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P-type diamondとは 意味・読み方・使い方
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「P-type diamond」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 21件
A p-type diamond thin film formed by a CVD method from a carbon source is subjected to an inert gas, thereby converting it into an n-type diamond semiconductor.例文帳に追加
炭素源からのＣＶＤ法により形成されたｐ型ダイヤモンド薄膜を不活性ガスに曝すことでｎ型ダイヤモンド半導体に変換する。 - 特許庁
An emitter electrode 1 uses a p-type diamond semiconductor, and a collector electrode 2 uses an n-type diamond semiconductor.例文帳に追加
エミッタ電極１にｐ型ダイヤモンド半導体を用いると共に、コレクタ電極２にｎ型ダイヤモンド半導体を用いている。 - 特許庁
What is more, the first diamond layer 1 is composed of, for example, an undoped diamond, and the second diamond layer 2 is doped with, for example, boron (B), and the second diamond layer 2 is a p-type semiconductor.例文帳に追加
なお、第１のダイヤモンド層１は、例えばアンドープ・ダイヤモンドから構成されており、第２のダイヤモンド層２には、例えばボロン（Ｂ）がドーピングされ、第２のダイヤモンド層２はｐ型半導体となっている。 - 特許庁
A p-type semiconductor diamond layer 3 serving as a light emitting layer is selectively formed on the high resistive diamond layer 2.例文帳に追加
また、高抵抗ダイヤモンド層２上には、発光層となるｐ型半導体ダイヤモンド層３を選択的に形成する。 - 特許庁
MANUFACTURING METHOD FOR P-TYPE SURFACE CONDUCTIVE LAYER ON OXYGEN-TERMINATED (111) DIAMOND例文帳に追加
酸素終端（１１１）ダイヤモンド上におけるｐ型表面伝導層の製造方法。 - 特許庁
The diamond field effect transistor has a P-type nitride layer containing at least one of Al, Ga, B and In on P-type diamond, and also includes: a source electrode and a drain electrode coming in electric ohmic contact with a heterojunction between the P-type diamond and P-type nitride layer; and a gate electrode on the P-type nitride layer between the source electrode and the drain electrode.例文帳に追加
Ｐ型ダイヤモンド上に、少なくともＡｌ、Ｇａ、Ｂ、Ｉｎの１つを含むＰ型窒化物層を有し、Ｐ型ダイヤモンドとＰ型窒化物層との間のヘテロ接合に電気的にオーミック接触するソース電極およびドレイン電極と、ソース電極とドレイン電極との間のＰ型窒化物層上にゲート電極を有することを特徴とする。 - 特許庁
The diamond electron emitting element comprises a diamond substrate 1, a diamond n-type semiconductor layer 2 formed on the diamond substrate 1, a diamond p-type semiconductor layer 3 formed on the diamond n-type semiconductor layer 2, ohmic electrodes 4, 5 respectively formed on surfaces 2a, 3a of the diamond n-type semiconductor layer 2 and the diamond p-type semiconductor layer 3.例文帳に追加
ダイヤモンド下地基板１と、該ダイヤモンド下地基板１上に形成したダイヤモンドｎ型半導体膜２の層と、該ダイヤモンドｎ型半導体膜層上に形成したダイヤモンドｐ型半導体膜３の層と、前記ダイヤモンドｎ型半導体膜２の層及び前記ダイヤモンドｐ型半導体膜３の層のそれぞれの表面２ａ，３ａに形成したオーミック電極４，５とにより、ダイヤモンド電子放出素子を構成した。 - 特許庁
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「P-type diamond」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 21件
To provide a method for manufacturing a diamond semiconductor for obtaining a high-quality P-type/N-type diamond semiconductor which can not be obtained by a conventional method by preventing the etching of a diamond surface caused by the high-temperature/high-pressure annealing of an ion-implanted diamond.例文帳に追加
イオン注入したダイヤモンドの高温高圧アニールにより起こるダイヤモンド表面のエッチングを防ぎ、従来の方法では得られない高品質Ｐ型、Ｎ型ダイヤモンド半導体を得るダイヤモンド半導体の作製方法を提供すること。 - 特許庁
To provide a light-emitting device achieving improved luminous efficiency in a boron-doped diamond layer (p-type diamond layer) by suppressing the outflow of a hole existing in the boron-doped diamond layer and emitting ultraviolet rays and visible rays having high brightness.例文帳に追加
ホウ素ドープダイヤモンド層（ｐ形ダイヤモンド層）に存在する正孔の流出を抑制して、ホウ素ドープダイヤモンド層での発光効率を向上させ、高輝度の紫外線や可視光線を発する発光素子を提供する。 - 特許庁
A diamond crystal layer 1 having p-type or n-type conductivity is grown by a CVD device etc.例文帳に追加
ｐ型またはｎ型の伝導性を有するダイヤモンド結晶層１をＣＶＤ装置などで成長させる。 - 特許庁
An N-type diamond semiconductor crystal layer 4, doped with sulfur which serves as donor atoms, is formed through a CVD method on a P-type diamond semiconductor crystal 2 which is formed of high-pressure synthetic diamond doped with boron or natural IIb diamond to form a P-N junction 6.例文帳に追加
ホウ素ドープした高圧合成ダイヤモンド又は天然のＩＩｂ型ダイヤモンドから形成されたｐ型ダイヤモンド半導体結晶２上に、例えばプラズマＣＶＤ法によってドナー原子となるイオウをドープしたｎ型ダイヤモンド半導体結晶層４を成長させてｐｎ接合６を形成したものである。 - 特許庁
An electrode 6 for applying the electric field to the light emitting layer together with the electrode 5 is formed on the p-type semiconductor diamond layer 3.例文帳に追加
更にまた、ｐ型半導体ダイヤモンド層３上に、電極５と共に発光層に電界を印加する電極６を形成する。 - 特許庁
A capacitor composed of a structure of a p-type diamond (13), a fluoride (14), a PZT (15) and a metal (16) is also provided.例文帳に追加
更に、ｐ型ダイヤモンド（１３）／フッ化物（１４）／ＰＺＴ（１５）／金属（１６）構造からなるキャパシタを提供する。 - 特許庁
To provide a manufacturing method for a p-type surface conductive layer on a (111) homoepitaxial diamond thin film.例文帳に追加
(111)ホモエピタキシャルダイヤモンド薄膜上におけるｐ型表面伝導層の製造方法を提供する。 - 特許庁
The low resistance n-type semiconductor diamond can be obtained by controlling the lithium atomic concentration C_Li and the phosphorous atomic concentration C_P to be C_Li≤C_P when both of the lithium concentration C_Li and the phosphorous concentration C_P are ≥10^17/cm^3.例文帳に追加
リチウム原子濃度Ｃ_Ｌｉとリン原子濃度Ｃ_Ｐとが共に１０^１７ｃｍ^−３以上であり、Ｃ_Ｌｉ≦Ｃ_Ｐとすれば、低抵抗なｎ型半導体ダイヤモンドを得ることができる。 - 特許庁
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