「ttv」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

As a result, the deformation of the silicon wafer W is controlled, and the planarity indicated by TTV on the surface of the wafer can be enhanced.例文帳に追加

その結果、シリコンウェーハＷの変形が抑制され、ＴＴＶなどで示されるウェーハ表面の平坦度を高めることができる。 - 特許庁

This peptide for measuring anti-TTV antibody is obtained by calculating the hydrophilicity value from serial forty amino acids based on the amino acid sequence of TTV, followed by chemically synthesizing a peptide which constitutes a region which can be estimated to have a high antigenic property analyzed as an index, by the intensity of hydrophilicity or hydrophobicity.例文帳に追加

さらに、ＴＴウイルスのオープンリーディングフレーム１の第６５３番目〜第６５６番目、第６７２番目〜第６７７番目又は第７０１番目〜第７０４番目及び／若しくは第７１５番目〜第７１７番目のアミノ酸配列の異同に基づいてＴＴウイルスの血清型を分類する、ＴＴウイルスの血清型分類方法を提供した。 - 特許庁

The oxide single crystal wafer is characterized in that TTV on the surface of the wafer is 2.5 μm or less and the maximum amplitude of the waviness of a wavelength having 0.8-15 mm is 1.2 μm or less.例文帳に追加

ウエーハ表面のＴＴＶが２．５μｍ以下であって、かつ波長０．８ｍｍ〜１５ｍｍのうねりの最大振幅が１．２μｍ以下であることを特徴とする酸化物単結晶ウエーハ。 - 特許庁

To lengthen the service life of a carrier and secure necessary TTV by shortening time till timing for stopping a device is detected as mush as possible, in a polishing device using free abrasive grains.例文帳に追加

遊離砥粒を用いる研磨装置において、装置停止のタイミングを検知するまでの時間をできるだけ短くすることにより、キャリヤの寿命を長くし、且つ必要なＴＴＶを確保することを課題とする。 - 特許庁

The cycle time during the loading and unloading operation is calculated based on the time Ttv required for the right-angled turn in a parameter table 21, the acceleration drive time Tda, and the constant-speed drive time Tds etc (S16).例文帳に追加

パラメータテーブル２１の直角旋回時の所用時間Ｔtv、加速走行時間Ｔda、定速走行時間Ｔds等に基づいて入庫動作時のサイクルタイムを計算する（Ｓ１６）。 - 特許庁

This wafer has a surface with projections where Total Thickness Variation(TTV) of a wafer flatness index is equal to 10 μm or less, and at the same time Warp (Warp) that is the index of the degree of warpage, and the bend that is indicated by Sori (Bend) becomes 20 μm or less.例文帳に追加

表面がウェハ平坦度指標であるＴＴＶ(Total Thicknes Variation）で１０μｍ以下の凸面であり、且つ反りの程度の指標であるＷａｒｐ（ワープ）及びＳｏｒｉ（ソリ）で表される反りが２０μｍ以下となるようにウェハを形成した。 - 特許庁

To provide an oxide single crystal wafer in which an expected high yield is attained during production of a device by identifying factors, except TTV, causing the reduction of device producing yield and then controlling the factor causing the reduction of the yield, and in which the production of a high-frequency device requiring extremely fine interdigital electrodes can be realized.例文帳に追加

デバイス作製歩留りを低下させるＴＴＶ以外の要因を明らかにするとともに、この歩留り低下要因を制御することでデバイス作製時に期待通りの高歩留りを達成することができ、極めて微細な櫛形電極が要求される高周波デバイスの作製を実現することができる酸化物単結晶ウエーハを提供する。 - 特許庁