お近づきの印の英語

ＭＯＳトランジスタＱ７のゲート−ソース間にオン制御電圧が印加されたときには、当該トランジスタＱ７のドレイン電位がソース電位に急速に近づき、急速にオン状態に遷移する。例文帳に追加

When an ON-control voltage is applied between a gate and a source of the MOS transistor Q7, a drain electric potential of the transistor Q7 rapidly approaches to the source electric potential and the transistor rapidly shifts to the ON-state. - 特許庁

酸化物単結晶がランガサイトである場合、磁場や電場を印加すると、ランガサイトの初晶域がランガサイトの化学量論組成に近づき、ランガサイトの初晶が析出するのが促進されるので、ランガサイトの結晶化を容易に行うことが可能となる。例文帳に追加

When the oxide single crystal is langasite, the initial crystal zone of langasite approaches the stoichiometric composition of langasite by applying a magnetic field or an electric field to promote deposition of the initial crystal of langasite, and thereby, crystallization of langasite can be easily performed. - 特許庁