In the MRAM with this constitution, the resistant value between the first magnetic material layer and the (n+1)-th magnetic material layer can be different values of {(n^2+n+2)/2} pieces or more, according to the direction of the first-(n+1)-th spontaneous magnetization.例文帳に追加

このような構成を有する当該磁性メモリでは、第１〜第（ｎ＋１）自発磁化の方向に応じて、第１磁性体層と第（ｎ＋１）磁性体層との間の抵抗値が、少なくとも｛（ｎ^２＋ｎ＋２）／２｝個以上の互いに異なる値をとり得る。 - 特許庁

Since the M plane is not a Ga polarization plane and an N (nitrogen) polarization plane, but a non-polar plane, the effect of an electric field caused by spontaneous polarization and piezoelectric polarization can be much reduced.例文帳に追加

Ｍ面は、Ｇａ極性面やＮ（窒素）極性面ではなく、無極性面となるので、自発分極やピエゾ分極により発生する電界の影響を非常に小さくすることができる。 - 特許庁

In the MRAM, tunnel insulating layers (5-1 through 5-3), are provided so as to be sandwiched between first to (n+1)-th magnetic material layers (4 and 6-1 through 6-3) and an i-th magnetic material layer, which have spontaneous magnetization respectively.例文帳に追加

本発明による磁性メモリは、トンネル絶縁層（５−１〜５−３）が自発磁化をそれぞれ有する第１〜第（ｎ＋１）磁性体層（４、６−１〜６−３）第ｉ磁性体層の間に介設されている。 - 特許庁

To provide a nitride semiconductor light emitting element using an SiC substrate wherein a p electrode and an n electrode are opposed to each other, and capable of stabilizing a drive voltage by reducing carrier depletion due to spontaneous polarization and piezoelectric polarization caused on a boundary of a semiconductor layer.例文帳に追加

ＳｉＣ基板を用いてｐ電極とｎ電極を対向させた窒化物半導体発光素子を構成するとともに、半導体層の界面に発生する自発分極やピエゾ分極によるキャリア空乏化を低減させて、駆動電圧を安定させることができる窒化物半導体発光素子を提供する。 - 特許庁

As descried above, the characteristic of the autofluorescent exciter filter as the middle-bandwidth bandpass filter is combined with the characteristic of the color filter, a pseudo spectral characteristic N of the red free filter can be realized without mounting the red free filter as the narrow-bandwidth bandpass filter.例文帳に追加

このように、中帯域バンドパスフィルタである自発蛍光エキサイタフィルタと、カラーフィルタの特性の組み合わせにより、狭帯域バンドパスフィルタである赤色フリーフィルタを装備することなく、擬似的に赤色フリーフィルタの分光特性Ｎを実現できる。 - 特許庁

In the gallium nitride semiconductor crystal 2, the growth surface becomes a nonpolar surface instead of an N (nitrogen) polar surface and a Ga polar surface, thus reducing the magnitude of an electric field due to the spontaneous polarization and the piezo polarization generated on the interface of p-side GaN/AlGaN and hence avoiding carrier depletion.例文帳に追加

これらの窒化ガリウム半導体結晶２は、その成長表面がＮ（窒素）極性面やＧａ極性面ではなく、無極性面となるので、ｐ側のＧａＮ／ＡｌＧａＮの界面で発生する自発分極やピエゾ分極による電界の大きさを小さくすることができ、キャリア空乏化を回避することができる。 - 特許庁

A spontaneously magnetized ferrite magnetic substance is coaxially placed on a microstrip TMn10 resonator (n: positive integer) formed by providing a metal disk and three time symmetric branching on a non- magnetic dielectric substrate, with which a ground conductor is provided on the back, and that ferrite magnetic substance is constituted so that the position of an electric field node coincides with one of said branching.例文帳に追加

裏面に接地導体が設けられた非磁性誘電体基板上に金属円板及び３回対称の分岐を設けることで形成されたマイクロストリップ形ＴＭ_ｎ１０共振器（ｎ：正の整数）上に、自発磁化されたフェライト磁性体を同軸に載置し、かつそのフェライト磁性体は、電界節の位置が上述した分岐の１つと一致するように構成されている。 - 特許庁

AIN layer/GaN layer/AIN layer three-layered structure in the atomic layer order is generated on an n-type GaN layer having C surface of a nitrogen atom surface on its surface, and thereby an enormous internal electric field by spontaneous polarization or piezopolarization generated in the quantum structure is used, and the electric field emitting electron emitting element drastically reducing a work function is obtained.例文帳に追加

表面が窒素原子面のＣ面を有するｎ型ＧａＮ層上へ原子層オーダーのＡｌＮ層／ＧａＮ層／ＡｌＮ層３層構造を成長させることにより、この量子構造に生じる自発分極やピエゾ分極による巨大な内部電界を利用し、電子の仕事関数を大幅に低減した電界放出電子放出素子を実現する。 - 特許庁

This is the electron emitting element which efficiently emits high density electrons by utilizing a large internal electric field by a spontaneous polarization and a piezo polarization generated in the nitride semiconductor and a resonance tunnel effect by an AIN/GaN multiplex barrier layer, and the AIN/GaN multiplex barrier layer and a GaN surface layer of dozens of nanometers are formed on the n-type GaN, and a surface electrode for electron extraction is fitted.例文帳に追加

窒化物半導体に生じる自発分極やピエゾ分極による大きな内部電界とＡｌＮ／ＧａＮ多重障壁層による共鳴トンネル効果を利用し、高密度電子を効率的に放出させる電子放出素子に関するもので、ｎ型ＧａＮ上へＡｌＮ／ＧａＮ多重障壁層と数十ナノメートルのＧａＮ表面層を作製し、電子取出用の表面電極を取り付けたものである。 - 特許庁

Because the film 13 is formed by alternately laminating two kinds of semiconductor layers each containing an n-type inpurity and whose piezo polarization quantity and spontaneous polarization quantity are different from each other, an electron is induced at an interface between the two semiconductor layers, thus allowing contact resistance between the electrode 14 and the layer 13 or parasitic resistance in a current transmission path to be more reduced than that in a conventional one.例文帳に追加

多層膜１３は、ピエゾ分極量あるいは自発分極量が互いに異なり、共にｎ型不純物を含む２つの半導体層を交互に積層することで形成されているので、２つの半導体層の界面に電子が誘起され、電極１４と多層膜１３との間のコンタクト抵抗や、電流伝達経路における寄生抵抗を従来よりも低減することができる。 - 特許庁