成長パターンの英語

マスクパターン形成領域４に紫外線１０を照射して、当該マスクパターンを基板に転写するフォトマスク１において、マスクパターン形成面８及びその裏面９のうち、少なくともいずれか１つの面に、マスクパターン形成領域４で紫外線により成長する異物と同種の成長性物質が形成された窪み１５〜１７を有する評価パターン１２を設ける。例文帳に追加

The photomask 1 for transferring a mask pattern on a substrate, by having a mask pattern forming region 4 irradiated with ultraviolet rays 10, is provided with an evaluation pattern 12 having recesses 15-17 forming the same kind of growth substance as the contamination growing by the ultraviolet rays in the mask pattern formation region 4, on at least any one face from among a mask pattern formation surface 8 and its backside 9. - 特許庁

細胞パターンを形成しようとする表面に細胞成長促進分子及び／又は細胞成長阻害分子を当該表面にパターン被着させることによって予備パターンする工程と、上記予備パターンされた表面上に細胞を培養することによって上記表面上に細胞パターンを形成する工程とを有し、上記細胞が全体組織である。例文帳に追加

This method of forming a cell pattern comprises a step for prepatterning by attaching a cell growth-promoting molecule and/or a cell growth-inhibiting molecule on the surface on which the cell pattern may be formed, and a step for forming the cell pattern on the surface by culturing the cells on the surface having the prepattern. - 特許庁

シリコン基板上にエッチングによって形成されたパターンの間に成長した異物を除去して当該パターンの形状を回復させることのできるシリコン基板上のパターン修復方法及びシリコン基板上のパターン修復装置を提供する。例文帳に追加

To provide a method and an apparatus for recovering patterns on a silicon substrate, wherein foreign matters grown between the patterns formed on the silicon substrate by etching are removed to recover a shape of the patterns. - 特許庁

基板上において、瞬時に発生させた膜沸騰気泡の成長作用力で微粒子含有溶液を噴射させて、矩形パターンもしくは矩形パターンの組み合わせにより構成される電極パターンのコーナー部をドットパターンにより被覆するように打ち込む。例文帳に追加

On a substrate, solution containing fine particles is ejected with a growth action force of film boiling bubbles produced instantaneously to form a rectangular pattern or to form an electrode pattern by combining the rectangular patterns such that the corner part of the pattern is covered with a dot pattern. - 特許庁

従来の気相成長法とは異なる、固液界面へのレーザー光照射による液相成長反応に基づく半導体薄膜パターンの製造方法、半導体薄膜パターンおよび結晶性半導体薄膜パターンを提供する。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing a semiconductor thin film pattern based on liquid phase deposition reaction by irradiating laser light to a solid-liquid boundary surface, differing from a known vapor phase deposition method, a semiconductor thin film pattern and a crystalline semiconductor thin film pattern. - 特許庁

導電粒子１１を成長核として無電解メッキ法により選択的に金属を成長させて導電パターン１６を形成する(ｃ)。例文帳に追加

Thereafter, a conductive pattern 16 is formed by selectively growing a metal by electroless plating by using the particles 11 as growing crystals (c). - 特許庁

シリコンのエピタキシャル成長後のフォトリソグラフィ工程でのパターン合わせが可能となる、エピタキシャル成長方法を得る。例文帳に追加

To provide an epitaxial growing method, with which pattern matching is enabled in a photolithography process after the epitaxial growth of silicon. - 特許庁

次に、半導体基板９上に目合わせパターン成長阻止マスク及び１対の同方向に延びる成長阻止マスクを選択的に形成する。例文帳に追加

Than, an alignment pattern growth stopping mask and one pair of growth stopping masks extending in the same direction are selectively formed on the substrate 9. - 特許庁