けい素反転層の英語

画素スイッチング素子１０２のチャネル端からドレイン部に渡る領域の電位と、その領域に対面する導電層の電位とが反転駆動時において同電位になるように、その対面する導電層を形成する。例文帳に追加

A conductive layer facing a region from a channel end to a drain part of a pixel switching element 10 is formed in such a manner that the potential of the above described region and the potential of the conductive layer facing the region have the same potential during inversion driving. - 特許庁

支持基板と上側基板との間に、周期分極反転構造が設けられたチャンネル型光導波路を備える波長変換層が挟まれた形態の小型化された高調波発生素子において、周期分極反転構造の劣化による波長変換効率の低下を防止する。例文帳に追加

To prevent lowering of wavelength conversion efficiency due to deterioration of a periodic polarization reversal structure in a miniaturized harmonic wave generator in which a wavelength conversion layer including a channel type optical waveguide provided with a periodic polarization reversal structure is held between a support substrate and an upper substrate. - 特許庁

ｎ型ＡｌＧａＡｓ層の、ｐ型ＡｌＧａＡｓ層との界面の近傍に含有する炭素の濃度を、ｐ型反転層を形成する濃度より低くする。例文帳に追加

The concentration of carbon contained near the interface of an n-type AlGaAs layer against a p-type AlGaAs layer is made lower than that for forming a p-type inversion layer. - 特許庁

ダイオードとスピン注入磁化反転誘起層とトンネル型磁気抵抗効果素子からなるＭＩＳ接合積層膜を形成し、ビット線とワード線をこの積層膜に接続させる。例文帳に追加

An MIS junction laminated film is formed of a diode, a spin injection magnetization inversion inducing layer, and a tunneling type magneto-resistive element, and a bit line and a word line are connected to the laminated film. - 特許庁

金層２において可視レーザ光Vによって表面プラズモン共鳴光を励起し、光パルス発生器７から光パルスP_7を照射して有機色素層３を励起して時間的変化する反転分布状態にし、反転分布状態の時間的変化に応じて有機色素層３の消衰係数k_3を負とする。例文帳に追加

The gold layer 2 excites a surface plasmon resonance light with the visible laser light V, an organic dyestuff layer 3 is excited through irradiation with an optical pulse P_7 from an optical pulse generator 7 go into a population inversion state which changes with time, and the extinction coefficient k_3 of the organic dyestuff layer 3 is made negative, according to the change in the population inversion state with the time. - 特許庁

III族窒化物系化合物半導体発光素子１００は、極性反転層１６を有しない発光素子と比較し、消費電力に対する発光出力の比が格段に向上した。例文帳に追加

The group III nitride-based compound semiconductor light emitting element 100 achieves significant improvement in a ratio of a light emission output with respect to power consumption as compared with a light emitting element without the polarity inversion layer 16. - 特許庁

本発明の半導体装置は、絶縁膜上の半導体層に形成された半導体装置において、前記半導体層が素子間分離溝によって分離され、前記素子間分離溝の側壁に不純物拡散層からなる反転防止層を有することを特徴とする例文帳に追加

In this semiconductor device formed in a semiconductor layer on an insulation film, the semiconductor layer is isolated by an inter-element isolation trench, and a side wall of the interelement isolation trench is provided with an anti-inversion layer comprising an impurity diffusion layer. - 特許庁

シリコン基板と窒化シリコン膜の接する部分に形成される反転層の形成を抑制することができる光電変換素子の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a manufacturing method of a photoelectric converting element that can suppress formation of an inversion layer formed where a silicon substrate and a silicon nitride film come into contact with each other. - 特許庁