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イオンレーザーの英語
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英訳・英語 ion laser
「イオンレーザー」を含む例文一覧
該当件数 : 12件
（六） クリプトンイオンレーザー発振器又はアルゴンイオンレーザー発振器であって、次のいずれかに該当するもの例文帳に追加
6. Krypton ion laser oscillators or argon ion laser oscillators which fall under any of the following発音を聞く - 日本法令外国語訳データベースシステム
例えば、波長λ＝３３４ｎｍのＡｒイオンレーザーやλ＝３２５ｎｍのＨｅ−Ｃｄレーザーを使用する。例文帳に追加
For example, an Ar ion laser at the wavelength λ=334 nm or a He-Cd laser at the wavelength λ=325 nm is used. - 特許庁
ロ 四〇〇ナノメートル超五一五ナノメートル未満の波長範囲で用いるように設計したアルゴンイオンレーザー発振器であって、平均出力が四〇ワットを超えるもの例文帳に追加
(b) Argon ion laser oscillators designed for use within a wavelength range exceeding 400 nanometers and less than 515 nanometers, with an average output exceeding 40 watts発音を聞く - 日本法令外国語訳データベースシステム
被検体となる光学材料に対してアルゴンイオンレーザーなどの可視光レーザーを入射して、該可視光レーザーの入射軸に対して横方向（好ましくは９０°位置）に散乱した光をＣＣＤカメラ等で観測する。例文帳に追加
Visible laser light such as argon ion laser light is made incident on optical material to be a specimen, and light scattered in a transverse direction (preferably 90° position) to the axis of incidence of the visible laser light is observed with a CCD camera or the like. - 特許庁
励起用光源に波長５１４．５ｎｍのＡｒイオンレーザーを用いた室温において測定されるβ-FeSi_2のラマン強度が、前記β-FeSi_2の基板であるＳｉのラマン強度の３０％以上であることを特徴とする。例文帳に追加
The Raman strength of β-FeSi_2 which is measured at room temperature by Ar ion laser of 514.5 nm wave length as a light source for excitation, is 30% or more than that of Si as a substrate of β-FeSi_2. - 特許庁
（七） エキシマーレーザー発振器、銅レーザー発振器、金レーザー発振器、ナトリウムレーザー発振器、バリウムレーザー発振器、一酸化炭素レーザー発振器、二酸化炭素レーザー発振器、ふっ化水素レーザー発振器、ふっ化重水素レーザー発振器、酸素からの励起移動によって励起するように設計したよう素レーザー発振器、クリプトンイオンレーザー発振器、アルゴンイオンレーザー発振器又は窒素レーザー発振器以外のガスレーザー発振器であって、次のいずれかに該当するもの例文帳に追加
7. Excimer laser oscillators, copper laser oscillators, metal laser oscillators, sodium laser oscillators, barium laser oscillators, carbon monoxide laser oscillators, carbon dioxide laser oscillators, hydrogen fluoride laser oscillators, deuterium fluoride oscillators, and laser oscillators designed to be excited by excitation transfer from oxygen, krypton ion laser oscillators, argon laser oscillators and gas laser oscillators other nitrogen laser oscillators which fall under any of the following発音を聞く - 日本法令外国語訳データベースシステム
Ａｒイオンレーザー、ＦＤ−ＹＡＧレーザー、バイオレットレーザー、短波長半導体レーザー等で描画可能であり、ＣＴＰ用として適用可能な、印刷時の汚れ難さ(耐汚れ性)と耐刷性の両立ができる感光性平版印刷版を提供すること。例文帳に追加
To provide a photosensitive lithographic printing plate processible with an Ar ion laser, an FD-YAG laser, a violet laser, a short-wavelength semiconductor laser or the like, applicable as one for CTP, and satisfying both of scumming resistance in printing and printing durability. - 特許庁
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「イオンレーザー」を含む例文一覧
該当件数 : 12件
Ａｒイオンレーザー、ＦＤ−ＹＡＧレーザー、バイオレットレーザー、短波長半導体レーザー等で描画可能であり、ＣＴＰ用として適用可能な、印刷時の汚れ難さ(汚れ性)と耐刷性の両立ができる感光性平版印刷版を提供すること。例文帳に追加
To provide a photosensitive lithographic printing plate processible with an Ar ion laser, an FD-YAG laser, a violet laser, a short-wavelength semiconductor laser or the like, applicable as one for CTP, and satisfying both of scumming resistance (scumming property) in printing and printing durability. - 特許庁
アルゴンイオンレーザー６から射出させた単一レーザー光を、偏光面調整させ、ついで集光レンズ１０で集光させた照射光１を、反射光を最小限に抑え、散乱光のみを発生させる入射角度で、試料３表面に照射させる。例文帳に追加
A single laser beam, emitted from argon ion laser 6, is adjusted in a plane of polarization, and the irradiation light 1 condensed by a condensing lens 10 is allowed to be incident on the surface of the sample 3 at an incident angle which minimizes reflected light and generating only scattered light. - 特許庁
有機高分子基板１上に形成した半導体層３に不純物を導入し、有機高分子基板１におけるエネルギー吸収がその有機高分子基板１に損傷を与えない程度に低い、たとえばＡｒイオンレーザーや銅蒸気レーザーなどのエネルギービームを半導体層３に照射して半導体層３の不純物を活性化する。例文帳に追加
An impurity is doped into the semiconductor layer 3 formed on the organic polymer substrate 1, and the impurity of the semiconductor layer 3 is activated by irradiating the semiconductor layer 2 with an energy beam, such as from Ar ion laser or copper vapor laser, of which energy absorption at the organic polymer substrate 1 is low such as not to give damages to such an organic polymer substrate 1. - 特許庁
アルゴンイオンレーザー６から射出された単一レーザー光は、順次減光フィルター８、１／２波長板９、走査用Ｘ−Ｙスキャナー７、集光レンズ１０を経た後、偏光面調整された照射光１となり、シリコンウェーハ試料３表面に対して、反射光を最小限に抑え、散乱光をのみを効果的に発生させる入射角度で入射される。例文帳に追加
A single laser beam emitted from an argon ion laser 6 passes successively through an extinction filter 8, a 1/2 wave plate 9, a scanning X-Y scanner 7 and a condensing lens 10, and then becomes irradiation light 1 having an adjusted plane of polarization, and enters the silicon wafer sample 3 surface at an incident angle by which reflected light is suppressed minimally and only scattered light is generated effectively. - 特許庁
（１） 平均粒子径が１０〜４０μｍ 、比表面積が１０^２／ｇ 以下（２） Ｘ線回折法による黒鉛結晶子の（００２） 面の面間隔ｄ００２ が０．３３７ｎｍ 未満、Ｃ軸方向の結晶子の大きさＬｃが１００ｎｍ 以上（３） 真比重が２．１８〜２．２５（４） タッピング比重が１．０ 〜１．３（５） アルゴンイオンレーザーラマンスペクトルにおける１５８０ｃｍ^−１のピーク強度に対する１３６０ｃｍ^−１のピーク強度比Ｒの値が０．５ 超、かつ、１５８０ｃｍ^−１ピークの半値幅が２６ｃｍ^−１超例文帳に追加
(4) the tapping specific gravity is 1.0-1.3, and (5) the peak intensity ratio R at 1360 cm^-1 to the peak intensity at 1580 cm^-1 in the argon ion laser Raman spectrum is more than 0.5, while the half band width of the 1580 cm^-1 peak is more than 26 cm^-1. - 特許庁
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