PMOS deviceとは意味・読み方・使い方

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意味・対訳 PMOS素子

JST科学技術用語日英対訳辞書での「PMOS device」の意味

PMOS device

PMOS 素子

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「PMOS device」の部分一致の例文検索結果

該当件数 : 113件

例文

METHOD FOR FORMING COMPRESSIVE CHANNEL LAYER OF PMOS DEVICE USING GATE SPACER, AND PMOS DEVICE MANUFACTURED BY SAME例文帳に追加

ゲートスペーサを用いたＰＭＯＳ素子の変形されたチャネル層形成方法及びこの方法により形成されたＰＭＯＳ素子 - 特許庁

The method is provided for forming a compressive channel layer in a PMOS device and a PMOS device formed by the method.例文帳に追加

ＰＭＯＳ素子の変形されたチャネル層形成方法及びこの方法により形成されたＰＭＯＳ素子が開示される。 - 特許庁

To form a compressive channel layer in a PMOS device by simple processes and at a low price.例文帳に追加

工程が単純で、且つ低コストの方法でＰＭＯＳ素子に変形されたチャネル層を形成すること。 - 特許庁

A dual port semiconductor memory device comprises two PMOS load transistors, two NMOS pull-down transistors, two NMOS pass transistors, and one PMOS scan transistor, wherein the scan transistor being the PMOS transistor, thereby improving a noise margin of the dual port semiconductor memory device.例文帳に追加

２つのＰＭＯＳ負荷トランジスタ、２つのＮＭＯＳプルダウントランジスタ、２つのＮＭＯＳパストランジスタ及び１つのＰＭＯＳスキャントランジスタより構成されるが、スキャントランジスタがＰＭＯＳトランジスタであるゆえに、ノイズマージンが向上されるデュアルポート半導体メモリ装置である。 - 特許庁

To provide a producing method of semiconductor device for actualizing both removal of a stresser film in a pMOS domain and control of withdrawal of the boundary between pMOS domain and nMOS domain toward the nMOS side.例文帳に追加

ｐＭＯＳ領域のストレッサー膜の除去と、ｐＭＯＳ領域とｎＭＯＳ領域との境界部のｎＭＯＳ側への後退の抑制とを両立できる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device composed of an NMOS having a Si channel and a PMOS having an SiGe channel, wherein a tensile stress can be applied to the NMOS and dangling bonds can be reduced from the surface of the PMOS.例文帳に追加

Ｓｉチヤネルを有するＮＭＯＳとＳｉＧｅチャネルを有するＰＭＯＳで、ＮＭＯＳには引張り歪みを与える、ＰＭＯＳには、表面のダングリングボンドを減少させることができる半導体装置を提供する。 - 特許庁

例文

To provide a method for greatly contributing to the reliability of a device, in which the TDDB (Time Dependent Dielectric Breakdown) of a PMOS is improved, and a gate leak current is effectively suppressed, by including a substance which can include charges infinitely in a conventional PMD.例文帳に追加

従来のPMDにチャージを無限に含むことができる物質を包含させることで、PMOSのTDDB(Time Dependent Dielectric Breakdown)向上またはゲート漏えい電流を效果的に抑制することができて、素子の信頼性に大きく寄与する方法を提供する。 - 特許庁

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「PMOS device」の部分一致の例文検索結果

該当件数 : 113件

例文

To restore characteristic deterioration of a PMOS transistor for switch element by NBTI (Negative Bias Temperature Instability) phenomenon in a semiconductor device provided with a switch circuit having the PMOS transistor for switch element.例文帳に追加

スイッチ素子用ＰＭＯＳトランジスタをもつスイッチ回路を備えた半導体装置において、ＮＢＴＩ現象によるスイッチ素子用ＰＭＯＳトランジスタの特性劣化を回復させる。 - 特許庁

To provide a semiconductor device allowing further miniaturization by clarifying the boundary between an NMOS transistor and a PMOS transistor, and allowing both threshold voltages of the NMOS transistor and the PMOS transistor to be set at a low value of a practical level.例文帳に追加

ＮＭＯＳとＰＭＯＳとの境界を明確化して更なる微細化を可能とし、ＮＭＯＳとＰＭＯＳとの閾値電圧を共に実用レベルの低い値に設定できる半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor storage device of which the GIDL current in many PMOS transistors in the semiconductor storage device is reducible.例文帳に追加

半導体記憶装置内の多数のＰＭＯＳトランジスタにおけるＧＩＤＬ電流を低減可能な半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

Therefore, there is provided a semiconductor device equipped with PMOS capable of preventing leakage current and improving the rate of the device.例文帳に追加

これによって、漏洩電流を防止して、素子の速度を向上させることができるＰＭＯＳを具備する半導体素子を形成することができる。 - 特許庁

This device for improving protection of ESD in CMOS buffer comprises a plurality of PMOS transistors (31-37) and a plurality of NMOS transistors (41-47) which are connected with the PMOS transistors in series and have a larger finger width W than a finger width W of the PMOS transistors so as to endure the current load increased in case of a static discharge.例文帳に追加

本発明は、複数のＰＭＯＳトランジスタ（３１〜３７）と、このＰＭＯＳトランジスタと直列に接続され、静電放電の場合に増加された電流負荷に耐えることができるようＰＭＯＳトランジスタのフィンガー幅Ｗ_Ｐよりも大きいフィンガー幅Ｗ_Ｎを有する複数のＮＭＯＳトランジスタ（４１〜４７）とを有するＣＭＯＳバッファにおけるＥＳＤ保護を向上させる装置に関する。 - 特許庁

METHOD OF FORMING NMOS/PMOS TRANSISTOR HAVING SOURCE/DRAIN INCLUDING STRESS SUBSTANCE, AND DEVICE FORMED BY THE SAME例文帳に追加