threshold element memoryとは 意味・読み方・使い方

To provide a nonvolatile memory element capable of suppressing variation in a threshold voltage of an erasure cell, and a program method thereof.例文帳に追加

消去セルのしきい値電圧の変化を抑制することが可能な不揮発性メモリ素子およびそのプログラム方法を提供する。 - 特許庁

To provide a flash memory element for reducing a threshold voltage shift due to an interference effect of a peripheral cell, and a method for manufacturing it.例文帳に追加

周辺セルの干渉効果によるしきい値電圧シフトを減らすためのフラッシュメモリ素子およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a nonvolatile memory element which is allowed to compensate for a cell threshold voltage in order to prevent various errors caused by fluctuation in cell threshold voltage occurring depending on characteristics of the nonvolatile memory element, and its self compensation method.例文帳に追加

不揮発性メモリ素子の特性に応じてセルしきい電圧に変動を生じることで発生する種々のエラー不良を防ぐためにセルしきい電圧を補償できるようにした不揮発性メモリ素子とその自己補償方法を提供する。 - 特許庁

In this case, when the threshold voltage Vth of the memory element 1 reaches the gate applied voltage Vg, a drain current Ids flowing to the memory element 1 stops flowing.例文帳に追加

その際、メモリ素子１に流れるドレイン電流Ｉｄｓは、メモリ素子１のしきい値電圧Ｖｔｈがゲート印加電圧Ｖｇに達すると、流れなくなる。 - 特許庁

To effectively suppress a change of a threshold value for a nonvolatile semiconductor memory element during holding data by effectively suppressing charge emission from the upper insulating layer of the nonvolatile semiconductor memory element when holding the data.例文帳に追加

本発明は、データ保持時の不揮発性半導体記憶素子の上部絶縁層からの電荷の放出を効果的に抑制し、不揮発性半導体記憶素子のデータ保持中の閾値変化を効果的に抑制することを目的とする。 - 特許庁

While receiving the element of the data block, the interface logic decides repeatedly a free memory capacity of the buffer memory, if the free memory capacity is lower than a prescribed threshold value, a block transfer is stopped temporarily.例文帳に追加

データ・ブロックの要素を受信している間、インタフェース・ロジックは、メモリ・バッファの空きメモリ容量を繰り返し決定し、空きメモリ容量が所定のしきい値を下回るときにブロック転送を一時的に停止する。 - 特許庁

To provide a semiconductor element capable of improving the data holding characteristics of a memory cell and improving reliability in the memory cell entirely by improving the characteristics of a tunnel oxide film and minimizing variations in the threshold voltage of the memory cell by cycling, and to provide an element separation film formation method of the semiconductor element.例文帳に追加

トンネル酸化膜の特性を改善させてサイクリングによるメモリセルのしきい電圧の変動を最小化させることにより、メモリセルのデータ保持特性を向上させて全体的にメモリセルの信頼性を向上させることができる半導体素子およびその素子分離膜形成方法の提供。 - 特許庁

A nonvolatile semiconductor memory has an auxiliary transistor Q5 to change the potential of the data line DL close to the theoretical threshold voltage of a sense amplifier by extracting current from the data line DL just like a memory element MQ when extracting electric current from a pre-charged data line DL through the selected memory element MQ.例文帳に追加

プリチャージされたデータ線ＤＬから選択されたメモリ素子ＭＱを介して電流を引き抜く際に、このメモリ素子ＭＱと同様にデータ線ＤＬから電流を引き抜いてデータ線ＤＬの電位をセンスアンプの論理閾値電圧に近づく方へ変位させる補助トランジスタＱ５を備える。 - 特許庁