モエかんの英語

これにより、サーモエレメントの感温部へのＰＴＣヒータからの受熱量のばらつきを抑え、サーモエレメントの安定した出力（リフト量）を得ることができるようにする。例文帳に追加

Consequently, variation in the amount of heat which is received at the temperature-sensitive part of the thermoelement from the PTC heater is limited, and the stabilized output (lift amount) of the thermoelement can be ensured. - 特許庁

ＰＴＣヒータ２０を発熱させ、ワックス式サーモエレメントの感温部１３を温めてピストン１４を強制的に作動させるが感知する感温アクチュエータ１０において、サーモエレメントの感温部とＰＴＣヒータとの間に、接触部材４０を介在させて設ける。例文帳に追加

A temperature-sensitive actuator 10 is configured to sense the temperature although a piston 14 is operated forcibly by generating heat from a PTC heater 20 and warming the temperature-sensitive part 13 of a wax thermoelement, wherein a contact member 40 is interposed between the temperature-sensitive part of the thermoelement and the PTC heater. - 特許庁

本発明の半導体装置の製造方法は、半導体基板１の上面に凹部５または凸部を形成した後、半導体基板１の上面にホモエピタキシーを実行してホモエピタキシャル膜４と欠陥層６とを形成し、そして、欠陥層６のオフ方向の長さ寸法を測定することに基づいてホモエピタキシャル膜４の膜厚を測定するように構成したものである。例文帳に追加

The method for manufacturing the semiconductor device comprises the steps of forming a recess 5 or a protrusion on the upper surface of a semiconductor substrate 1, then performing a homoepitaxy on the upper surface of the substrate 1 to form a homoepitaxial film 4 and a defect layer 6, and measuring the thickness of the film 4 based on the measurement of the length dimension of the layer 6 in the off direction. - 特許庁

広範囲の植物（トマト、ジャガイモ、エンドウマメ）に見られる病気で、トマトモザイク病とジャガイモモザイク病の混合感染症例文帳に追加

disease of a wide range of plants (tomatoes, potatoes, peas) resulting from a mixed infection of potato and tomato mosaic発音を聞く  - 日本語WordNet

サーモエレメントの感温部に対するＰＴＣヒータからの受熱を所要の状態で適切かつ確実に行えるように構成する。例文帳に追加

To appropriately and reliably perform heat receiving from a PTC heater for a temperature-sensitive part of a thermoelement in a required state. - 特許庁

低オフ角の炭化珪素基板上に、表面欠陥密度の小さいホモエピタキシャル成長層を形成する。例文帳に追加

To form a homo-epitaxial growth layer with a small surface defect density on a silicon carbide substrate with a low off-angle. - 特許庁

サーモエレメント２０の感温部２２の周壁には、互いに平行な面取り部３１を形成する。例文帳に追加

The thermoelement 20 has the temperature-sensing part 22, on the peripheral wall of which respective chamfers 31 are formed to be parallel with each other. - 特許庁

電子デバイスの高性能化のために、炭化珪素｛０００１｝面において、低オフ角面、理想的には、ほぼオフ無し面へのホモエピタキシャル成長を実現すること、並びに前記のホモエピタキシャル成長層における表面欠陥密度を低減すること。例文帳に追加

To realize a homoepitaxial growth to a low off angular surface in a silicon carbide {0001} plane to enhance the performance of an electronic device or ideally substantially to an off-less surface, to reduce a surface defect density in the homoepitaxial growth layer, and to make as flat as possible, on the front surface of the homoepitaxial grown layer. - 特許庁