こぬかでんがわの英語

島内の遊技機２０−１〜２０−ｎの一台ごとに、電源トランス３０−１〜３０−ｎと、電源トランスの二次側に接続した交流安定化電源４０−１〜４０−ｎと、をそれぞれ各台の近傍に設置する。例文帳に追加

For each of the game machines 20-1 to 20-n inside an island, the power transformers 30-1 to 30-n and AC stabilized power supplies 40-1 to 40-n connected to the secondary side of the power transformers are installed near each machine, respectively. - 特許庁

Ｐ型の埋込拡散層５が、Ｎ型の埋込拡散層４上面の広い領域に渡り形成され、過電圧保護用のＰＮ接合領域１６が形成されている。例文帳に追加

A P type buried diffusion layer 5 is formed over a wide region on the upper surface of the N type buried diffusion layer 4 and a PN junction region 16 for overvoltage protection is formed. - 特許庁

Ｐ型の埋込拡散層５が、Ｎ型の埋込拡散層４上面の広い領域に渡り形成され、過電圧保護用のＰＮ接合領域１７が形成されている。例文帳に追加

A P type buried diffusion layer 5 is formed over a wide region on the upper surface of the N type buried diffusion layer 4 and a PN junction region 17 for overvoltage protection is formed. - 特許庁

また故障による内部の設定のずれにより目標電圧が上昇する等により過電圧が出力される場合は過電圧検出回路１５で禁止信号ＥＮＶを出力しスイッチング動作を停止するが、出力電圧が過電圧とならない範囲は昇圧動作を行なわせる。例文帳に追加

When the target voltage increases due to an internal setting offset by a failure and an overvoltage is output, an overvoltage detecting circuit 15 outputs an inhibit signal ENV, stops a switching operation, and carries on a boosting operation within a range in which the output voltage does not become the overvoltage. - 特許庁

出力端子ｏｕｔが不慮の事故によって例えば電源とショートして、ＮＭＯＳトランジスタ１に過電流が流れると、ＮＭＯＳトランジスタ２にこの過電流と同一の電流量の電流が流れ、リミット電流設定回路４に設定された所定電流量、すなわち、ＮＭＯＳトランジスタ２に対する許容最大電流量を超えることになる。例文帳に追加

When an output terminal (out) is short-circuited to e.g., a power supply due to an accident and an overcurrent flows to an NMOS transistor 1, the same current as the overcurrent flows to an NMOS transistor 2 and exceeds a prescribed current set to a limit current setting circuit 4, that is, a maximum permissible current of the NMOS transistor 2. - 特許庁

極めて簡単にＤＮＡサンプルを濃縮できるばかりか、電気分解が起こり難く、しかも高い分離精度が得られる、ＤＮＡサンプルのゲル電気泳動用マイクロチップを提供する。例文帳に追加

To provide a microchip for gel cataphoresis in a DNA sample capable of very easy condensing of the DNA, sample of making electrolysis unlikely to occur, and obtaining high precision of separation. - 特許庁

Ｘシフトレジスタ１５１０および論理演算部１５２０は第１高電位側電圧VGG1によって動作する一方、レベルシフト部１５３０は第２高電位側電圧VGG2によって動作し、低電圧サンプリング信号Ｓ１'〜Ｓｎ'を高電圧サンプリング信号Ｓ１〜Ｓｎに変換する。例文帳に追加

The shift register 1510 and the logical operation part 1520 are operated with a first high potential-side voltage VGG1, while a level shift part 1530 is operated with a second high potential-side voltage VGG2, to convert the low voltage sampling signal S1' to Sn' into a high-voltage sampling signal S1 to Sn. - 特許庁

過電流検出回路１０では、オン制御が行われると、ＮＭＯＳトランジスタＤＭ２，ＤＭ３において、それぞれ、電流Ｉdsに応じたセンス電流が流れることにより電圧降下が生じる。例文帳に追加

In this overcurrent detection circuit 10, when ON-control is performed, a sense current corresponding to a current Ids flows respectively, to thereby generate each voltage drop in NMOS transistors DM2, DM3. - 特許庁