electron affinityとは 意味・読み方・使い方

The electron affinity of a semiconductor forming the electron supply layer is made smaller than the electron affinity of a semiconductor forming the spacer layer below the electron supply layer.例文帳に追加

電子供給層を形成する半導体の電子親和力が、この電子供給層の下にあるスペーサ層を形成する半導体の電子親和力より小さく構成されている。 - 特許庁

A semiconductor having lower electron affinity than a channel region is formed in a body contact region in case of electron conductivity type and a semiconductor having higher electron affinity and band gap than the channel region is formed in case of hole conductivity type.例文帳に追加

電子電動型であればチャネル領域よりも電子親和力の小さい半導体、正孔伝導型であればチャネル領域よりも電子親和力とバンドギャップの和が大きい半導体をボディ・コンタクト領域に形成する。 - 特許庁

INJECTING COLD CATHODE HAVING NEGATIVE ELECTRON AFFINITY BASED ON WIDE GAP SEMICONDUCTOR STRUCTURE例文帳に追加

ワイドギャップの半導体構造に基づく負の電子親和力を備えた注入冷陰極 - 特許庁

To realize a technique that dispenses with a negative electron affinity of a surface of a compound semiconductor when emitting a polarized electron beam from a cathode.例文帳に追加

陰極から偏極電子線を放出させるにあたって、化合物半導体の表面に負の電子親和性を必要としない技術を実現する。 - 特許庁

A method is provided for manufacturing an n-type organic semiconductor material by introducing an electron-affinity boron complex into an organic pi-electron system.例文帳に追加

本発明では、電子親和性のホウ素錯体を有機パイ電子系に導入してｎ型有機半導体材料を製造する方法を開発した。 - 特許庁

To provide an electron source that works at a room temperature, by using only an injection of current into an n-type diamond semiconductor having a negative electron affinity.例文帳に追加

負の電子親和力を持つｎ型ダイヤモンド半導体への電流注入のみを用いて、室温動作する電子源を提供する。 - 特許庁

In addition, if the semiconductor material has almost the same level of electron affinity as electron affinity of the adjacent organic layer 24, an energy spike of the cathode 22 on the boundary surface between the cathode and the organic layer 24 can be made small.例文帳に追加

また、隣接する有機層２４の電子親和力と同程度の電子親和力とすることで、該陰極２２の有機層２４との界面におけるエネルギのスパイクを小さくできる。 - 特許庁

On a buffer layer 23, an n-type InGaAs channel layer 24 having a large electron affinity and high impurity concentration, an InGaAs channel layer 25 having a large electron affinity and low impurity concentration, an n-type AlGaAs barrier layer (electron feeding layer) 26 having a small electron affinity and high impurity concentration, and an n+-type GaAs contact layer 27, are stacked.例文帳に追加

バッファ層２３の上に、電子親和力が大きくて高不純物濃度のｎ型ＩｎＧａＡｓチャネル層２４、電子親和力が大きくて低不純物濃度のＩｎＧａＡｓチャネル層２５、電子親和力が小さくて高不純物濃度のｎ型ＡｌＧａＡｓ障壁層（電子供給層）２６、ｎ^＋型ＧａＡｓコンタクト層２７を積層する。 - 特許庁