threshold element memoryとは 意味・読み方・使い方

To provide a method of manufacturing a non-volatile memory element capable of unformizing distribution in a write threshold voltage of a cell.例文帳に追加

セルの書き込みしきい値電圧の分布を均一にできる不揮発性メモリ素子の製造方法を提供すること。 - 特許庁

Threshold voltage distribution of a memory element programmed by first program voltage (step 100) is measured (step 120).例文帳に追加

第１プログラム電圧（ステップ１００）によってプログラムされたメモリ素子のしきい値電圧分布を測定する（ステップ１２０）。 - 特許庁

To provide an image processing method and a processor which can make a size of a memory necessary for storing threshold value masks smaller by decomposing for storage the threshold value masks consisting of multiple element threshold value masks into ID masks consisting of ID numbers allotted to the element threshold value masks.例文帳に追加

複数の要素閾値マスクからなる閾値マスクを要素閾値マスクに割り当てたＩＤ番号によって構成されるＩＤマスクに分解して記憶することにより、閾値マスクの保持に必要な記憶装置の容量を小さくすることができる画像処理方法及び装置の提供を目的とする。 - 特許庁

When the threshold voltage is made to be low, such a state that the threshold voltage of 1-element/1-cell type memory cell made into a depletion type is transferred to an undesirable low level can be prevented.例文帳に追加

低い閾値電圧にされたときデプレッション型にされる１素子／１セル型のメモリセルの閾値電圧が不所望に低いレベルに遷移する事態を防止することができる。 - 特許庁

To provide a nonvolatile memory element which is allowed to compensate for a cell threshold voltage in order to prevent various errors caused by fluctuation in cell threshold voltage occurring depending on characteristics of the nonvolatile memory element, and its self compensation method.例文帳に追加

不揮発性メモリ素子の特性に応じてセルしきい電圧に変動を生じることで発生する種々のエラー不良を防ぐためにセルしきい電圧を補償できるようにした不揮発性メモリ素子とその自己補償方法を提供する。 - 特許庁

To provide a nonvolatile memory element capable of suppressing variation in a threshold voltage of an erasure cell, and a program method thereof.例文帳に追加

消去セルのしきい値電圧の変化を抑制することが可能な不揮発性メモリ素子およびそのプログラム方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor element capable of improving the data holding characteristics of a memory cell and improving reliability in the memory cell entirely by improving the characteristics of a tunnel oxide film and minimizing variations in the threshold voltage of the memory cell by cycling, and to provide an element separation film formation method of the semiconductor element.例文帳に追加

トンネル酸化膜の特性を改善させてサイクリングによるメモリセルのしきい電圧の変動を最小化させることにより、メモリセルのデータ保持特性を向上させて全体的にメモリセルの信頼性を向上させることができる半導体素子およびその素子分離膜形成方法の提供。 - 特許庁

To provide a flash memory element for reducing a threshold voltage shift due to an interference effect of a peripheral cell, and a method for manufacturing it.例文帳に追加

周辺セルの干渉効果によるしきい値電圧シフトを減らすためのフラッシュメモリ素子およびその製造方法を提供する。 - 特許庁