「strain gauge」に関連した英語例文の一覧と使い方(10ページ目) - Weblio英語例文検索

The pressure sensor comprises a pressure sensor chip 1 having a semiconductor strain gauge, an IC chip 2 where an amplification circuit for amplifying the output signal of the pressure sensor chip 1 and a temperature- compensating circuit for compensating the temperature of the output signal are integrated, a body 10 in a rectangular parallelepiped shape whose one surface is open, and a cover 20 for blocking the one surface of the body 10.例文帳に追加

半導体ストレインゲージを有する圧力センサチップ１と、圧力センサチップ１の出力信号を増幅する増幅回路および出力信号の温度補償を行う温度補償回路が集積化されたＩＣチップ２と、一面が開放された直方体状のボディ１０と、ボディ１０の上記一面を閉塞したカバー２０とを備える。 - 特許庁

After a strain gauge 4 is applied to a housing part where it is considered that distortion occurs, a static load is applied to a bearing part for measuring distortion, a measurement point with high sensitivity for the load is measured, and at the same time the relation expression between the applied load and distortion being generated by the load is obtained in advance.例文帳に追加

歪みが生じると考えられるハウジング部に歪みゲージ４を貼着した後、軸受け部に静的荷重を加えて歪み測定を行い、荷重に対して感度の高い測定点を選定すると共に、この選定した測定点における前記測定結果に基づいて、載荷した荷重とその荷重により生じた歪みの関係式を予め求める。 - 特許庁

Voltage is outputted from the strain gauge 9a or 9b by pressing from the upper shaft 1 and the housing part 4 when rotating the upper shaft 1 by operating a handle, this voltage is transmitted to an electric circuit 12 via an antenna 11 from a transmitter 10, and a torque converted here is transmitted to a control unit.例文帳に追加

ハンドルが操作されて上部シャフト１が回転されたときの上部シャフト１およびハウジング部４からの加圧によって歪みゲージ９ａあるいは９ｂより電圧を出力させ、これを発信器１０よりアンテナ１１を介して電気回路１２に発信し、ここで換算されたトルク量をコントロールユニットに送信する。 - 特許庁

Zero point adjustment and amplification factor adjustment can be done easily without using a potentiometer, by using a D/A conversion part 6 for adjusting the zero point of an output voltage of a strain gauge, an amplification factor setting part 4 for adjusting an amplification factor, and an A/D conversion part 5 for A/D-converting a previously set voltage for adjusting the zero point.例文帳に追加

歪みゲージの出力電圧を零点調整するためのＤ／Ａ変換部６と、増幅度を調整するための増幅度設定部４と、零点調整するために予め設定された電圧をＡ／Ｄ変換するＡ／Ｄ変換部５とにより、ポテンショメータを用いることなく容易に零点調整・増幅度調整ができる。 - 特許庁

The micromirror device is obtained by using a semiconductor anisotropic etching process to process a silicon substrate and has a structure, wherein a shear-type strain gauge 3 which measures the angle of rotation of a mirror 1 and utilizes a piezoresistance effect is provided in a torsion bar 2 divided p-type or n-type semiconductor areas in a perpendicular direction of the silicon substrate.例文帳に追加

半導体異方性エッチングプロセスを使用してシリコン基板を加工したマイクロミラーデバイスであって、シリコン基板の厚さ方向にｐ型またはｎ型の半導体領域に分割したトーションバー２に、ミラー１の回転角を測定するピエゾ抵抗効果を利用したせん断型歪ゲージ３を設けた構造を特徴とする。 - 特許庁