negative resistance deviceとは 意味・読み方・使い方

In this device, heat and resistance are applied to negative ion generating materials 13, 14 to generate humidity, negative ions and far infrared rays in the interior of a room, and the temperature in the room is made equal to those of the negative ions and high humidity to be absorbed in the body, so that perspiration can be caused even at low temperatures by the negative ions and far infrared rays.例文帳に追加

室内でマイナスイオン生成材１３，１４に温熱と抵抗を加えて湿度・マイナスイオン・遠赤外線等を発生させ、室内の温度と該マイナスイオン・高湿度等を同じ温度にして身体に吸収し、マイナスイオン・遠赤外線により低温でも発汗できる装置とする。 - 特許庁

The semiconductor device has a detection resistance element in which a resistor 3b having positive temperature characteristics and a resistor 3a having negative temperature characteristics are connected in parallel.例文帳に追加

正の温度特性を有する抵抗３ｂと負の温度特性を有する抵抗３ａを並列に接続した検出抵抗素子を備える。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which has negative resistance property and functions as a tunnel element between bands high in PV ratio.例文帳に追加

負性抵抗特性を有し、ＰＶ比の高いバンド間トンネル素子として機能する半導体装置を提供する。 - 特許庁

To eliminate the use of a negative potential generating circuit and also to shorten a data readout time in a semiconductor memory device provided with a resistance variation type memory element.例文帳に追加

抵抗変化型メモリ素子を備えた半導体記憶装置において、負電位発生回路を不要にすると共に、データ読み出し時間を短縮する。 - 特許庁

To unnecessitate a negative potential generating circuit, and to shorten a data read-out time, in a semiconductor memory device including a variable resistance type memory element.例文帳に追加

抵抗変化型メモリ素子を備えた半導体記憶装置において、負電位発生回路を不要にすると共に、データ読み出し時間を短縮する。 - 特許庁

Thereby, no crack is generated in the negative electrode 14 even when a moisture resistance test is executed to the organic EL device 1.例文帳に追加

従って、有機ＥＬ装置１に対して耐湿試験を行っても、陰極１４にクラックが発生することがない。 - 特許庁

A control circuit 17 imposes negative feedback to the main amplifier 11 via the diode D_2 and the negative-feedback resistance R_fb when the current I_d flowing in the tested device 1 exceeds a current limit value I_2 (I_2>I_1).例文帳に追加

制御回路１７は、被測定デバイス１に流れる電流Ｉ_d が電流制限値Ｉ_2 （Ｉ_2 ＞Ｉ_1 ）より大きい場合、ダイオードＤ_2 及び負帰還抵抗Ｒ_fb を介してメインアンプ１１へ負帰還をかける。 - 特許庁

Thereby, no crack is generated in the negative electrode 14 because excessive stress is applied to the negative electrode 14 even when a moisture resistance test is executed to the organic EL device 1.例文帳に追加

それ故、有機ＥＬ装置１に対して耐湿試験を行っても、陰極１４に過大な応力が加わらないので、陰極１４にクラックが発生することがない。 - 特許庁