かもりちょう３ちょうめの英語

置換部（２、３）は、メモリセル（１１）のうちの置換対象メモリセルを置換する置換先冗長メモリセルを、冗長メモリセル（１１）のうちから定める。例文帳に追加

The replacement section 2, 3 decides a redundant memory cell out of the redundant memory cells 12 for replacing a memory cell to be replaced out of memory cells 11. - 特許庁

これにより、メインマイコン１０は、調整装置３から送信された製品情報や、各種の調整値を受信してメモリ１８に格納したり、メモリ１８に格納されている各種の値を調整装置３に送信したりする調整処理を行うことができる。例文帳に追加

Thus, the main microcomputer 10 can perform the adjustment processing for receiving product information transmitted from the adjustment device 3 and various adjustment values, storing them in a memory 18 and transmitting the various values stored in the memory 18 to the adjustment device 3. - 特許庁

本発明のメモリは、複数のメモリセル（１１）と、複数の冗長メモリセル（１２）と、置換部（２、３）とを備える。例文帳に追加

This memory is provided with plural memory cells 11, plural redundant memory cells 12, and replacement sections 2, 3. - 特許庁

そして、制御部１０は、所定の操作入力に基づいて自動調光制御を中断し、メモリ部３に記憶された所定の調光レベルに光源を調光した後に、前記自動調光制御を再開する。例文帳に追加

Further, the control part 10 suspends the automatic light-dimming control based on a given operating input, and reopens the automatic light-dimming control after controlling the light source at the given light-dimming level stored in the memory part 3. - 特許庁

（３）調理台の側面に運搬用の手掛りとなる凹み４を設けた（１）又は（２）記載の盛器兼用調理台。例文帳に追加

(3) The cooking table cum the serving container described in (1) or (2) has concave parts 4 formed at the side faces of the cooking table and becoming handholds. - 特許庁

半導体記憶装置１は、正規ＲＡＭ２と、正規ＲＡＭ２とは独立して設けられ、冗長回路として機能する冗長ＲＡＭ３と、正規ＲＡＭ２の正規メモリセルアレイを、冗長ＲＡＭ３の冗長メモリセルアレイで置換する制御部４とを備えている。例文帳に追加

A semiconductor memory device 1 is provided with a normal RAM 2, a redundancy RAM 3 provided independently from the normal RAM 2, serving as the redundancy circuit, and a control unit 4 for replacing a normal memory cell array of the normal RAM 2 by a redundancy memory cell array of the redundancy RAM 3. - 特許庁

このとき置換部（２、３）は、前記置換対象メモリセルが前記第１特性を有するか前記第２特性を有するかに応じて、冗長メモリセル（１１）のうちから前記置換先冗長メモリセルを定める。例文帳に追加

At that time, the replacement sections 2, 3 decides the redundant memory cell out of the redundant memory cells 12 in accordance with whether the memory cell to be replaced has the first characteristics or the second characteristics. - 特許庁

ＲＡＭ３に対してアクセス元１、２からのメモリアクセスが競合した場合、メモリアクセス調停回路１０によって、アクセス元２からのメモリアクセスを、そのアクセスサイクル内で遅延させて、次のメモリアクセスまでにＲＡＭ３に対してメモリアクセスが行われるように調停する。例文帳に追加

When memory accesses from access sources 1 and 2 compete with respect to the RAM 3, a memory access from the access source 2 is delayed by the memory access arbitration circuit 10 within the access cycle, and arbitration is performed so that the memory access to the RAM 3 is made before the next memory access. - 特許庁