導体層の発光層とは反対側で第２半導体層と接する部分を有する。 - 特許庁

Subsequently, a second sacrifical layer 108 is deposited on the structural layer, and a semiconductor element is formed on the semiconductor layer.例文帳に追加

続けて構造層の上には第２の犠牲層１０８を成膜し、半導体層の上には半導体素子を形成する。 - 特許庁

Before forming the oxide semiconductor layer, chlorine may be implanted to an insulating layer where the oxide semiconductor layer is formed.例文帳に追加

また、酸化物半導体層の形成前に、酸化物半導体層が形成される絶縁層に塩素を導入してもよい。 - 特許庁

An amorphous semiconductor layer 122A is formed on a first single-crystal semiconductor layer 120 formed on a substrate through an insulating layer.例文帳に追加

絶縁層を介して基板に設けられた第１単結晶半導体層上に、非晶質半導体層を形成する。 - 特許庁

The second conductivity type semiconductor layer 23 is provided between the first conductivity type semiconductor layer 25 and active layer 17.例文帳に追加

第２導電型半導体層２３は第１導電型半導体層２５と活性層１７との間に設けられる。 - 特許庁

A conductive layer is formed, where the conductive layer connects the semiconductor substrate to an electrode on the semiconductor layer via the via hole.例文帳に追加

このバイア・ホールを介して半導体基板と半導体層上の電極とを接続する導電層を形成する。 - 特許庁

The protective layer 3 and the organic semiconductor layer 2 are patterned with the mask layer 5 as a mask to obtain the organic semiconductor pattern 7.例文帳に追加

マスク層５をマスクとして、保護層３と有機半導体層２をパターニングして、有機半導体パターン７を得る。 - 特許庁

To easily form a charge transport layer on an interface between an organic semiconductor layer and another organic semiconductor layer.例文帳に追加

有機半導体層と別の有機半導体層との界面に電荷移動層を容易に形成することを可能にする。 - 特許庁

The porous semiconductor layer 1, the nonporous semiconductor layer 2, and the electrode 3 are insulated by an insulating layer 5.例文帳に追加

多孔質半導体層１及び非多孔質半導体層２と電極３とが絶縁層５によって絶縁されている。 - 特許庁

A semiconductor substrate includes a first insulating layer, a first semiconductor layer provided on the first insulating layer, a second insulating layer selectively provided on the first semiconductor layer, and a second semiconductor layer provided above the first semiconductor layer via the second insulating layer.例文帳に追加

実施形態に係る半導体基板は、第１絶縁層と、前記第１絶縁層の上に設けられた第１半導体層と、前記第１半導体層の上に選択的に設けられた第２絶縁層と、前記第２絶縁層を介して前記第１半導体層の上に設けられた第２半導体層と、を備える。 - 特許庁

The optical sensor includes at least a first semiconductor layer 2 provided on a top surface of a semiconductor substrate 1, a third semiconductor layer 4 serving as a light absorbing layer provided on the first semiconductor layer 2, a second semiconductor layer 3 provided on the third semiconductor layer 4, and a protection layer 5 provided on a reverse surface of the semiconductor substrate 1.例文帳に追加

光センサは、半導体基板１の表面に設けられた少なくとも第１の半導体層２と、この第１の半導体層２上に設けられた光吸収層となる第３の半導体層４と、この第３の半導体層４上に設けられた第２の半導体層３と、半導体基板１の裏面に設けられた保護層５とから構成されている。 - 特許庁

The first electrode layer is provided on the side of the second semiconductor layer opposite to the side on which the first semiconductor layer is provided, and has a metal layer and a plurality of openings penetrating the metal layer along a first direction toward the second semiconductor layer from the first semiconductor layer.例文帳に追加

第１電極層は、第２半導体層の第１半導体層とは反対側に設けられ、金属層と、第１半導体層から第２半導体層に向かう第１方向に沿って前記金属層を貫通する複数の開口部と、を有する。 - 特許庁

That is, a semiconductor device including the source electrode layer, an oxide semiconductor layer in contact with the source electrode layer, the drain electrode layer in contact with the oxide semiconductor layer, the gate electrode layer part of which overlaps with the source electrode layer, the drain electrode layer, and the oxide semiconductor layer, and a gate insulation layer in contact with entire surface of the gate electrode layer is provided.例文帳に追加

つまり、ソース電極層と、ソース電極層に接した酸化物半導体層と、酸化物半導体層に接したドレイン電極層と、一部がソース電極層、ドレイン電極層および酸化物半導体層と重畳したゲート電極層と、ゲート電極層の全ての面に接するゲート絶縁層と、を有する半導体装置を提供することである。 - 特許庁

The semiconductor light-emitting apparatus includes a semiconductor layer having a light-emitting layer, a supporting substrate for supporting the semiconductor layer, and a phosphor-containing layer formed on the front surface of the semiconductor layer, wherein the light-emitting surface of the semiconductor layer has at least one corner portion and the phosphor-containing layer has a thickness thinned from the center of the semiconductor layer to the outer edge portion.例文帳に追加

発光層を含む半導体層と、半導体層を支持する支持基板と、半導体層の表面に形成された蛍光体含有層と、を含む半導体発光装において、半導体層の発光面は少なくとも１つのコーナ部を有し、蛍光体含有層は、半導体層の中央部から外縁部に向けてその膜厚が薄くなっている。 - 特許庁

RESIN COMPOSITION FOR SEMICONDUCTOR LAYER OF POWER CABLE例文帳に追加

電力ケーブルの半導電層用樹脂組成物 - 特許庁

The photosensitizing dye is held in the semiconductor layer.例文帳に追加

光増感色素は、半導体層に保持される。 - 特許庁