ネガ型フォトマスクの英語

基板１上にネガ型フォトレジストの塗膜２を設け、フォトマスクを介した露光Ｌ、及び現像処理により画素を形成する画素形成方法において、フォトマスクＰＭ２が、用いた塗布装置に固有な塗膜の膜厚分布の内、膜厚の厚い部分に対応したフォトマスク上の部分にハーフートーン４部を有すること。例文帳に追加

The pixel forming method includes steps of applying a coating film 2 of a negative photoresist on a substrate 1, exposing the film to light through a photomask and developing, wherein the photomask PM2 has a halftone portion 4 in a part on the photomask corresponding to a portion with a large film thickness in the film thickness distribution of a coating film specific to the coating device used. - 特許庁

第１のネガ型感光性樹脂層及び第２のネガ型感光性樹脂層が設けられた基体に、フォトマスクを介して露光、現像する画像形成方法において、前記フォトマスクが少なくとも２種類の光透過性パターンを有するものであり、且つ前記第１のネガ型感光性樹脂層と第２のネガ型感光性樹脂層との光感度比（第１／第２）が１より大きいことを特徴とする画像の形成方法である。例文帳に追加

As for the image forming method of exposing and developing a base having a 1st negative photosensitive resin layer and a 2nd negative photosensitive resin layer through a photomask, the photomask is provided with at least two kinds of light transmissive patterns, and also, the photosensitivity ratio (1st/2nd) of the 1st negative photosensitive resin layer to the 2nd negative photosensitive resin layer is >1. - 特許庁

露光前後のアルカリ溶解速度コントラストが高く、高感度で高解像性を有し、ラインエッジラフネスが小さい、特に超ＬＳＩ製造用あるいはフォトマスクパターン作製における微細パターン形成材料として好適なネガ型レジスト材料、特に化学増幅ネガ型レジスト材料、これを用いたパターン形成方法及びフォトマスクブランクを提供する。例文帳に追加

To provide a negative resist material, in particular a chemical amplitude negative resist material, which has a high contrast of alkali dissolution rate before and after light exposure, has a high resolution at high sensitivity and small line edge roughness and is especially suitable as a fine pattern forming material in manufacturing a super LSI or in manufacturing a photo mask pattern material and to provide a pattern formation method and a photomask blank using the negative resist material. - 特許庁

パターンの剥離なく光硬化型パターンを作製可能なネガ露光用フォトマスク、及びこれを用い作製した光硬化型パターンを提供する。例文帳に追加

To provide a photomask for negative exposure which permits production of a photocuring type pattern without peeling the pattern, and a photocuring type pattern produced using the same. - 特許庁

本発明は、ネガ型フォトレジスト(Negative Type Photo Resist)を用いた自己整列方式を利用してフォトマスクパターンの間に感光膜パターンを形成し、感光膜パターンを拡大するための熱処理工程を行った後、感光膜パターンをエッチング防止膜として用いてフォトマスクパターンに対してエッチング工程を行うことにより、さらに微細なフォトマスクパターン工程が可能な半導体素子のパターン形成方法を提供するものである。例文帳に追加

To provide a method of forming a pattern of a semiconductor device in which a smaller photomask pattern stage can be achieved by performing an etching stage for photomask patterns using photosensitive film patterns as an etch-stop layer after forming the photosensitive film patterns between the photomask patterns by using a self-alignment system using negative photoresist and then performing a heat treatment stage for expanding the photoresist film patterns. - 特許庁

このシリコン基板の全面にネガ型フォトレジスト膜を形成し、その上に、フォトマスクを遮光部の直線状の端部がシリコン基板のラインＬ１に合うように配置して光照射を行う。例文帳に追加

A negative type photoresist film is formed on the entire surface of the silicon substrate, and the photomask is arranged on the negative type photoresist film so that the straight end of the light-shielding section matches the line L1. - 特許庁

セラミック基板２１の表面にネガ型の感光性導電ペースト４１を塗布し、配線パターン用開口部４２を有する配線用フォトマスク４３を用いて露光する。例文帳に追加

Negative photosensitive conductive paste 41 is applied on the surface of a ceramic substrate 21, and is exposed to light using a wiring photomask 43 having a wiring pattern opening 42. - 特許庁

薄膜トランジスタと画素電極をマトリクス状に配置したガラス基板１上に顔料およびカーボン粒子を分散したネガ型着色感光性樹脂２を塗布し、フォトマスク３を介して紫外光４で露光する。例文帳に追加

This process for production consists in applying a negative type colored photosensitive resin 2 dispersed with pigments and carbon particles on a glass substrate 1 arranged with thin-film transistors and pixel electrodes in a matrix form and exposing this resin with UV light 4 via a photomask 3. - 特許庁