「せいちょうそくど」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

また、下記の結晶成長速度は、ｒ面に垂直な方向の結晶成長速度である。例文帳に追加

The crystal growth rate is the crystal growth rate, in the direction orthogonal to the r-plane. - 特許庁

成長基板或いは成長粒子発生装置４の一方を、成長粒子６の飛翔速度の１０％以上の速度で相対的に運動させた状態で成長層３を成長させる。例文帳に追加

A growth layer 3 is grown while relatively moving either of the substrate for growth or a device for generating particles for growth 4 with a speed of at least 10% of the flight speed of particles 6 for growth. - 特許庁

角速度センサおよびその特性調整方法例文帳に追加

ANGULAR VELOCITY SENSOR AND ITS CHARACTERISTICS ADJUSTING METHOD - 特許庁

化学気相成長装置及びその駆動方法例文帳に追加

CHEMICAL VAPOR DEPOSITION APPARATUS AND ITS DRIVING METHOD - 特許庁

駆動力伝達装置におけるトルク特性調整装置例文帳に追加

TORQUE CHARACTERISTIC TUNING DEVICE IN DRIVING POWER TRANSMISSION DEVICE - 特許庁

単結晶成長最高速度を割り出す方法およびそれを用いた高速結晶成長方法例文帳に追加

METHOD OF CALCULATING MAXIMUM SPEED OF GROWTH OF SINGLE CRYSTAL AND HIGH SPEED CRYSTAL GROWTH METHOD USING THE SAME - 特許庁

エンドポイントは、原則として生長速度法による生長阻害（NOEC）を用いる。例文帳に追加

In principle, growth inhibition (NOECs) based on the growth rate method shall be used as endpoint; - 経済産業省

各国の成長の速度は、引き続き不均等。例文帳に追加

The pace of growth among our economies remains uneven.  - 財務省

化合物半導体薄膜の成長速度の導出方法例文帳に追加

DERIVATION OF GROWTH RATE OF COMPOUND SEMICONDUCTOR THIN FILM - 特許庁

静置液体培地中の細胞の成長速度の増大方法例文帳に追加

METHOD FOR INCREASING GROWTH RATE OF CELL IN STATIC LIQUID MEDIUM - 特許庁

化合物半導体膜の成長速度を向上させることができる気相成長装置、化合物半導体膜及びその成長方法を提供する。例文帳に追加

To provide a vapor growth device which can improve growth rate of a compound semiconductor film, to provide the compound semiconductor film, and to provide its growth method. - 特許庁

ウェハを高速回転させずに成長速度を高める気相成長装置および気相成長方法を提供する。例文帳に追加

To provide a vapor deposition system and vapor phase epitaxial growth method which raise a growing speed, without making a wafer rotate at a high speed. - 特許庁

公知の溶液成長法に比べて炭化珪素単結晶の成長速度の大きい炭化珪素単結晶の成長方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for growing a silicon carbide single crystal in which the growth rate of the silicon carbide single crystal is high in comparison with that in a known solution growth method. - 特許庁

これにより、エピ用トレンチ２内で、エピタキシャル成長膜が同一の成長速度にて形成される。例文帳に追加

Thus, the epitaxial growth film is formed at the same growth rate in the epi-trench 2. - 特許庁

気相成長技術において、半導体膜の成長速度を速くする技術を提供する。例文帳に追加

To provide, of the vapor phase growth techniques, a technique for increasing the growth rate of a semiconductor film. - 特許庁

結晶の成長速度の速い単結晶SiCの成長方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a method for growing a single crystal SiC with a fast growth rate of the crystal. - 特許庁

基板表面における主面の段差部が結晶成長の起点となり、成長速度が向上する。例文帳に追加

The step part of the main surface on the substrate surface is a starting point for crystal growth, improving the growth speed. - 特許庁

成長マスク１４の開口部１３におけるｎ型ＧａＮ層１２上に六角錐形状のｎ型ＧａＮ層１５を選択成長させる際に、初期成長をプレーナ成長換算で８μｍ／ｈ以上の成長速度で行う。例文帳に追加

When an n-type GaN layer 15 of a hexagonal cone shape is selectively grown on the n-type GaN layer 12 at the openings 13 of the mask 14, initial growth is carried out at an initial growth rate of 8 μm/h or higher. - 特許庁

高圧をかけずに成長速度を高めることができるIII-V族窒化物系半導体の成長方法及び成長装置を提供すること。例文帳に追加

To provide a method and an apparatus for growing a III-V nitride semiconductor capable of accelerating a growth rate without applying a high voltage. - 特許庁

半導体薄膜の成長速度の向上が図られた気相成長装置及び気相成長方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method and an arrangement for vapor phase growth in which the growing speed of a semiconductor thin film is improved. - 特許庁

成長用基体１０上に、成長面に対して垂直な方向の成長速度が１０μｍ／ｈより大きくなるように第１の成長層２１を成長させる。例文帳に追加

A first growth layer 21 is grown on a base body 10 for growth in such a manner that the growth velocity in the direction perpendicular to the growth surface is higher than 10 μm/h. - 特許庁

成長用基体１０上に、成長面に対して垂直な方向の成長速度が１０μｍ／ｈより大きくなるように第１の成長層２１を成長させる。例文帳に追加

A first growth layer 21 is grown on a base 10 for growing so that the growth rate in the perpendicular direction to the growth face is >10 μm/h. - 特許庁

基板上に窒化物半導体をハイドライド気相成長法等により成長速度を変えて成長させた後、研磨により基板を除去する。例文帳に追加

The nitride semiconductor is grown on the substrate by changing a growth speed by a hydride vapor growth method or the like, and then the substrate is removed by polishing. - 特許庁

この結晶成長条件によれば、縦方向の成長速度が速くなり、表面が自然に凹凸形状に結晶成長する。例文帳に追加

Under these crystal growth conditions, a growth rate becomes higher in the vertical direction, resulting in crystals on the surface naturally growing into irregular shape. - 特許庁

結晶成長面が平坦で結晶成長速度が高いＧａＮ結晶の成長方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for growing a GaN crystal having a flat crystal growth plane with a high crystal growth speed. - 特許庁

第１の成長層２１の表面は荒れたものとなるが、それよりも小さな成長速度で第２の成長層２２を成長させることにより、第１の成長層２１の表面の窪みが埋められ、第２の成長層２２の表面が平坦化される。例文帳に追加

Although the surface of the first growth layer 21 is coarse, the recesses in the surface of the first growth layer 21 are buried and the surface of the second growth layer 22 is flattened by growing the second growth layer 22 at a growth velocity lower than that of the first growth layer 21. - 特許庁

第１の成長層２１の表面は荒れたものとなるが、それよりも小さな成長速度で第２の成長層２２を成長させることにより、第１の成長層２１の表面の窪みが埋められ、第２の成長層２２の表面が平坦化される。例文帳に追加

Although the surface of the first growth layer 21 becomes coarse, the surface dimples of the first growth layer 21 are filled up by causing the second growth layer 22 to grow more slowly than the first growth layer 21; thus, the surface of the second growth layer 22 is made flat. - 特許庁

それにより高い成長速度が得られ、１バッチに多数枚の基板を投入しても基板間や同一基板内における成長速度の差が少ない液相成長方法、及び液相成長装置を提供する。例文帳に追加

Thus, there is provided the liquid phase growth method and apparatus capable of providing a high growth rate and showing little difference in the growth rate among the substrates or within the same substrate even when a plurality of substrates are loaded in one batch. - 特許庁

高い成長速度が得られ、１バッチに多数枚の基板を投入しても基板間や同一基板内における成長速度の差が少ない液相成長方法、及び液相成長装置を提供する。例文帳に追加

To provide a liquid phase growth method and a liquid phase growth apparatus capable of providing a high growth rate and showing little difference in the growth rate among substrates or within the same substrate even when a plurality of substrates are loaded in one batch. - 特許庁

結晶成長・溶解速度試験用試験センサー及びその製造方法並びにそれを用いた原位置結晶成長・溶解速度測定法例文帳に追加

TEST SENSOR FOR CRYSTAL GROWTH/DISSOLUTION RATE TEST, METHOD FOR PRODUCING THE SAME, AND IN-SITU CRYSTAL GROWTH/DISSOLUTION RATE MEASURING METHOD USING THE SENSOR - 特許庁

バクテリアの成長速度論の原則にしたがって，… と想定された。例文帳に追加

In accordance with principles of bacterial kinetics, it was assumed that ...... - 英語論文検索例文集

このように、成長初期においては、第１工程によって良好な単結晶を成長させ、その後は、第２工程によって速い成長速度で単結晶を成長させるようにする。例文帳に追加

As just described, at the initial stage of growth, a good single crystal is grown in the first process, and thereafter the single crystal is further grown at a higher growth speed in the second process. - 特許庁

電子回路の特性調整装置、液晶駆動装置、及び携帯用電話例文帳に追加

DEVICE FOR ADJUSTING CHARACTERISTIC OF ELECTRONIC CIRCUIT, LIQUID CRYSTAL DRIVE DEVICE AND PORTABLE TELEPHONE SET - 特許庁

胃食道逆流抑制調製粉乳及びその製造方法例文帳に追加

GASTRO-ESOPHAGEAL REFLUX SUPPRESSING FORMULA MILK, AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME - 特許庁

ＩＩＩ族窒化物半導体結晶を成長させる成長速度を向上したＩＩＩ族窒化物半導体結晶の成長方法およびＩＩＩ族窒化物半導体結晶の成長装置を提供する。例文帳に追加

To provide a method for growing a group III nitride semiconductor crystal, by which the growth speed of the group III nitride semiconductor crystal is improved, and to provide an apparatus for growing a group III nitride semiconductor crystal. - 特許庁

成長の速度表現は，環境の効果を説明するために修正される。例文帳に追加

The kinetic expression for growth is modified in order to account for environmental effects. - 英語論文検索例文集

成長の速度表現は，環境の効果を説明するために修正される。例文帳に追加

The kinetic expression for growth is modified in order to account for environmental effects. - 英語論文検索例文集

選択的酸化プロセスの酸化物成長速度の改良方法例文帳に追加

METHOD FOR IMPROVING OXIDE GROWTH RATE OF SELECTIVE OXIDATION PROCESS - 特許庁

シリコン膜の結晶成長の速度を速くする技術を提供する。例文帳に追加

To provide a technology for increasing a speed of crystal growth in a silicon film. - 特許庁

求めた温度を用いて、特定時点における気相成長速度を求める。例文帳に追加

The vapor growth velocity at the specific moment is measured by using the measured temperature. - 特許庁

高成長速度を用いた低欠陥密度シリコンの製造方法例文帳に追加

PROCESS FOR PREPARING LOW DEFECT DENSITY SILICON USING HIGH GROWTH RATE - 特許庁

本発明は成長速度に特徴のある製造方法である。例文帳に追加

This manufacturing method has features in the growth speed. - 特許庁

GDPの推移を見ると各国経済の成長の速度や水準は様々である。例文帳に追加

However, the trends in GDP indicate that countries have various rates and levels of economic growth. - 経済産業省

基板上に窒化ガリウム系化合物半導体を成長させる方法であって、ハイドライド気相エピタキシャル成長法で成長速度を変えて２段階成長させる。例文帳に追加

In the method for growing the gallium-nitride-based compound semiconductor on the substrate, a growth speed is changed, and the compound semiconductor is grown at two stages by a hydride vapor-phase epitaxial growth method. - 特許庁

また、上記の窓層は、ＧａＰ層を７３０°以上の温度で成長し、その成長速度を毎時7.8μｍ以上、そのドーパントを亜鉛とする。例文帳に追加

In the above-mentioned window layer, a GaP layer grows at temperatures equal to 730°C or higher , the growth rate is equal to 7.8 μm per hour or greater, and the dopant is zinc. - 特許庁