「threshold element memory」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

As the level shifting element, a pull-down element which pulls down the voltage of the word line according to the threshold voltage level of the memory cell transistor is provided.例文帳に追加

このレベルシフト素子としては、ワード線電圧を、メモリセルトランジスタのしきい値電圧レベルに応じてプルダウンするプルダウン素子が設けられる。 - 特許庁

The word line is connected to an inverting element, and this element is connected to a transistor for grounding the gate of a variable threshold value transistor 11b at a memory cell 11.例文帳に追加

ワード線は反転素子に接続されこれはメモリセル１１の可変しきい値トランジスタ１１ｂのゲートを接地するトランジスタに接続される。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a non-volatile memory element capable of unformizing distribution in a write threshold voltage of a cell.例文帳に追加

セルの書き込みしきい値電圧の分布を均一にできる不揮発性メモリ素子の製造方法を提供すること。 - 特許庁

Threshold voltage distribution of a memory element programmed by first program voltage (step 100) is measured (step 120).例文帳に追加

第１プログラム電圧（ステップ１００）によってプログラムされたメモリ素子のしきい値電圧分布を測定する（ステップ１２０）。 - 特許庁

To provide an image processing method and a processor which can make a size of a memory necessary for storing threshold value masks smaller by decomposing for storage the threshold value masks consisting of multiple element threshold value masks into ID masks consisting of ID numbers allotted to the element threshold value masks.例文帳に追加

複数の要素閾値マスクからなる閾値マスクを要素閾値マスクに割り当てたＩＤ番号によって構成されるＩＤマスクに分解して記憶することにより、閾値マスクの保持に必要な記憶装置の容量を小さくすることができる画像処理方法及び装置の提供を目的とする。 - 特許庁

When the threshold voltage is made to be low, such a state that the threshold voltage of 1-element/1-cell type memory cell made into a depletion type is transferred to an undesirable low level can be prevented.例文帳に追加

低い閾値電圧にされたときデプレッション型にされる１素子／１セル型のメモリセルの閾値電圧が不所望に低いレベルに遷移する事態を防止することができる。 - 特許庁

To provide a nonvolatile memory element which is allowed to compensate for a cell threshold voltage in order to prevent various errors caused by fluctuation in cell threshold voltage occurring depending on characteristics of the nonvolatile memory element, and its self compensation method.例文帳に追加

不揮発性メモリ素子の特性に応じてセルしきい電圧に変動を生じることで発生する種々のエラー不良を防ぐためにセルしきい電圧を補償できるようにした不揮発性メモリ素子とその自己補償方法を提供する。 - 特許庁

To provide a nonvolatile memory element capable of suppressing variation in a threshold voltage of an erasure cell, and a program method thereof.例文帳に追加

消去セルのしきい値電圧の変化を抑制することが可能な不揮発性メモリ素子およびそのプログラム方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor element capable of improving the data holding characteristics of a memory cell and improving reliability in the memory cell entirely by improving the characteristics of a tunnel oxide film and minimizing variations in the threshold voltage of the memory cell by cycling, and to provide an element separation film formation method of the semiconductor element.例文帳に追加

トンネル酸化膜の特性を改善させてサイクリングによるメモリセルのしきい電圧の変動を最小化させることにより、メモリセルのデータ保持特性を向上させて全体的にメモリセルの信頼性を向上させることができる半導体素子およびその素子分離膜形成方法の提供。 - 特許庁

To provide a flash memory element for reducing a threshold voltage shift due to an interference effect of a peripheral cell, and a method for manufacturing it.例文帳に追加

周辺セルの干渉効果によるしきい値電圧シフトを減らすためのフラッシュメモリ素子およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

While receiving the element of the data block, the interface logic decides repeatedly a free memory capacity of the buffer memory, if the free memory capacity is lower than a prescribed threshold value, a block transfer is stopped temporarily.例文帳に追加

データ・ブロックの要素を受信している間、インタフェース・ロジックは、メモリ・バッファの空きメモリ容量を繰り返し決定し、空きメモリ容量が所定のしきい値を下回るときにブロック転送を一時的に停止する。 - 特許庁

To effectively suppress a change of a threshold value for a nonvolatile semiconductor memory element during holding data by effectively suppressing charge emission from the upper insulating layer of the nonvolatile semiconductor memory element when holding the data.例文帳に追加

本発明は、データ保持時の不揮発性半導体記憶素子の上部絶縁層からの電荷の放出を効果的に抑制し、不揮発性半導体記憶素子のデータ保持中の閾値変化を効果的に抑制することを目的とする。 - 特許庁

A nonvolatile semiconductor memory has an auxiliary transistor Q5 to change the potential of the data line DL close to the theoretical threshold voltage of a sense amplifier by extracting current from the data line DL just like a memory element MQ when extracting electric current from a pre-charged data line DL through the selected memory element MQ.例文帳に追加

プリチャージされたデータ線ＤＬから選択されたメモリ素子ＭＱを介して電流を引き抜く際に、このメモリ素子ＭＱと同様にデータ線ＤＬから電流を引き抜いてデータ線ＤＬの電位をセンスアンプの論理閾値電圧に近づく方へ変位させる補助トランジスタＱ５を備える。 - 特許庁

To provide a flash memory element for preventing a cell from being erased excessively and making uniform the threshold voltage distribution of a memory cell array by preventing an electric charge from being centered in the cell.例文帳に追加

電荷がセル内に集中することを防止することにより、セルの過消去を防止してメモリセルアレイのしきい値電圧分布を均一にすることができるフラッシュメモリ素子を提供すること。 - 特許庁

A pull-down element (PD) is provided corresponding to each word line for adjusting, according to fluctuations in threshold value voltage of a memory cell transistor, a voltage level when a word line (WL) is selected.例文帳に追加

ワード線（ＷＬ）の選択時の電圧レベルを、メモリセルトランジスタのしきい値電圧の変動に応じて調整するプルダウン素子（ＰＤ）を各ワード線に対応して設ける。 - 特許庁

To provide a flash memory element which reduces a programmed threshold voltage variation by preventing coupling and securing uniformity, and to provide its driving method and a manufacturing method.例文帳に追加

カップリングを防止し且つ均一性を確保することにより、プログラムしきい値電圧変動を減らすことが可能なフラッシュメモリ素子、その駆動方法および製造方法の提供。 - 特許庁

The controller controls the thermal equilibrium threshold voltage measured by the measuring circuit on the nonvolatile memory element and the sense level of the read circuit to match each other.例文帳に追加

制御手段は、測定回路によって測定される不揮発性記憶素子の熱平衡状態しきい値電圧と読み出し回路のセンスレベルとを一致させるように制御する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a flash memory element for improving element mass production capability, and for preventing the excessive shift of a threshold voltage in an E/W cycling(Erase/Write cycling) and bake process, and for improving the reliability of the element.例文帳に追加

素子量産能力を向上させることができ、Ｅ／Ｗサイクリング(Erase/Write cycling)及びベーク工程の際にしきい値電圧の過度なシフトを防止することができて素子の信頼性を向上させることが可能なフラッシュメモリ素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

By using a shallow groove structure by the embedding of an insulating film for element separation, a decrease is prevented in an element separation breakdown voltage at a fine region, further variations can be reduced in the threshold of a selecting transistor, and the disturbance resistance of the memory cell can be improved by dividing the memory cell in a memory map by the selecting transistor.例文帳に追加

素子分離に絶縁膜の埋込みによる浅溝構造を用いることにより微細領域での素子分離耐圧の低下を防止し、さらに選択トランジスタのしきい値ばらつきを低減でき、また、メモリマット内のメモリセルを選択トランジスタによって分割することによりメモリセルのディスターブ耐性を改善できる。 - 特許庁

The nonvolatile semiconductor memory device has a measuring circuit for measuring the thermal equilibrium threshold voltage of a nonvolatile memory element, a read circuit to input the measured results by this measuring circuit, and a controller to control these circuits.例文帳に追加

本発明は、不揮発性記憶素子の熱平衡状態しきい値電圧を測定するための測定回路とこの測定回路による測定結果を入力する読み出し回路とこれらの回路を制御する制御手段とを有する。 - 特許庁

To disclose a method for manufacturing a flash memory element capable of improving a threshold voltage disturbance (Vtdisturbance) by reducing a stress applied to a cell by minimizing an interference phenomenon between gate lines.例文帳に追加

本発明は、ゲートライン間の干渉現象を最小化し、セルに加えられるストレスを減らし、しきい値電圧障害(Vtdisturbance)を改善することができるフラッシュメモリ素子の製造方法を開示する。 - 特許庁

A level shifting element (PQ10) for adjusting a voltage level of a word line (WL) at the time of being selected according to the change in a threshold voltage of a memory cell transistor is provided correspondingly to each of the word lines.例文帳に追加

ワード線（ＷＬ）の選択時の電圧レベルを、メモリセルトランジスタのしきい値電圧の変動に応じて調整するレベルシフト素子（ＰＱ１０）を各ワード線に対応して設ける。 - 特許庁

To enable threshold voltage of an erase cell to be verified stably in a NAND flash memory element, where the quantity of electrons filled in a floating gate does not change, the basic threshold voltage of the erase cell will therefore not change and the threshold voltage of the cell is made to increase only in the operating mode.例文帳に追加

ＮＡＮＤフラッシュメモリ素子において、フローティングゲートに充填された電子の量が変化することなく、したがって、消去セルの基本しきい値電圧が変化することなく、動作モードでのみセルのしきい値電圧を増加させて安定して消去セルのしきい値電圧を検証できるようにする。 - 特許庁

By manufacturing a two-layer structure provided by depositing the manganese oxide on an amorphous substrate or an amorphous film, the switching element or the memory element, having the characteristics of reversibly changing from a high resistance condition to a low resistance condition, or from a low resistance condition to a high resistance condition by applying specific current threshold or voltage threshold.例文帳に追加

マンガン酸化物をアモルファス基板またはアモルファス膜に堆積した２層構造物を作製することにより、特定の電流閾値、あるいは電圧閾値の印加により、高抵抗から低抵抗状態へ、低抵抗から高抵抗状態に可逆的に変化する特性を持つスイッチング素子あるいはメモリー素子が出来る。 - 特許庁

The nonvolatile memory element 102 operates as a conductive element in a state where power is supplied, and operates as a cut-off element in a state where no power is supplied, with its threshold being varied when the stored charges of the storage capacitive element 104 are at a predetermined potential level.例文帳に追加

不揮発性メモリ素子１０２は、上記電力が供給された状態では、導通素子として動作し、上記電力が供給されていない状態では、カットオフ素子として動作するとともに、蓄積容量素子１０４の蓄積電荷が所定の電位レベルである場合にそのしきい値が変化する。 - 特許庁

To provide a magnetic field detection element having a function for storing a phenomenon that a magnetic field over a prescribed threshold is applied, and having a function for using a magnetic field having some fixed direction and intensity as a reset signal in order to reset the memory, and to provide a storage element and a magnetic field detection device using the element.例文帳に追加

所定の閾値以上の磁界が印加されたという事象を記憶する機能を有し、この記憶をリセットするために、ある定められた方向と強度の磁界をリセット信号とする機能を有した磁界検出素子およびこれを利用した記憶素子、磁界検出装置を提供する。 - 特許庁

When a storage element of the memory cell array 7 is deteriorated and a threshold value of gate voltage is reduced, data cannot be read out correctly by the determine- verify voltage, the comparison result in the decision circuit 6 is noncoincidence.例文帳に追加

メモリセルアレイ７の記憶素子が劣化し、ゲート電圧の閾値が低下している場合にはディターミンベリファイ電圧では正しくデータを読み出すことができず、判定回路６における比較結果は不一致となる。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a non-volatile memory element capable of minimizing ununiformity in EFH (Effective Field oxide Height) in an entire wafer region, and capable of ensuring uniformity in a threshold voltage.例文帳に追加

ウエハ全域において、ＥＦＨ（Ｅｆｆｅｃｔｉｖｅ Ｆｉｅｌｄ ｏｘｉｄｅ Ｈｅｉｇｈｔ）の不均一性を最小化し、しきい値電圧均一性を確保可能な不揮発性メモリ素子の製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a word line boosting circuit of which boosting voltage is adjusted in a range of the upper limit value and the lower limit value of distribution of threshold voltage of a semiconductor non-volatile memory element independently of a value of power source voltage.例文帳に追加

電源電圧の値にかかわらず、昇圧電圧が半導体不揮発性メモリ素子の閾値電圧の分布の上限値および下限値の範囲内に収まるようなワード線昇圧回路を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory which can impress at least one of the polarities of a voltage across the variable resistor element without the voltage drop by eliminating the effect of the voltage drop equal to the threshold voltage when impressing a positive voltage from the source line side to the memory cell having a variable resistor element and selection transistor.例文帳に追加

可変抵抗素子と選択トランジスタを備えたメモリセルに対しソース線側から正電圧を印加する場合の閾値電圧分の電圧降下の影響を解消し、可変抵抗素子の両端間に印加する電圧の少なくとも一方の極性は、当該電圧降下なしに印加可能な半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

To obtain a non-volatile memory circuit in which write-in voltage is low, data can be read out at high speed and surely even if difference of threshold values between an enhancement state and a depression state of a non-volatile memory element is small, and rewriting can be performed many times, in a non-volatile memory circuit of FLOTOX type.例文帳に追加

ＦＬＯＴＯＸ型の不揮発記憶回路において、書き込み電圧が低く、不揮発性メモリ素子のエンハンスメント状態とデプレッション状態のしきい値の差が小さくても、データを高速かつ確実に読み出すことができ、また書き換え可能な回数の多い不揮発性記憶回路を得ること。 - 特許庁

To provide a nonvolatile memory element capable of solving the problem of an over erase even without an individual test time for sensing the overerased cell and an additional circuit for increasing the threshold voltage of the overerased cell.例文帳に追加

過消去されたセルを検出するための別途のテスト時間や、過消去されたセルのしきい値電圧を上がるための追加回路がなくても、過消去の問題を解決できる不揮発性メモリ素子を提供する。 - 特許庁

To provide a reading operation method of a non-volatile element, which suppresses channel boosting and hot electrons, to prevent a change in threshold voltage distribution of a memory cell, at reading operation.例文帳に追加

読出動作の際、チャンネルブスティングの発生を抑制し、ホットエレックトロンの発生を防止し、これによりメモリセルのしきい値電圧分布の変化を防止することができる不揮発性素子の読出動作方法を提供する。 - 特許庁

To provide a flash memory element and program method in which, in a program operation of a multi-level-tip, different voltages corresponding to voltage differences from the threshold voltages are applied to bit lines and program operations having different threshold voltage value sections are simultaneously performed to reduce the program operation frequency and to shorten the program operation time.例文帳に追加

マルチレベルチップのプログラム動作において、ビット線にしきい値電圧との電圧差に相当する異なる電圧を印加し、異なるしきい電圧値区間を有するプログラム動作を同時実行してプログラム動作回数を減らし、プログラム動作時間を短く減らすフラッシュメモリ素子とプログラム方法を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method including a channel ion implantation process for regulating a threshold voltage of a transistor in a manufacturing process of a semiconductor memory element comprising a self-aligned contact plug self-aligned by a gate electrode.例文帳に追加

ゲート電極によって自己整列されるセルフアラインコンタクトプラグを備えた半導体メモリ素子の製造工程において、トランジスタのスレショルド電圧を調節するためのチャンネルイオン注入工程を含む製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a programming method of a flash memory element for preventing occurrence of a program disturbance phenomenon wherein the threshold voltage of a program-inhibited cell is changed, by increasing a channel boosting potential.例文帳に追加

本発明は、チャネルブースティングポテンシャルを増加させ、プログラム禁止セルのしきい値電圧が変更されるプログラムディスターバンス現象が発生するのを防止することができるフラッシュメモリ素子のプログラム方法を提供することを可能にすることを目的としている。 - 特許庁

By applying the horizontal alignment interface in the completely wetted state to a liquid crystal display element, a liquid crystal optical switching device is obtained, for which alignment is 360° rotatable inside a horizontal plane with an external field (an electric or magnetic field) and which does not have switching threshold, while having a memory properties.例文帳に追加

上記水平配向の完全ぬれ状態の界面を液晶表示素子に応用することで、外場（電場・磁場）により水平面内に３６０度配向回転可能で、メモリ性を持ちながらスイッチング閾値のない、液晶光スイッチングデバイスを得る。 - 特許庁

To provide a nonvolatile memory element in which fluctuation in the threshold voltage is suppressed even when information write and erase operations are repeatedly performed, compared with the case where at least one of an intermediate insulating layer, charge storage layer, and tunnel insulating layer does not include gallium oxide.例文帳に追加

本発明は、中間絶縁層、電荷蓄積層、及びトンネル絶縁層のうちの少なくとも１つが酸化ガリウムを含まない場合に比べて、情報の書込みと消去を繰り返しても閾値電圧の変動が抑制された不揮発性記憶素子を提供する。 - 特許庁

In the active RFID tag, the operation part 31 recognizes the real illuminance detected by a photoconductive element 22 in the photodetection part 2 through an A/D conversion circuit 33, and at the time of determining that the real illuminance exceeds an illuminance threshold stored in the nonvolatile memory 34, prepares a transmission signal.例文帳に追加

このようなアクティブ型ＲＦＩＤタグは、演算部３１により、光検出部２の光導電素子２２にて検出された実照度をＡ／Ｄ変換回路３３を介して認識し、不揮発性メモリ３４の照度閾値を超えたと判定した場合に、送信信号を作成する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a non-volatile memory device capable of effectively embodying an NOR flash cell array composed using a 2-beat sidewall floating gate element having self-convergence characteristics, where a threshold voltage converges to a fixed value in erasing.例文帳に追加

本発明はイレイズの時しきい電圧が決まった値打ちに収斂する特性を枝は自体に収斂する２ビートサイドワル・フローティングゲート素子を使って構成したＮＯＲフラッシュセルアレイを効果的に具現することができる不揮発性メモリー素子の製造方法に関するのである。 - 特許庁

To provide a spin injected inverted magnetization MTJ element which is less in failure in writing and has small threshold of write current density by improving transient characteristics during writing, and can be highly integrated, made fast, and reduced in power consumption, and to provide a magnetic memory device using the same.例文帳に追加

書き込み時の過渡特性を改善して、書き込みの失敗が少なく、書き込み電流密度のしきい値が小さく、高集積化、高速化、および低消費電力化が可能なスピン注入磁化反転型ＭＴＪ素子及びそれを用いた磁気メモリ装置を提供する。 - 特許庁

To improve reliability of a flash memory device by applying a lower reading or detecting voltage as the temperature of an element is higher, and applying a higher reading or detecting voltage when a power supply voltage is higher to maintain an always constant threshold value voltage margin of a program cell or a deletion cell regarding the voltage generator of the flash memory device.例文帳に追加

本発明は、フラッシュメモリ装置の電圧生成器に関するものであり、素子の温度が高くなるほど読み出しまたは検出電圧を低く印加し、電源電圧が高い時は読み出しまたは検出電圧は高く印加することにより、常に一定のプログラムセルまたは消去セルのしきい値電圧マージンを維持するようにしてフラッシュメモリ装置の信頼性を高める。 - 特許庁