「ネガ型フォトマスク」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

次に、ネガ型の感光性樹脂層１０を形成し、透明絶縁基板１の裏面から、フォトマスクを用いずにＵＶ露光を行う。例文帳に追加

A negative photosensitive resin layer 10 is successively formed and exposed to UV from the backside of the transparent insulation substrate 1 without using a photo mask. - 特許庁

ネガ型フォトマスク作製時に生じる遮光パターンのラテラルエッチングを抑制し、パターン精度を向上させる。例文帳に追加

To improve the pattern accuracy by suppressing lateral etching in a light shielding pattern caused during producing a negative photomask. - 特許庁

基板１上にネガ型フォトレジストの塗膜２を設け、フォトマスクを介した露光Ｌ、及び現像処理により画素を形成する画素形成方法において、フォトマスクＰＭ２が、用いた塗布装置に固有な塗膜の膜厚分布の内、膜厚の厚い部分に対応したフォトマスク上の部分にハーフートーン４部を有すること。例文帳に追加

The pixel forming method includes steps of applying a coating film 2 of a negative photoresist on a substrate 1, exposing the film to light through a photomask and developing, wherein the photomask PM2 has a halftone portion 4 in a part on the photomask corresponding to a portion with a large film thickness in the film thickness distribution of a coating film specific to the coating device used. - 特許庁

第１のネガ型感光性樹脂層及び第２のネガ型感光性樹脂層が設けられた基体に、フォトマスクを介して露光、現像する画像形成方法において、前記フォトマスクが少なくとも２種類の光透過性パターンを有するものであり、且つ前記第１のネガ型感光性樹脂層と第２のネガ型感光性樹脂層との光感度比（第１／第２）が１より大きいことを特徴とする画像の形成方法である。例文帳に追加

As for the image forming method of exposing and developing a base having a 1st negative photosensitive resin layer and a 2nd negative photosensitive resin layer through a photomask, the photomask is provided with at least two kinds of light transmissive patterns, and also, the photosensitivity ratio (1st/2nd) of the 1st negative photosensitive resin layer to the 2nd negative photosensitive resin layer is >1. - 特許庁

露光前後のアルカリ溶解速度コントラストが高く、高感度で高解像性を有し、ラインエッジラフネスが小さい、特に超ＬＳＩ製造用あるいはフォトマスクパターン作製における微細パターン形成材料として好適なネガ型レジスト材料、特に化学増幅ネガ型レジスト材料、これを用いたパターン形成方法及びフォトマスクブランクを提供する。例文帳に追加

To provide a negative resist material, in particular a chemical amplitude negative resist material, which has a high contrast of alkali dissolution rate before and after light exposure, has a high resolution at high sensitivity and small line edge roughness and is especially suitable as a fine pattern forming material in manufacturing a super LSI or in manufacturing a photo mask pattern material and to provide a pattern formation method and a photomask blank using the negative resist material. - 特許庁

パターンの剥離なく光硬化型パターンを作製可能なネガ露光用フォトマスク、及びこれを用い作製した光硬化型パターンを提供する。例文帳に追加

To provide a photomask for negative exposure which permits production of a photocuring type pattern without peeling the pattern, and a photocuring type pattern produced using the same. - 特許庁

本発明は、ネガ型フォトレジスト(Negative Type Photo Resist)を用いた自己整列方式を利用してフォトマスクパターンの間に感光膜パターンを形成し、感光膜パターンを拡大するための熱処理工程を行った後、感光膜パターンをエッチング防止膜として用いてフォトマスクパターンに対してエッチング工程を行うことにより、さらに微細なフォトマスクパターン工程が可能な半導体素子のパターン形成方法を提供するものである。例文帳に追加

To provide a method of forming a pattern of a semiconductor device in which a smaller photomask pattern stage can be achieved by performing an etching stage for photomask patterns using photosensitive film patterns as an etch-stop layer after forming the photosensitive film patterns between the photomask patterns by using a self-alignment system using negative photoresist and then performing a heat treatment stage for expanding the photoresist film patterns. - 特許庁

このシリコン基板の全面にネガ型フォトレジスト膜を形成し、その上に、フォトマスクを遮光部の直線状の端部がシリコン基板のラインＬ１に合うように配置して光照射を行う。例文帳に追加

A negative type photoresist film is formed on the entire surface of the silicon substrate, and the photomask is arranged on the negative type photoresist film so that the straight end of the light-shielding section matches the line L1. - 特許庁

セラミック基板２１の表面にネガ型の感光性導電ペースト４１を塗布し、配線パターン用開口部４２を有する配線用フォトマスク４３を用いて露光する。例文帳に追加

Negative photosensitive conductive paste 41 is applied on the surface of a ceramic substrate 21, and is exposed to light using a wiring photomask 43 having a wiring pattern opening 42. - 特許庁

薄膜トランジスタと画素電極をマトリクス状に配置したガラス基板１上に顔料およびカーボン粒子を分散したネガ型着色感光性樹脂２を塗布し、フォトマスク３を介して紫外光４で露光する。例文帳に追加

This process for production consists in applying a negative type colored photosensitive resin 2 dispersed with pigments and carbon particles on a glass substrate 1 arranged with thin-film transistors and pixel electrodes in a matrix form and exposing this resin with UV light 4 via a photomask 3. - 特許庁

絶縁膜１１ｂを形成する際には、形成しようとする絶縁膜１１ｂの形状に開口されたフォトマスクを用いて絶縁膜１１ｂとなるネガ型の感光性絶縁材料を紫外線露光する。例文帳に追加

When the insulating film 11b is formed, an ultraviolet ray exposure is performed at a photosensitive insulating material of negative type set to the insulating film 11b using a photomask opened in the shape of the insulating film 11b which is going to be formed. - 特許庁

半導体、フォトマスク製造等のための、活性放射線（電子線、Ｘ線、又はＥＵＶ）の照射によるパターン形成において、高感度、高解像力で、現像欠陥が低減されたネガ型レジスト組成物を提供する。例文帳に追加

To provide a negative resist composition which has a high sensitivity and high resolution and decreased development defects in pattern formation by irradiation with active radiations (electron beams, X-rays, or EUV: extreme ultraviolet rays) for manufacturing of semiconductors, photomasks, etc. - 特許庁

ライン間絶縁層１４の上及びスパイラル溝１３内にネガ型感光性導電材料１６を膜状に付与して同じフォトマスク３０を用いて露光して未露光部分を除去し、コイル導体パターンを形成する。例文帳に追加

A negative photosensitive conductive material 16 is applied on the inter-line insulating layer 14 and in the spiral groove 13 like a film, and exposed by using the same photomask 30, and the non-exposed part is removed so that a coil conductor pattern can be formed. - 特許庁

同様に、ネガ型の感光性絶縁ペーストを露光するビアホール用フォトマスクでは、ビアホール用遮光部の外径寸法をセラミック基板２１の中央部に比べて外縁部の方が大きい値に設定する。例文帳に追加

Likewise, in a via hole mask where negative photosensitive insulating paste is exposed to light, an external diameter of a via hole optical shielding section is set to be larger than that of the center of the ceramic substrate 21. - 特許庁

まず、露光線Ｌを遮る遮光膜４と、その遮光膜４の外側に配置され、露光線Ｌの透過率を変える透過調整膜１１とを備えたフォトマスク５を用いてネガ型レジストの絶縁部３を露光する。例文帳に追加

First, an insulating section 3 composed of a negative resist is exposed by using a photomask 5 for carrying a light shielding film 4 which intercepts exposure light beams L, and a transmittance adjusting film 11 which is arranged outside of the film 4 and changes the transmittance of the light beams L. - 特許庁

各ソース電極８の後に透明画素電極に接続される領域を遮光するフォトマスク１１を使用してネガ型レジスト膜からなるカラーフィルタ１０Ｒ、カラーフィルタ１０Ｇ及びカラーフィルタ１０Ｂを同時に露光する。例文帳に追加

A color filter 10R, a color filter 10G, and a color filter 10B formed of negative resist films are exposed at the same time by using a photo mask shading the areas to be connected with transparent pixel electrodes behind each source electrode 8. - 特許庁

アレイ基板１１上に、ネガ型感光性レジスト２１を、７μｍ×１５μｍの露光部分２２ａ内部に３μｍ×３μｍの未露光部分２２ｂを有するフォトマスク２２を介して露光後現像し、頂上に平板状の平坦部分を有する柱状スペーサ２０を形成する。例文帳に追加

A post spacer 20 having a planar flat part on the top is formed on an array substrate by exposing a negative photoresist via a photomask 22 having about 3 μm×3 μm unexposed part 22b inside about 7 μm×15 μm exposed part 22a and subsequently developing it. - 特許庁

電子線等の光照射によるパターン形成において、高感度、且つ、優れたパターン形状、及び経時安定性を達成可能なネガ型レジスト組成物、及び当該ネガ型レジスト組成物を用いたレリーフパターンの製造方法、及び当該ネガ型レジスト組成物を用いたフォトマスクの製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a negative resist composition having high sensitivity and capable of achieving an excellent pattern shape and excellent temporal stability, in pattern formation by irradiation with light such as an electron beam, a method for producing a relief pattern using the negative resist composition, and a method for producing a photomask using the negative resist composition. - 特許庁

ネガ型のレジスト材料からなるレジスト膜に対して、疎に配置される第１のホールパターンを形成するための第１のホール用遮光部１と、該第１のホール用遮光部１の周辺に配置されたダミー遮光部２と、密に配置される第２のホールパターンを形成するための第２のホール用遮光部３を有する第１のフォトマスクＡを用いて第１回目のパターン露光を行なう。例文帳に追加

The first pattern exposure is performed to a resist film, consisting of negative type resist material by using the first photomask A, having a first hole light-shielding part 1 for forming the first hole patterns to be arranged sparsely, a second dummy light-shielding part 2 arranged in the periphery of the part 1 and a second hole light-shielding part 3 for forming the second hole patterns to be arranged densely. - 特許庁

透明基板上にネガ型ブラックレジストを塗布し、透明マスク基板上に縦横に互いに間隔をおいてマトリックス配列で配列された多数の矩形の遮光パターンを備え、隣接する遮光パターンの間は、多数の、遮光パターンの辺に沿う短辺を有する矩形の小開口部が遮光部を介して連なる小開口部−遮光部複合パターンからなるフォトマスクを介して前記ネガ型レジストに露光する。例文帳に追加

A transparent substrate is coated with negative type black resist, which is exposed through the photomask formed of a small opening part-light blocking part composite pattern equipped with many rectangular light blocking patterns arrayed in matrix longitudinally and laterally on the transparent mask substrate mutually at intervals so that many rectangular small opening parts having short sides along the light blocking patterns are successive across the light blocking parts. - 特許庁