Peripheral plasmaとは 意味・読み方・使い方

To solve a problem that the temperature rise at an outer peripheral part of a wafer cannot fully be avoided during plasma-etching because the outer peripheral part of the wafer suffers bowing.例文帳に追加

ウェーハ外周部の反りにより、プラズマエッチング時にその外周部の温度上昇を十分に抑えることができない。 - 特許庁

To provide a plasma processing apparatus which suppresses the deposition of a reaction product on an internal peripheral surface of a focusing ring, and of reduces the wasting of the internal peripheral surface of the focusing ring owing to plasma.例文帳に追加

フォーカスリングの内周面への反応生成物の堆積を抑制でき、また、フォーカスリング内周面のプラズマによる消耗を低減できるプラズマ処理装置を提供すること。 - 特許庁

On the plasma treatment device comprising a plasma generating electrode 1 having a vertical part at a peripheral part and a base material supporting body 4 facing each other, the gap between the plasma generating electrode 1 and the base material supporting body 4 is made variable.例文帳に追加

周縁部に垂直部を持つプラズマ発生電極１と基材支持体４とが向かい合っているプラズマ処理装置において、プラズマ発生電極１と基材支持体４との間隔が変更可能である。 - 特許庁

To provide a plasma processing apparatus preventing temperature lowering of an outer peripheral part of an object to be processed to attain uniform plasma processing in placing a substrate to be processed on a placing table to plasma-process the substrate by heat.例文帳に追加

被処理基板を載置台上に載置し、加熱しつつプラズマ処理を行う際に、被処理体の外周部の温度が低下することを防止して均一なプラズマ処理を行うことができるプラズマ処理装置を提供すること。 - 特許庁

A plasma treatment apparatus comprises a substrate placing part 5 for placing a substrate 2 to be treated by the plasma generated in a pressure reducible reaction chamber, and a peripheral member 3 which is arranged around the substrate placing part 5 and movable at least in the direction opposite to the direction that the surface of the peripheral member 3 is consumed by the plasma.例文帳に追加

減圧可能な反応室内に発生させたプラズマにより処理する基板２を設置する基板設置部５と、基板設置部５の周囲に設けられた周辺部材３とを備え、周辺部材３は、プラズマにより周辺部材３の表面が消耗する方向と反対方向に少なくとも可動である。 - 特許庁

To provide a plasma display panel having further reduced local driving noises, wherein one peripheral structure can be adjusted matching to the other peripheral structure on the long or short side and a clearance between a front plate and a back plate is kept uniform all over to actualize constant required discharge voltage on a peripheral portion of the PDP.例文帳に追加

長辺側もしくは短辺側の周辺構造に合わせて、他方の周辺構造を調整することができ、前面板と背面板の隙間を全面にわたって均一にすることが可能となる。 - 特許庁

A plurality of minute holes 3 are formed at the cylinder liner 2 so that at least some of the minute holes penetrate an outer peripheral surface 5 from an inner peripheral surface 4, and the outer peripheral surface 5 of the cylinder liner 2 is irradiated with plasma.例文帳に追加

少なくとも一部が内周面４から外周面５に亘って貫通するように、シリンダライナ２に対して多数の微小孔３を設け、このシリンダライナ２の外周面５に対してプラズマを照射する。 - 特許庁

To provide a plasma treatment method and an apparatus thereof, which can suppress dispersion of treatment on the center side section and the peripheral side of a wafer, even without reaction making the weakened or the pressure and a gas flow rate in a chamber being restricted strictly by suppressing the occurrence of plasma at performing of plasma treatment, such as plasma etching and plasma CVD.例文帳に追加

プラズマエッチングやプラズマＣＶＤなどのプラズマ処理を行う場合、プラズマの発生を抑制して反応を弱くしたり、チャンバ内の圧力やガス流量などを厳しく制約しなくても、ウェハの中心部側と周辺部側とにおける処理のバラツキを抑制することができるプラズマ処理方法およびその装置を提供する。 - 特許庁