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surface reactanceの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 9件
The probe faces the surface and includes a resonant circuit having a reactance dependent on deflection of the probe facing the surface.例文帳に追加
プローブは、この表面に対向し、表面に対するプローブのたわみに依存したリアクタンスを有する共振回路を含む。 - 特許庁
A variable reactance control unit 61, with directivity directed toward a rear surface direction, calculates a power ratio of transmitted power to received power.例文帳に追加
そして、可変リアクタンス制御部６１は、背面方向に指向性を向けて、送信電力と受信電力との電力比を算出する。 - 特許庁
To provide a high frequency semiconductor device capable of stabilizing the impedance characteristic of a reactance element formed on the surface of a silicon semiconductor substrate.例文帳に追加
シリコン半導体基板表面に形成されたリアクタンス素子のインピーダンス特性を安定化することのできる高周波用半導体装置を提供する。 - 特許庁
Thus, a change in a resonance frequency due to a change in surface reactance is offset by a change in a resonance frequency due a change of the effective size of the electrode, making the resonance frequency almost fixed regardless of a change in temperature.例文帳に追加
これにより、表面リアクタンスの変化による共振周波数の変化を、電極の実効寸法の変化による共振周波数の変化で相殺し、温度変化に関わらず共振周波数を略一定とする。 - 特許庁
The portable wireless device 100 includes: a circuit board 130; a reactance element 161 provided between the ground line 160 and the circuit board 130; and a parasitic element 170 disposed at the lower part of the display part 120 on a second surface which is the opposite side of the first surface of the housing 110.例文帳に追加
携帯無線装置１００は、回路基板１３０と、地線１６０と回路基板１３０との間に設けられたリアクタンス素子１６１と、筐体１１０の第１面の反対側の第２面であって、表示部１２０の下部に配置された無給電素子１７０と、を備える。 - 特許庁
The radio frequency coils also include a pair of tuning rings 100 to tune the reactance elements, each of the tuning rings including a nonconductive supporting cylinder and a plurality of tuning bands extending axially along the outer peripheral surface of the supporting cylinder.例文帳に追加
該無線周波数コイルは叉、該リアクタンス素子を同調するために一対の同調リング（１００）を含み、その各々は、非導電性の支持用シリンダと、該支持用シリンダの外周面に沿って軸線方向に延びる複数の同調バンドとを含む。 - 特許庁
In the EBG material having a band-gap in a specified frequency band, piezoelectric resonators 1 are arranged on the surface of a substrate 3 one-dimensionally or two-dimensionally, and a capacitive reactance element electrically connects adjacent piezoelectric resonators to each other.例文帳に追加
特定周波数帯にバンドギャップを有するＥＢＧマテリアルにおいて、基板３表面上に圧電共振子１を一次元的あるいは二次元的に配列し、隣接する前記圧電共振子同士を容量性リアクタンス要素により電気的に接続する。 - 特許庁
The surface acoustic wave device 1 comprises at least one IDTs 5 to 7 and 10 to 12 formed in a surface acoustic wave propagating direction on a piezoelectric substrate 2, two balance signal terminals 16 and 17, and the reactance component added to one of the terminals 16 and 17, so as to compensate for the deviation of the frequency characteristics between the terminals 16 and 17.例文帳に追加
圧電基板２上に弾性表面波伝搬方向に沿って少なくとも１つのＩＤＴ５〜７，１０〜１２が形成されており、２つの平衡信号端子１６，１７を有する弾性表面波装置において、平衡信号端子１６，１７の一方に平衡信号端子１６，１７間の周波数特性のずれを補うようにリアクタンス成分が付加されている、弾性表面波装置１。 - 特許庁
The dopant concentration measuring method, which computes the dopant concentration by measuring the C-V characteristics of the wafer by the C-V method, adjusts the depletion layer capacitive reactance Xc of the main surface of the wafer to 15 or more times of the series resistance Rs, and measures the C-V characteristics of the wafer on the adjusted conditions.例文帳に追加
Ｃ−Ｖ法によりウェーハのＣ−Ｖ特性を測定することによりドーパント濃度を算出するドーパント濃度測定方法であって、ウェーハ主表面の空乏層容量リアクタンスＸｃが直列抵抗Ｒｓの１５倍以上になる条件に調整して、調整した条件でウェーハのＣ−Ｖ特性を測定することを特徴とするドーパント濃度測定方法。 - 特許庁
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