「こうたんさんがすけっしょう」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

酸化亜鉛の単結晶を種結晶として、水熱合成法で単結晶を育成する場合、六方晶構造のａ軸方向に選択的に結晶成長し、ｃ軸方向には殆ど成長しないので、種結晶のｃ軸長さより長い単結晶は得られない。例文帳に追加

When a single crystal is grown by a hydrothermal synthesis process from the single crystal of the zinc oxide as a seed crystal, the crystal is selectively grown in the a-axis direction of a hexagonal structure and is hardly grown in a c-axis direction and therefore the single crystal longer than the c-axis length of the seed crystal cannot be obtained. - 特許庁

薄板２が、非線形光学効果を有する単結晶（例えばニオブ酸リチウム、タンタル酸リチウム単結晶）からなる。例文帳に追加

The thin plate 2 consists of a single crystal having the nonlinear optical effect (for example, lithium niobate single crystal or lithium tantalate single crystal). - 特許庁

結晶核２より成長させた酸化チタン結晶３の結晶形状が中空構造を有する柱状結晶を成すことで、高活性な光触媒機能が得られる。例文帳に追加

The high activity photocatalytic function is attained by forming the crystal shape of titanium oxide crystal 3 grown with the crystal nucleus 2 into a columnar crystal having a hollow structure. - 特許庁

タングステン酸塩単結晶を使用し、その単結晶を原子密度が稠密である結晶面と放射線の入射方向が平行となる結晶方位で配置させる。例文帳に追加

The scintillator comprises using a tungstate single crystal and arranging the single crystal for crystalline bearings to make a crystal face having dense atomic density and incidence direction of the radiation to parallel. - 特許庁

高耐光損傷性を有するニオブ酸リチウム単結晶およびタンタル酸リチウム単結晶、ならびに、これを用いた光学素子を提供する。例文帳に追加

To provide a lithium niobate single crystal and a lithium tantalite single crystal, having high OPTICAL DAMAGE resistance, and to provide an optical element using the single crystal. - 特許庁

酸化ガリウム単結晶基板の結晶方位（０１０）または（００１）面を窒化処理し、該酸化ガリウム単結晶基板表面に窒化ガリウム結晶を形成してなることを特徴とする発光素子。例文帳に追加

The light emitting element is formed by nitriding the crystal orientation (010) or field (001) of gallium oxide single crystal substrate, and forming a gallium nitride crystal on a surface of the gallium oxide single crystal substrate. - 特許庁

反射板３０は、単結晶と同期して回転するように、単結晶の上部にかつ単結晶引上げ軸２２の周方向であって単結晶からの放熱が抑制される位置に部分的に配置されている。例文帳に追加

Reflecting plate 30 is partially disposed over the single crystal and in the peripheral direction of a single crystal pull up axis 22 and at the position where the heat radiation from the single crystal is inhibited to rotate synchronously with the single crystal. - 特許庁

所望の結晶品質のシリコン単結晶をより確実に得ることができ、生産性や歩留りの向上を実現するシリコン単結晶の製造システムおよびこれを用いたシリコン単結晶の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a system for manufacturing a silicon single crystal securely preparing a silicon single crystal having a desired crystal quality and improving productivity and a yield and a method for manufacturing a silicon single crystal using the system. - 特許庁

炭化珪素単結晶育成用種結晶として、結晶成長面１５に溝部１２を有する構造とし、溝部１２以外の結晶成長面１５に炭化珪素エピタキシャル薄膜１３を有することを特徴とする。例文帳に追加

The seed crystal for growing the silicon carbide single crystal has grooves 12 on the crystal growth surface 15 and has characteristically a silicon carbide epitaxial thin film 13 on the surface 15 other than the grooves 12. - 特許庁

単結晶製造装置１０は、種結晶３と、単結晶６の原料５が収容される容器１と、種結晶３及び容器１が収容される炉２を構成する本体部２１、蓋体部２２及び保持部２３とを備え、気相法により単結晶６を製造する。例文帳に追加

The apparatus for manufacturing a single crystal 10 is equipped with a seed crystal 3, a container 1 which contains a raw material 5 of a single crystal 6, a main body 21 which composes a furnace 2 containing the seed crystal 3 and the container 1, a lid 22, and a holder 23, and the single crystal 6 is manufactured by a vapor phase deposition. - 特許庁

昇華再結晶法を用いて作製した円筒状の炭化珪素単結晶に、結晶成長終了後に単結晶外周部分の周方向に−３．５ＭＰａ以上３５ＭＰａ以下の圧縮応力を付与することで、結晶成長後や、結晶を電子材料用の基板に加工する際に単結晶に割れが発生しないようにする。例文帳に追加

After completing crystal growth of a cylindrical silicon carbide single crystal produced by a sublimation recrystallization method, compressive stress of -3.5 MPa to 35 MPa is imparted in a circumference direction to the peripheral part of the single crystal so as to prevent cracks from generating in the single crystal after the crystal growth or upon processing into a substrate for an electronic material. - 特許庁

一般式ＡＢＯ_3で表される特定のペロブスカイト型酸化物を含む積層構造を有する圧電体であって、該積層構造は、正方晶、菱面体晶、擬似立方晶、斜方晶および単斜晶のいずれかから選択された結晶相を有する層状の第１の結晶相と、これと異なる結晶相で上記結晶相のいずれかから選択された結晶相を有する層状の第２の結晶相と、第１の結晶相と前記第２の結晶相の間に、結晶相が層の厚さ方向において漸次に変化する境界相とを有し、全体として単結晶構造または一軸配向結晶構造を有する。例文帳に追加

The laminate structure has a single crystal structure or a uniaxial orientation crystal structure as a whole. - 特許庁

シリコン単結晶基板１１上に酸素が添加された第１のシリコン結晶層１２を形成する工程と、第１のシリコン結晶層１２上にシリコン・ゲルマニウム結晶層１３を形成する工程と、シリコン・ゲルマニウム結晶層１３上に第２のシリコン結晶層１４を形成する工程と、熱処理により第２のシリコン結晶層１４に歪みを与える工程とを有する。例文帳に追加

The method includes a step of forming a first silicon crystalline layer 12 doped with oxygen atoms on a silicon single crystalline substrate 11, a step of forming a silicon/germanium crystalline layer 13 on the first layer 12, a step of forming a second silicon crystalline layer 14 on the silicon/ germanium crystalline layer 13, and a step of heat-treating the second layer 14 to provide distortion thereto. - 特許庁

結晶性形状で鉄とマンガンタングステン酸塩から成る鉱物例文帳に追加

a mineral consisting of iron and manganese tungstate in crystalline form  - 日本語WordNet

高純度のタンパク質結晶が短時間で得られるような工業生産に適したタンパク質の結晶化方法を提供するものである。例文帳に追加

To provide a method for crystallizing a protein by which a high purity protein crystal can be obtained in a short time and which is well suited to industrial production. - 特許庁

無機フィラーとしては、多孔質結晶構造を持つ炭酸カルシウムまたは、平板状結晶構造を持つ水酸化アルミニウムが好ましい。例文帳に追加

The inorganic filler is preferably calcium carbonate having a porous crystal structure, or aluminum hydroxide having a flat crystal structure. - 特許庁

ＬＥＣ法により結晶径が２００ｍｍ以上の大口径の化合物半導体単結晶８を製造する際に、単結晶製造中の結晶回転数を３〜８（ｒｐｍ）の範囲に定めるものである。例文帳に追加

In the production of a large-diameter compound semiconductor crystal 8 of a crystal diameter of 200 mm or more by an LEC method, the number of crystal rotation during the single crystal production is determined in the range of 3 to 8 (rpm). - 特許庁

さらに、主として、タングステンが固溶したビックスバイト型構造酸化インジウム結晶相および／またはタングステン酸インジウム化合物結晶相で構成され、酸化タングステン結晶相が存在しないことが望ましい。例文帳に追加

Desirably, the sintered compact consists of an indium oxide crystal phase with a bixbyite type structure in which tungsten is mainly allowed to enter into solid solution and/or an indium tungstate compound crystal phase, and a tungsten oxide crystal phase is not present. - 特許庁

これによって、Li原子や酸素原子の欠損がなく、結晶性が高く高配向のLiNbＯ_３薄膜を単結晶基板１０１上に形成できる。例文帳に追加

Thereby, the LiNbO_3 thin film free from deficits in Li atoms or oxygen atoms and having high crystallinity and orientation can be formed on the single crystal substrate 101. - 特許庁

より実用的には、上記単結晶粉末を構成するペロブスカイト構造化合物と同じペロブスカイト構造化合物の多結晶粒子からなる多結晶粉末がさらに用意され、セラミックスラリーは、分散相として、単結晶粉末だけでなく、上記多結晶粉末をも含むようにされる。例文帳に追加

More practically, polycrystal powder composed of the polycrystal grains of a compound with a perovskite structure same as the compound with the perovskite structure composed of the single crystal powder is further prepared, and, as the ceramic slurry, not only the single crystal powder, but also the above polycrystal powder is comprised as a dispersion phase. - 特許庁

高い平坦性と高結晶性を有する酸化物超電導結晶基板３と、高強度の補強用結晶基板５とが、酸化物超電導結晶基板３を構成する酸化物超電導単結晶または酸化物超電導多結晶の融点よりも低融点の材料からなる低融点層を最外層に有する中間層７を介して接着された酸化物超電導積層基板１。例文帳に追加

This oxide superconducting laminated substrate 1 is manufactured by joining an oxide superconducting crystal substrate 3 having high flatness and high crystal properties to a high strength reinforcing crystal substrate 5, while interposing between them, an intermediate layer 7 consisting of a material having a lower melting point than that of the constituent oxide superconducting single crystal or polycrystal of the oxide superconducting crystal substrate 3. - 特許庁

高温溶融塩法によりマンガン酸化物単結晶を育成するマンガン酸化物単結晶の製造方法。例文帳に追加

The production method for manganese oxide single crystal which brings up the same with high temperature molten salt method. - 特許庁

β−Ｇａ_２Ｏ_３系単結晶の導電性制御を効率よく行うことができるＧａ_２Ｏ_３系単結晶の導電率制御方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for controlling a conductivity of Ga_2O_3 series monocrystal, capable of effectively controlling conductive properties of β-Ga_2O_3 series monocrystal. - 特許庁

癌転移増殖抑制作用を有する血漿蛋白断片産生酵素および当該酵素により断片化された血漿蛋白断片例文帳に追加

ENZYME PRODUCING PLASMA PROTEIN HAVING TUMOR METASTASIS AND PROLIFERATION INHIBITORY ACTION AND PLASMA PROTEIN FRAGMENTED BY THE SAME - 特許庁

単結晶の引上げ方向及び半径方向に無欠陥領域が最も拡大する単結晶製造条件を計算により正確に求める。例文帳に追加

To correctly determine, by calculation, the production conditions of a single crystal with its non-defect zone most extended in its pulling and radial directions. - 特許庁

従って、結晶支持部２３１を安定に低温に維持することができ、単結晶塊ＣＬを良好な効率で安定に成長させることができる。例文帳に追加

Therefore, the crystal support part 231 can be stably kept at a low temperature and the single crystal block CL can be stably and efficiently grown. - 特許庁

多結晶シリコン膜３のチャネル領域には結晶粒界や結晶欠陥があるため電子はスムーズに通過できないが、単結晶領域１０２を設けることで、電子は主に単結晶領域１０２を通過するようになるため、電界効果移動度を高くすることができる。例文帳に追加

Although electrons cannot smoothly pass as a grain boundary and crystal defect exists in the channel region of the poly-crystal silicon film 3, by providing the single crystal region 102, the electrons mainly pass the single crystal region 102 and raise a field effect mobility. - 特許庁

短時間で結晶化し、成形したガラスの形状と表面状態を保持しつつ結晶化する結晶性ガラス、及び、機械的強度が優れ、建材用結晶化ガラスとして好適な熱膨張係数を有し、アルカリ金属酸化物の含有量が少なく優れた化学的耐久性を有する結晶化ガラス、並びに該結晶性ガラス及び結晶化ガラスの製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide crystallizable glass which crystallizes in a short time and crystallizes while retaining the shape and surface state of a glass molding thereof, crystallized glass having excellent mechanical strength, a coefficient of thermal expansion suitable for use as crystallized glass for building materials, a low alkali metal oxide content and excellent chemical durability, and a method for producing the crystallizable glass and crystallized glass. - 特許庁

結晶支持部２３１に放熱凹部２３２が形成されており、貫通孔２４３が断熱カバー部材２４０に形成されているので、結晶支持部２３１が放熱されて単結晶塊ＣＬが高効率に成長する。例文帳に追加

In the crystal growing device, a heat radiation recess 232 is formed on a crystal support part 231 and a through hole 243 is formed in a heat insulating cover member 240, and therefore the crystal support part 231 radiates heat to efficiently grow a single crystal block CL. - 特許庁

単結晶化率がよく、生産性がよく、かつ、原料シリコンの利用効率のよい単結晶引上げ方法を提供する。例文帳に追加

To provide a pulling method for a single crystal high in single crystallization rate, productivity and favorable in use efficiency of raw material silicon. - 特許庁

単結晶の成長軸方向における酸素濃度の均一性を確保することができる単結晶の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for producing single crystals by which the uniformity in the concentration of oxygen in the growing axial direction of single crystals can be secured. - 特許庁

ここで、酸化チタン結晶粒として、長軸が結晶表面と垂直な方向から６０°以内の角度に配向しているもの、さらに、結晶粒の長軸がアナターゼ型酸化チタン結晶の＜１００＞方向又は＜１０２＞方向に配向したものを含むことが好ましい。例文帳に追加

The titanium oxide preferably includes the crystal grains oriented in the major axis to an angle within 60° from the direction perpendicular to the crystal surface and further includes the crystal grains oriented in the major axis of the crystal grains to the <100> direction or <102> direction of the anatase type titanium oxide crystal as the titanium oxide crystal grains. - 特許庁

昇華用原料微粉末５とキャリアガス３を炭化ケイ素種結晶を備える炭化ケイ素単結晶成長雰囲気内に供給する工程と、昇華用原料微粉末５を加熱し昇華させる工程と、昇華したガスを炭化ケイ素種結晶２上に供給し炭化ケイ素種結晶上に炭化ケイ素単結晶を成長させる工程と、を含む炭化ケイ素単結晶の製造方法。例文帳に追加

The method for producing a silicon carbide single crystal includes steps of: supplying a source fine powder 5 for sublimation and a carrier gas 3 to an atmosphere for growing a silicon carbide single crystal, the atmosphere including a silicon carbide seed crystal; heating to sublimate the source fine powder 5 for sublimation; and supplying the sublimated gas onto the silicon carbide seed crystal 2 to grow a silicon carbide single crystal on the silicon carbide seed crystal. - 特許庁

高純度で大径の単結晶が得られるIII族酸化物系単結晶の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for producing a group III element oxide-based single crystal in which a highly pure and large-sized single crystal can be obtained. - 特許庁

例えばＧａＮ等の結晶を成長させる場合において、多数の基板を効率的に切り出せる結晶を短時間で製造させ、結晶製造の生産性を向上させることが可能な結晶製造装置及び結晶製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide an apparatus and method for producing a crystal, by which productivity in crystal production is improved by producing a crystal from which many substrates are efficiently cut out in a short period of time, for example, in the case when a crystal such as GaN is grown. - 特許庁

ニオブ酸カリウムＫＮｂＯ３ 単結晶の製造において、結晶内の強誘電体自発分極方向が揃った高品質の単分域化結晶を製造する単分域化処理方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of making a single crystal have single domain for making high quality single domain ferroelectric crystals having aligned direction of spontaneous polarization of ferroelectric within the crystals, in producing potassium niobate KNbO3 single crystals. - 特許庁

ニオブ酸カリウムＫＮｂＯ_３ 単結晶の製造において、結晶内の強誘電体自発分極方向が揃った高品質の単分域化結晶を製造する単分域化処理方法を提供する。例文帳に追加

To provide a treatment method of making a single crystal have a single domain for producing high quality single domain crystals having aligned direction of spontaneous polarization of ferroelectrics within the crystals, in producing potassium niobate KNbO_3 single crystals. - 特許庁

この発光ダイオードは、単結晶ｎ型ＺｎＯ透明電極膜１２上に形成された複数の単結晶ＺｎＯロッド１３をさらに具備する。例文帳に追加

The light-emitting diode further comprises multiple single crystal ZnO rods 13 formed on a single crystal n-type ZnO transparent electrode film 12. - 特許庁

高耐圧が要求されるパワーデバイス等に適した、酸素をほとんど含まない大口径のシリコン単結晶を製造するのに好適なシリコン単結晶の製造方法と、シリコン単結晶ウェーハを提供する。例文帳に追加

To provide a method for producing a silicon single crystal which is suitable for a power device or the like needing high pressure resistance and is suited for production of a large-diameter silicon single crystal scarcely including oxygen, and to provide a silicon single crystal wafer. - 特許庁

Ｂｉ−２２２３結晶構造の酸化物に対して、ＴｅＯ_2 ，ＣａＯ，（ＳｒＣａ）_3 ＴｅＯ_6 等を含有する圧粉成形体を、酸素雰囲気中にて、熱処理し、成形体からＢｉ−２２２３結晶構造の針状単結晶を育成する。例文帳に追加

A sintered compact having a Bi-2223 crystal structure and containing TeO_2, CaO and (SrCa)_3TeO_6 is heat treated in an oxygen atmosphere, and the compact grows with the Bi-2223 crystal structure of the acicular single crystal. - 特許庁

チョクラルスキー法による単結晶の育成において、単結晶のコーン部を短時間で形成して単結晶の製造を効率的に行うことができ、またコーン部の軽量化を達成して単結晶のプライム領域の収率を向上させ、単結晶の生産性の向上を図ることのできる単結晶の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing a single crystal employing a Czochralski method by which the manufacturing of the single crystal can be efficiently performed by forming a cone part of the single crystal in a short period of time, the yield of the prime area of the single crystal can be enhanced by reducing the weight of the cone part and the productivity of the single crystal thereby can be increased. - 特許庁

ＣＺ法（チョクラルスキー法）により、Ｃａ_3Ｇａ_2Ｇｅ_4Ｏ_14型結晶構造を有する酸化物単結晶を育成する際に、結晶に発生する異方位成長を抑制することにより、育成後の冷却時にも割れが発生しない、高品質の酸化物単結晶が得られる製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for producing an oxide single crystal by which anisotropic growth which occurs in the crystal is suppressed and a high quality oxide single crystal free from formation of cracks during growth and cooling can be obtained when the oxide single crystal having Ca3Ga2Ge4O14-type crystal structure is grown by the Czochralski method. - 特許庁

単結晶の着色を低減し、シンチレータ検出器用の単結晶として用いた時に、Ｘ線等の照射時の発光強度を向上させることが可能なタングステン酸亜鉛単結晶の製造方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a method for producing a zinc tungstate single crystal of which the discoloration is decreased and which, when used as a single crystal for a scintillator detector, exhibits an enhanced luminous intensity on radiation of X-rays or the like. - 特許庁

フッ化カルシウム単結晶薄膜２の厚さが１５ｎｍ以上であれば、基板面に垂直方向にｃ軸配向し、膜面内で結晶ドメイン回転のない高品質の酸化亜鉛単結晶膜３が得られる。例文帳に追加

When the thickness of the single crystal thin film 2 of calcium fluoride is 15 nm or more, a high-quality zinc oxide single crystal film 3, which is oriented to a c axis in the vertical direction with respect to the surface of the substrate and is free from the rotation of a crystalline domain in the surface of the film, is obtained. - 特許庁

平滑で膜厚均一性が高く結晶性の良好な酸化物単結晶薄膜および半導体薄膜の形成方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a method for forming an oxide single crystal thin film that has smoothness and high film thickness uniformity and that has good crystallinity, and to provide a method for forming a semiconductor thin film. - 特許庁