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電子親和力の英語
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英訳・英語 electron affinity
「電子親和力」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 77件
また、同時に、電子親和力は大きくなり、電子親和力とバンドギャップとの和は小さくなる。例文帳に追加
At the same time, electron affinity increases and the sum of the electron affinity and the band gap decreases. - 特許庁
へテロ接合部において電子供給層１０４の電子親和力はチャネル層１０３の電子親和力よりも小さい。例文帳に追加
In a heterojunction part, the electron affinity of the electron supply layer 104 is lower than the electron affinity of the channel layer 103. - 特許庁
［ＩＩ］発光素子用材料の電子親和力Ｅａ（１）と、不純物の電子親和力Ｅａ（２）とが、Ｅａ（１）≧Ｅａ（２）である。例文帳に追加
[II] Electron affinity Ea(1) of the material for a light-emitting element and electron affinity Ea(2) of the impurities satisfy a relation Ea(1)≥Ea(2). - 特許庁
トンネリング抑制層は、ベース材料とは異なり、ベース材料の電子親和力以上の電子親和力を備える材料から製作される。例文帳に追加
The tunneling suppression layer is prepared of a material having electron affinity greater than that of the base material, different from the base material. - 特許庁
この開口部には正の電子親和力を有する酸素原子が付着している。例文帳に追加
Oxygen atoms having a positive electron affinity are attached to the opening. - 特許庁
好ましくは、前記ガス状分子は負の電子親和力を有する。例文帳に追加
Preferably, the gas-like molecules have negative electronic affinities. - 特許庁
また、負性電子親和力を持つ物質としてＤＬＣを用いる。例文帳に追加
A DLC(diamond like carbon) is used as a substance having the negative electron affinity. - 特許庁
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電子親和力
an election that participates in chemical bonding, called {valence election}
an electron with a negative charge
the electrode in a transistor where electrons originate
the emission of electrons from very hot substances
「電子親和力」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 77件
バリア層１０５、電子供給層１０４よりも電子親和力が小さいＡｌＮで構成される。例文帳に追加
The barrier layer 105 is constituted of AlN, and is lower than the electron supply layer 104 in electron affinity. - 特許庁
電子供給層を形成する半導体の電子親和力が、この電子供給層の下にあるスペーサ層を形成する半導体の電子親和力より小さく構成されている。例文帳に追加
The electron affinity of a semiconductor forming the electron supply layer is made smaller than the electron affinity of a semiconductor forming the spacer layer below the electron supply layer. - 特許庁
ワイドギャップの半導体構造に基づく負の電子親和力を備えた注入冷陰極例文帳に追加
INJECTING COLD CATHODE HAVING NEGATIVE ELECTRON AFFINITY BASED ON WIDE GAP SEMICONDUCTOR STRUCTURE - 特許庁
電子電動型であればチャネル領域よりも電子親和力の小さい半導体、正孔伝導型であればチャネル領域よりも電子親和力とバンドギャップの和が大きい半導体をボディ・コンタクト領域に形成する。例文帳に追加
A semiconductor having lower electron affinity than a channel region is formed in a body contact region in case of electron conductivity type and a semiconductor having higher electron affinity and band gap than the channel region is formed in case of hole conductivity type. - 特許庁
また、ＧａＡｓ系の半導体素子において、電子親和力差の大きなヘテロ接合を形成するために、電子親和力が小さいＩｎ_ｒＧａ__１−ｒＮ（０＜ｒ≦１）とのヘテロ接合を形成する。例文帳に追加
Furthermore, in a GaAs-based semiconductor device, for forming a heterojunction having a large difference in electron affinity, a heterojunction to InrGa1-rN (0<r≤1) having small electronic affinity is formed. - 特許庁
また、隣接する有機層２４の電子親和力と同程度の電子親和力とすることで、該陰極２２の有機層２４との界面におけるエネルギのスパイクを小さくできる。例文帳に追加
In addition, if the semiconductor material has almost the same level of electron affinity as electron affinity of the adjacent organic layer 24, an energy spike of the cathode 22 on the boundary surface between the cathode and the organic layer 24 can be made small. - 特許庁
薄膜ダイヤモンド３０は、有機ＥＬ層４０上に形成され、負の電子親和力を有し、電子を放出する。例文帳に追加
A thin film diamond 30 formed on the organic EL layer 40 has a negative electron affinity and discharges electrons. - 特許庁
負の電子親和力を持つｎ型ダイヤモンド半導体への電流注入のみを用いて、室温動作する電子源を提供する。例文帳に追加
To provide an electron source that works at a room temperature, by using only an injection of current into an n-type diamond semiconductor having a negative electron affinity. - 特許庁
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