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けいはくたんしょうの英語
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「けいはくたんしょう」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 670件
StreamReaderWriter インスタンスは、StreamReader クラスと StreamWriterクラスを合わせたインタフェースを継承します。例文帳に追加
StreamReaderWriter instances define the combined interfaces of StreamReader and StreamWriter classes. - Python
そして、第１の波形部分の先端にある電圧上昇部は、矩形波形の先端電圧上昇部に近似している。例文帳に追加
Then, a voltage elevation part atop of the 1st waveform part approximates a tip voltage elevation part of a rectangular waveform. - 特許庁
炭化珪素膜形成後にクラックや剥離が生じることなく、炭化珪素膜を炭素基材の表面上に効率良く形成する。例文帳に追加
To efficiently form a silicon carbide film on the surface of a carbon base material without causing cracks nor peeling after the formation of the silicon carbide film. - 特許庁
炭化珪素単結晶製造時に炭化珪素種単結晶とサセプタとの接着界面が剥離することなく、炭化珪素種単結晶が確実にサセプタに固定されるような好適な接着方法を提供する。例文帳に追加
To provide a joining method, by which the exfoliation at the adhesion interface between a silicon carbide seed crystal and a susceptor can be suppressed when a silicon carbide single crystal is produced and which is suitable for surely fixing the silicon carbide seed crystal to the susceptor. - 特許庁
単結晶シリコン薄膜の形成方法及び薄膜トランジスタの形成方法例文帳に追加
METHOD FOR FORMING SINGLE-CRYSTAL SILICON THIN FILM AND METHOD FOR FORMING THIN-FILM TRANSISTOR - 特許庁
単結晶基板に形成された窒化物半導体層を安価なセラミックス基板に融着させ、単結晶基板を剥離除去する。例文帳に追加
A method for manufacturing a nitride semiconductor layer comprises fusing the nitride semiconductor layer formed on a single crystal substrate onto an inexpensive ceramic substrate and then peeling and removing the single crystal substrate. - 特許庁
そして、単結晶シリコン膜４等によって薄膜トランジスタを形成する。例文帳に追加
A thin-film transistor is formed by the single crystal silicon film 4 or the like. - 特許庁
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「けいはくたんしょう」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 670件
通信距離が長くて、軽薄短小化が可能な非接触情報通信装置を提供することにある。例文帳に追加
To provide a non-contact information communication device with a long communication range that can be miniaturized. - 特許庁
単結晶シリコン層の形成方法、及びこれを利用した薄膜トランジスタの製造方法例文帳に追加
METHOD OF FORMING SINGLE-CRYSTAL SILICON LAYER, AND METHOD OF MANUFACTURING THIN-FILM TRANSISTOR USING THE SAME - 特許庁
シリコン単結晶またはＧａＡｓ単結晶からなる基板と、非線形光学効果を有する単結晶との複合基板であって、基板の反り、剥離、割れが生じにくい複合基板を提供する。例文帳に追加
To provide a compound substrate which consists of a silicon single crystal or a GaAs single crystal and another single crystal with nonlinear optical effect and in which warpage, peeling or crack of the substrate hardly occurs. - 特許庁
単結晶Ｓｉ薄膜トランジスタ１１の形成領域において、その絶縁層中の所定箇所に中継パッド３３を形成する。例文帳に追加
In the forming region of a single crystal Si thin film transistor 11, a relay pad 33 is formed at a predetermined place in the insulating layer thereof. - 特許庁
その携帯端末において購入了承が入力されたときには、携帯端末はクレジット番号のデータを決済サーバに送信する。例文帳に追加
When purchase approval is input in the mobile terminal, the mobile terminal transmits data on the credit number to the settlement server. - 特許庁
継手本体３３には、管の端部を収受する管端収納部４３とそれよい内径の小さいパッキン摺接部４５を形成する。例文帳に追加
A joint body 33 has a pipe end storage portion 43 for receiving the end of the pipe and a packing slide-contact portion 45 having a smaller inner diameter. - 特許庁
絶縁基板上に、転写により形成された単結晶Ｓｉ薄膜トランジスタと、絶縁基板上で形成された多結晶Ｓｉ薄膜トランジスタとを有する半導体装置において、多結晶Ｓｉ薄膜を形成するためのレーザ光照射による単結晶Ｓｉ薄膜トランジスタの損傷を防止する。例文帳に追加
To obtain a semiconductor device having a single crystal Si thin film transistor fabricated on an insulating substrate by transfer, and a poly-Si thin film transistor fabricated on the insulating substrate in which the single crystal Si thin film transistor is protected against damage due to laser beam irradiation for forming a poly-Si thin film. - 特許庁
未結晶部分と結晶粒界を実質的に含まない単一の大結晶粒を形成できる半導体薄膜の結晶化方法、結晶化装置、位相シフタ、薄膜トランジスタおよび表示装置を提供する。例文帳に追加
To provide a method of crystallizing a thin semiconductor film by which a single large crystal grain substantially containing no uncrystallized portion nor a crystal grain boundary can be formed, and to provide a crystallizer, a phase shifter, a thin film transistor, and a display device. - 特許庁
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