「第2シード」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

本発明のプロセスによって、第1のコイル層と第2のコイル層に使用するトレンチの側壁にコイル用のシード層を溶着することができる。例文帳に追加

The process enables a seed layer for the coil to be welded on a sidewall of a trench used for a first coil layer and a second coil layer. - 特許庁

絶縁膜２上に第１の金属又は該金属を含む化合物を供給することにより、第１のシード層４を形成する。例文帳に追加

A first seed layer 4 is formed by supplying a first metal or a compound containing the metal onto an insulating film 2. - 特許庁

Ｃ軸が矢印Ｃの方向に配向する第１のシード２を準備し（ステップ１）、続いて引下げ法を用い、第１のシード２におけるＣ軸と平行な平面と原材料融液の漏出部とを接触させ、接触部分より結晶の成長を開始する（ステップ２）。例文帳に追加

The first seed 2 whose C-axis is oriented to the direction of an arrow head C is prepared (step 1), and then by using a pulling-down method, a parallel plane with the C-axis at the first seed 2 and a leakage part of the raw material melt are contacted and growth of a crystal is started from the contact part (step 2). - 特許庁

本発明では、半導体基板上の第一層間膜１内に形成された溝２内に、銅と第一金属元素とを含有する銅シード膜４を形成する。例文帳に追加

A copper seed film 4 containing a copper and a first metal element is formed in a groove 2 formed in a first interlayer film 1 over a semiconductor substrate. - 特許庁

基板１の上に、裏打層２、ＦｅＣｏＢシード層３、ｆｃｃ構造の結晶配向制御層４、非磁性下地層５、第１記録層６、第２記録層７及び保護層８を形成する。例文帳に追加

A backing layer 2, an FeCoB seed layer 3, a crystal orientation control layer 4 having an fcc structure, a non-magnetic underlayer 5, a first recording layer 6, a second recording layer 7 and a protective layer 8 are formed on a substrate 1. - 特許庁

絶縁層３の露出している部位の表面と貫通孔２の内側における第１の金属部５ａの表面とに跨って第２の金属層４ｂを形成し（図１（ｆ））、第２の金属層４ｂをシード層として電解メッキ法により第２の金属部５ｂを析出させる（図１（ｇ））。例文帳に追加

A second metal layer 4b is so formed as to be extended over the surface of an exposed part of the insulation layer 3 and on the surface of the first metal portion 5a inside the through hole 2 (Figure 1(f)), and with the second metal layer 4b as a seed layer, a second metal portion 5b is deposited by electroplating (Figure 1(g)). - 特許庁

続いて、ＣＭＰ法により、絶縁膜２の配線溝２ａを除く上面に残存する合金膜７、バリア層５及び第１のシード層４を除去することにより、配線溝２ａに配線７Ａを形成する。例文帳に追加

Following that the alloy film 7, the barrier metal layer 5, and the first seed layer 4 remaining on the upper surface, excluding the wiring groove 2a, of the insulating film 2 are removed by the CMP method, thereby forming a wiring 7A in the wiring groove 2a. - 特許庁

Ｃ軸とは異なるｈ方向に第１のシード２を引下げることにより、結晶の延在方向とは異なる方向にＣ軸が配向した円筒状の単結晶が得られる（ステップ３）。例文帳に追加

By pulling-down the first seed 2 to the direction of h different from the C-axis, a single crystal of the shape of a cylinder in which the C-axis is oriented to the different direction from the extension direction of crystal is obtained (step 3). - 特許庁

半導体基板１上の絶縁膜２に形成された第１の配線溝３と該配線溝よりも幅広の第２の配線溝５を含む全面にバリアメタル膜６ａ、めっきシード膜を順次形成した後、第１の銅めっき膜７ａを電気めっきして、熱処理する。例文帳に追加

A barrier metal film 6a and a plated seed film are successively formed on an entire surface including a first wiring groove 3 that is formed at an insulating film 2 on a semiconductor substrate 1 and a second wiring groove 5 that is wider than the wiring groove 3, and a first copper-plated film 7a is electrically plated for heat treatment. - 特許庁

テクスチャ加工は、１μｍ平方あたり２５本以上、６０本以下の略同心円状の溝で、深さは、３ｎｍ以上、５ｎｍ以下であることが好ましく、第２もしくは第４シード層は、Ｔｉを３０原子％以上、５０原子％以下含有することが好ましい。例文帳に追加

The textured surface has 25 to 60 grooves/1 μm^2 nearly concentric preferably having 3 to 5 nm depth and the second and the fourth seed layers preferably contain 30 to 50 at% Ti. - 特許庁

さらに、軟磁性裏打層４の上面側に、第１の中間層６ａまたは第２の中間層６ｂの下面に接するシード層５を備えるようにし、非磁性基体１と軟磁性裏打層４の間に、少なくとも１層の下地層２と磁区制御層３とを順次積層して備えるようにした。例文帳に追加

Further, a seed layer 5 coming in contact with a lower surface of the first intermediate layer 6a or the second intermediate layer 6b is provided at an upper surface side of the soft magnetic backlining layer 4, and a base layer 2 of at least one layer and a magnetic domain control layer 3 are laminated successively. - 特許庁

基板（ガラス基板）１の表面に所定の表面粗さを有する同心円状の凹凸を形成し、その上に、プリコート層２、シード層３、下地層４、第１の磁性層５、スペーサ層６、第２の磁性層７、保護層８、潤滑層９を順次積層した。例文帳に追加

Concentric circular recessed and projected parts having predetermined surface roughness are formed on the surface of a substrate (glass substrate) 1, and a precoated layer 2, a seed layer 3, a substrate layer 4, a first magnetic layer 5, a spacer layer 6, a second magnetic layer 7, a protective layer 8 and a lubricant layer 9 are sequentially laminated thereon. - 特許庁

半導体装置１００は、無機絶縁膜８上に形成された第１の有機絶縁膜２と、第１の有機絶縁膜２に形成され無機絶縁膜８に達する開口部（開口部１４）と、この開口部を介して無機絶縁膜８に接続された第１の金属パターン（シードメタル９及び配線メタル１０）を有する。例文帳に追加

The semiconductor device 100 has a first organic insulation film 2 formed on an inorganic insulation film 8, an aperture (opening 14) formed in the first organic insulation film 2 to reach the inorganic insulation film 8, and a first metal pattern (seed metal 9 and an interconnect metal 10) connected with the inorganic insulation film 8 through the aperture. - 特許庁

窒化物半導体とは異なる異種基板１上に窒化物半導体のシード結晶２を形成し、その上部に窒化物半導体が成長しない保護膜４を形成し、横方向成長のみで形成された第１の窒化物半導体層５の端面から第２の窒化物半導体層６を横方向成長させる。例文帳に追加

A method for producing the objective nitride semiconductor substrate comprises forming the seed crystal 2 of the nitride semiconductor on a substrate 1 different therefrom, forming a protective film 4, on the upper part of which the nitride semiconductor does not grow, and then growing a second nitride semiconductor layer 6 in a transverse direction from the edge face of a first nitride semiconductor layer 5 formed only by a transversely directional growth. - 特許庁