「shape measuring method」に関連した英語例文の一覧と使い方(23ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a thermocompression bonding method of a regenerating synthetic resin constituted so as to mold a regenerating thermoplastic synthetic resin like regenerating PET, which becomes a flaky state by grinding, into a stick shape to facilitate the charging of synthetic resin flakes into the oven body of a measuring instrument such as a melt indexer and capable of preventing the hydrolysis of the synthetic resin flakes.例文帳に追加

再生ＰＥＴのように粉砕してフレーク状になった再生用熱可塑性合成樹脂をスティック状に成形して、メルトインデクサ等の測定装置の炉体への合成樹脂フレークの投入を容易にし、合成樹脂フレークが加水分解するのを防止することができる再生用合成樹脂熱圧着方法及びその装置を提供する。 - 特許庁

To provide a haze measurement method and its apparatus for accurately measuring a haze regardless of a shape of a sample by adding a liquid lens as a null lens between the curved sample and an integrating sphere and preventing a light entering into the integrating sphere through the sample from being refracted.例文帳に追加

曲面のある試料と積分球との間にナルレンズ（Ｎｕｌｌ Ｌｅｎｓ）をはじめとする液体レンズを追加し、前記試料を介して積分球に入射する光が屈折しないようにすることによって、試料の形状に関係なく、ヘイズを正確に測定できる、ヘイズ測定方法及びその装置を提供する。 - 特許庁

The standard sample is for measuring the size of the BMD in wafer, and it is a silicon single crystal wafer which is grown by being doped with nitrogen by Czochralski method and which does not contain I region fully, and BMD in the standard sample exist in a density of 1×10^9 pieces/cm^3 or more, and have a size of 15 nm or more in octahedral shape.例文帳に追加

ウェーハ中のＢＭＤのサイズを測定するための標準サンプルであって、該標準サンプルは、チョクラルスキー法により窒素をドープされて育成された全面がＩ領域を含まないシリコン単結晶ウェーハであって、該標準サンプル中のＢＭＤは、密度が１×１０^９個／ｃｍ^３以上、かつサイズが１５ｎｍ以上の八面体形状である。 - 特許庁

This manufacturing method of the imprinting mold for transferring a pattern to the sol-gel material includes a process for measuring the deformation quantity due to the curing shrinkage of the sol-gel material, a process for performing the simulation of the pattern shape of the material transferred from the mold using the measured deformation quantity and a process for forming the pattern shape of the mold calculated by simulation.例文帳に追加

本発明は、パターンをゾルゲル材料へ転写するためのインプリント用モールド製造方法であって、ゾルゲル材料の硬化収縮による変形量を測定する工程と、前記測定した変形量より、モールドから転写される材料のパターン形状のシミュレーションを行う工程と、前記シミュレーションより算出されたモールドのパターン形状を形成する工程とを行うことを特徴とするインプリント用モールド製造方法である。 - 特許庁

The method of manufacturing a semiconductor device comprises processes of forming a transistor electrode on a semiconductor wafer, measuring the processed shape of the transistor electrode, estimating an impurity implantation region based on the measured processed shape of the transistor electrode, calculating the conditions for impurity implantation for the estimated impurity introduction region to obtain desired standard properties, and introducing impurities into the semiconductor wafer under the calculated impurity introduction conditions.例文帳に追加

半導体ウェハ上にトランジスタ電極を形成する工程と、前記トランジスタ電極の加工形状を測定する工程と、測定された前記加工形状に基づき、不純物導入領域を予測する工程と、前記予測された不純物導入領域に対して、設計基準特性を得るための不純物導入条件を算出する工程と、前記算出された不純物導入条件で、前記半導体ウェハに不純物を導入する工程を備える。 - 特許庁