しきい値素子記憶の英語

抵抗変化を有する情報記憶素子に対して電気的に情報の記録を行う記録回路を含む不揮発性メモリの記録方法であって、上記記録回路は、情報記憶素子に対して当該記録回路の出力インピーダンスが情報記憶素子の低抵抗状態の抵抗値よりも大きい状態で低抵抗状態の情報を記録する。例文帳に追加

The recording method of the nonvolatile memory includes a recording circuit which electrically performs recording of information for the information memory element having a resistance change. - 特許庁

しきい値電圧の制御性が良く、しきい値電圧のバラツキが抑制され、２種類を超えるしきい値電圧の実現と低電源電圧化との両立を図ることのできる高性能な不揮発性半導体記憶素子及び不揮発性半導体記憶装置を提供することを可能にする。例文帳に追加

To provide a nonvolatile semiconductor storage element and a nonvolatile semiconductor storage device capable of improving the controllability of a threshold voltage, inhibiting the dispersion of the threshold voltage and making the realization of the threshold voltages exceeding two kinds and the reduction of a power-supply voltage compatible. - 特許庁

プログラム回路１０２は、まず第１のプログラミングモードで動作し、記憶素子のしきい値が第１の基準電圧以上となるまで、書込みパルスの書込み能力を段階的に上昇させつつ記憶素子に書込みパルスを印加する。例文帳に追加

The programming circuit 102 operates first in a 1st programming mode, and applies writing pulses to the memory elements increasing the writing capabilities of the writing pulses step by step until the thresholds of the memory elements become equal to the reference voltage or higher. - 特許庁

１ビットのデータを互いに相補なデータを記憶する不揮発性メモリ素子１０６と１１２の二つの素子を使って保持することで、二つの不揮発性メモリ素子のしきい値電圧の差が小さくても確実にデータを読み出しことが可能になる。例文帳に追加

Data can be read out surely even if difference of threshold voltage of two non-volatile memories is small by holding data of one bit using two elements of non-volatile memory elements 106 and 112 storing complementary data. - 特許庁

出力信号の変化が大きいため誤動作を起こしにくく、高精度な抵抗値発生素子が不要で、構成が単純であるため高密度に集積することが可能な不揮発性半導体記憶装置及びこの不揮発性半導体記憶装置の情報記録方法を提供する。例文帳に追加

To provide a nonvolatile semiconductor storage device which seldom brings about a malfunction because the change of an output signal is large, does not need an accurate resistance value generation element and can be integrated in high density because of its simple configuration, and an information recording method for the nonvolatile semiconductor storage device. - 特許庁

ＦＬＯＴＯＸ型の不揮発記憶回路において、書き込み電圧が低く、不揮発性メモリ素子のエンハンスメント状態とデプレッション状態のしきい値の差が小さくても、データを高速かつ確実に読み出すことができ、また書き換え可能な回数の多い不揮発性記憶回路を得ること。例文帳に追加

To obtain a non-volatile memory circuit in which write-in voltage is low, data can be read out at high speed and surely even if difference of threshold values between an enhancement state and a depression state of a non-volatile memory element is small, and rewriting can be performed many times, in a non-volatile memory circuit of FLOTOX type. - 特許庁

移動機器１に内蔵されたマイクロメカニカルセンサ素子および評価ユニットを有するセンサ２によって測定された加速度値が、限界値を上方超過または下方超過したことを表すデータをメモリに記憶する。例文帳に追加

Data indicating that an acceleration value measured by a sensor 2 built in the mobile device 1 and having a micromechanical sensor element and an evaluation unit is above or below a limit value is stored in a memory. - 特許庁

電源回路４００は、光起電圧検出回路３００で検出された光起電圧ＡＶと、目標照度記憶回路２００に記憶された目標照度値ＡＬと、に基づいて、有機ＥＬ素子１００に供給する電力を調整する。例文帳に追加

The power supply circuit 400 adjusts power to supply to the organic EL element 100 depending on the photovoltaic voltage AV measured by the photovoltaic voltage detection circuit 300 and the target illuminance value AL memorized by the target illuminance memory circuit 200. - 特許庁