せいちょうそくどの英語

そののち、成長面に対して垂直な方向の成長速度が１０μｍ／ｈ以下となるように第２の成長層２２を成長させる。例文帳に追加

Then a second grown layer 22 is grown so that the growth rate in the direction perpendicular to the growing surface may become ≤10 μm/h. - 特許庁

大きな成長速度で成長した第１の成長層２１の表面は荒れたものとなるが、それよりも小さな成長速度で第２の成長層２２を成長させることにより、第１の成長層２１の表面の窪みが埋められ、第２の成長層２２の表面を平坦にすることができる。例文帳に追加

The surface of the first layer 21 grown at the faster growth rate becomes rough, but, since the second layer 22 is grown at the lower growth rate, the recessed parts on the surface of the layer 21 are filled up and the surface of the second layer 22 can be formed in a flat surface. - 特許庁

次いで、成長面に対して垂直な方向の成長速度が１０μｍ／ｈ以下となるように第２の成長層２２を成長させる。例文帳に追加

A second growth layer 22 is then grown in such a manner that the growth velocity in the direction perpendicular to the growth surface is not higher than 10 μm/h. - 特許庁

次いで、成長面に対して垂直な方向の成長速度が１０μｍ／ｈ以下となるように第２の成長層２２を成長させる。例文帳に追加

Then, a second growth layer 22 is grown so that the growth rate in the perpendicular direction to the growth face is ≤10 μm/h. - 特許庁

好ましくは、前記の低い成長速度は１ｎｍ／ｓより低く、高い成長速度は、１ｎｍ／ｓより高い。例文帳に追加

The above low growth rate is preferably lower than 1nm/s; and the high growth rate, higher than 1nm/s. - 特許庁

また、下記の結晶成長速度は、ｒ面に垂直な方向の結晶成長速度である。例文帳に追加

The crystal growth rate is the crystal growth rate, in the direction orthogonal to the r-plane. - 特許庁

成長基板或いは成長粒子発生装置４の一方を、成長粒子６の飛翔速度の１０％以上の速度で相対的に運動させた状態で成長層３を成長させる。例文帳に追加

A growth layer 3 is grown while relatively moving either of the substrate for growth or a device for generating particles for growth 4 with a speed of at least 10% of the flight speed of particles 6 for growth. - 特許庁