こうたんさんがすけっしょうの英語

結晶核２より成長させた酸化チタン結晶３の結晶形状が中空構造を有する柱状結晶を成すことで、高活性な光触媒機能が得られる。例文帳に追加

The high activity photocatalytic function is attained by forming the crystal shape of titanium oxide crystal 3 grown with the crystal nucleus 2 into a columnar crystal having a hollow structure. - 特許庁

タングステン酸塩単結晶を使用し、その単結晶を原子密度が稠密である結晶面と放射線の入射方向が平行となる結晶方位で配置させる。例文帳に追加

The scintillator comprises using a tungstate single crystal and arranging the single crystal for crystalline bearings to make a crystal face having dense atomic density and incidence direction of the radiation to parallel. - 特許庁

高耐光損傷性を有するニオブ酸リチウム単結晶およびタンタル酸リチウム単結晶、ならびに、これを用いた光学素子を提供する。例文帳に追加

To provide a lithium niobate single crystal and a lithium tantalite single crystal, having high OPTICAL DAMAGE resistance, and to provide an optical element using the single crystal. - 特許庁

酸化ガリウム単結晶基板の結晶方位（０１０）または（００１）面を窒化処理し、該酸化ガリウム単結晶基板表面に窒化ガリウム結晶を形成してなることを特徴とする発光素子。例文帳に追加

The light emitting element is formed by nitriding the crystal orientation (010) or field (001) of gallium oxide single crystal substrate, and forming a gallium nitride crystal on a surface of the gallium oxide single crystal substrate. - 特許庁

反射板３０は、単結晶と同期して回転するように、単結晶の上部にかつ単結晶引上げ軸２２の周方向であって単結晶からの放熱が抑制される位置に部分的に配置されている。例文帳に追加

Reflecting plate 30 is partially disposed over the single crystal and in the peripheral direction of a single crystal pull up axis 22 and at the position where the heat radiation from the single crystal is inhibited to rotate synchronously with the single crystal. - 特許庁

所望の結晶品質のシリコン単結晶をより確実に得ることができ、生産性や歩留りの向上を実現するシリコン単結晶の製造システムおよびこれを用いたシリコン単結晶の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a system for manufacturing a silicon single crystal securely preparing a silicon single crystal having a desired crystal quality and improving productivity and a yield and a method for manufacturing a silicon single crystal using the system. - 特許庁

炭化珪素単結晶育成用種結晶として、結晶成長面１５に溝部１２を有する構造とし、溝部１２以外の結晶成長面１５に炭化珪素エピタキシャル薄膜１３を有することを特徴とする。例文帳に追加

The seed crystal for growing the silicon carbide single crystal has grooves 12 on the crystal growth surface 15 and has characteristically a silicon carbide epitaxial thin film 13 on the surface 15 other than the grooves 12. - 特許庁

単結晶製造装置１０は、種結晶３と、単結晶６の原料５が収容される容器１と、種結晶３及び容器１が収容される炉２を構成する本体部２１、蓋体部２２及び保持部２３とを備え、気相法により単結晶６を製造する。例文帳に追加

The apparatus for manufacturing a single crystal 10 is equipped with a seed crystal 3, a container 1 which contains a raw material 5 of a single crystal 6, a main body 21 which composes a furnace 2 containing the seed crystal 3 and the container 1, a lid 22, and a holder 23, and the single crystal 6 is manufactured by a vapor phase deposition. - 特許庁