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spin filter effectの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 9件
SPIN FILTER EFFECT ELEMENT AND SPIN TRANSISTOR例文帳に追加
スピンフィルタ効果素子及びスピントランジスタ - 特許庁
SPIN FILTER EFFECT ELEMENT, AND SPIN TRANSISTOR例文帳に追加
スピンフィルタ効果素子及びスピントランジスタ - 特許庁
SPIN FILTER EFFECT ELEMENT AND MAGNETIC DEVICE USING THE SAME例文帳に追加
スピンフィルタ効果素子及びそれを用いた磁気デバイス - 特許庁
The magnetoresistance effect element MR is electrically connected to the second wiring W2 without interposing a spin filter SF.例文帳に追加
磁気抵抗効果素子MRは、スピンフィルタSFを介することなく第2配線W2に電気的に接続されている。 - 特許庁
A low frequency noise of a reproduced signal is suppressed by a high-pass filter 3, and an adverse influence due to the spin transfer effect peculiar to a reproduction head of perpendicular conductive type is eliminated.例文帳に追加
ハイパスフィルタ3により再生信号の低周波ノイズを抑圧し、垂直通電型の再生ヘッドに特有のスピントランスファー効果による悪影響を排除する。 - 特許庁
Spin filter effect of electrons can be obtained by modulating the band structure of a ferromagnetic layer nearby a very thin film layer by interposing the thin film layer into ferromagnetic layers of the magnetoresistance effect element or the interface between them and a nonmagnetic spacer layer.例文帳に追加
磁気抵抗効果素子の強磁性層の層中あるいはこれらと非磁性スペーサ層との界面に、酸化物あるいは窒化物からなる極薄の薄膜層を挿入することにより、この薄膜層の近傍における強磁性層のバンド構造を変調させて、電子のスピンフィルタ作用を得ることができる。 - 特許庁
When a read-out current I_R is supplied between the second wiring W2 for the supply of the read-out current I_R and the common wiring WC since this is not through the spin filter SF, a spin polarized current is not supplied to the inside of the magnetoresistance effect element MR, and the reversal of the magnetization of the magnetically sensitive layer F becomes difficult.例文帳に追加
読み出し電流I_Rの供給用の第2配線W2と共通配線WCとの間に、読み出し電流I_Rを供給すると、これはスピンフィルタSFを介していないため、磁気抵抗効果素子MR内には、スピン分極電流が供給されず、感磁層Fの磁化反転は困難となる。 - 特許庁
Spin filter effect of electrons can be obtained by modulating the band structure of a ferromagnetic layer nearby a very thin film layer made of oxide or nitride by inserting the thin film layer into a ferromagnetic layer of the magnetoresistance effect element or the interface between the ferromagnetic layer and a nonmagnetic spacer layer.例文帳に追加
磁気抵抗効果素子の強磁性層の層中あるいはこれらと非磁性スペーサ層との界面に、酸化物あるいは窒化物からなる極薄の薄膜層を挿入することにより、この薄膜層の近傍における強磁性層のバンド構造を変調させて、電子のスピンフィルタ作用を得ることができる。 - 特許庁
To provide a method for producing a spinel ferrite thin film with (100) preferred orientation while suppressing oxidization of a metal electrode layer in a lower part of a spinel ferrite thin film and thermal diffusion at a lower part interface and eliminating contamination due to atmospheric components at an upper part interface, in a spin filter effect element including a spinel ferrite thin film arranged in a laminated structure.例文帳に追加
積層構造の中にスピネルフェライト薄膜を配置したスピンフィルタ効果素子において、スピネルフェライト薄膜下部の金属電極層の酸化および下部界面の熱拡散を抑制し、上部界面の大気成分による汚染を排除しつつ、(100)優先配向したスピネルフェライト薄膜を製造する方法を提供する。 - 特許庁
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