「せいちょうそくど」に関連した英語例文の一覧と使い方(9ページ目) - Weblio英語例文検索

緯糸５の土壌への同質化速度は、経糸６のそれよりも早く、植物の成長とともに緯糸５が溶解して網の目が拡大するように形成する。例文帳に追加

The speed of assimilation to soil of the weft 5 is higher than that of the warp 6, so that the weft 5 dissolves as the plants grow and the meshes of the net are expanded. - 特許庁

ウェーハが大口径化することによりウェーハのエッジ部でのエピ膜厚の低下が見られ、これを解消してエッジ部の成長速度を高め膜厚の均一化を図る手段を備えたエピ装置を提供。例文帳に追加

To provide an epitaxial growth device, which is equipped with a means for raising the growth speed at the edge and equalizing the film thickness by dissolving a problem where the thickness of the epitaxial film at the edge of a water drops by enlarging the bore of the wafer. - 特許庁

従来の湿式酸化装置で酸化膜形成を抑制するために使用した不活性ガスを用いて、酸化膜の高品質を維持しつつ、酸化膜の厚さ及び成長速度を制御することができる湿式酸化装置を提供する。例文帳に追加

To provide a wet-type oxidation apparatus for controlling a thickness of an oxide film and speed of growing, while good quality of the oxide film is kept with an inert gas used as in a conventional wet-type oxidation apparatus for controlling the formation of the oxide film. - 特許庁

成長速度を向上させて、核発生数、結晶サイズ、そしてトータルの結晶収量をより増大させることのできる、改良された新しいバルクＧａＮ単結晶の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide an improved method of manufacturing a novel bulk GaN single crystal which is capable of making a the number of nucleus formation, crystal size and total crystal yield higher by improving a growth rate. - 特許庁

本発明によるプログラミング方法および書込みドライバ回路は、相変化物質の結晶化動作時に相変化物質が核形成段階を経て結晶成長段階を経るようにすることによって結晶化動作の速度を向上させる。例文帳に追加

The programming method and the writing driver circuit increases the speed of a crystalizing growth of the phase shift material by passing the nucleus formation stage and the crystalizing growth stage at the crystalizing operation. - 特許庁

インク種ごとの気泡成長速度の違いにより、それぞれ異なる大きさでフィルタ室４４ａ〜４４ｄ内に滞留する気泡５１は、吸引動作によって一様に排出される。例文帳に追加

The bubbles 51 remaining in the filter chambers 44a-44d by different sizes because of a difference of growth rates of bubbles by every ink kind are discharged uniformly through the suction action. - 特許庁

ドープされる元素の濃度と成長速度とのバッチ間均一性が良好な膜を作製することができる半導体装置の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of manufacturing a semiconductor device that manufactures a film having a good uniformity between batches in the concentration and the growth rate of a doped element. - 特許庁

エピタキシャル薄膜の成長速度とガス原料の流量との関係を求める工程は、供給律速領域４ａ、４ｂと反応律速領域６ｂ、６ｃと中間領域５ｂとを求める工程を含む。例文帳に追加

The process for obtaining the relationship between the growth speed of the epitaxial thin film and the flowrate of the gas raw material includes a process for obtaining supply rate-controlling regions 4a, 4b, reaction rate-controlling regions 6b, 6c, and an intermediate region 5b. - 特許庁

この蒸着により形成された珪素酸化物及び錫酸化物より成るフィルムの成長速度はジエチルシランを珪素含有前駆体として使用した対照例の１２９Å／秒に比較して１８１Å／秒である。例文帳に追加

When ≤15 at.%, preferably 1-5 at.% one or more selected from P, Al and B as promoters are dispersed in the coating 14 by addition to the mixed oxide before chemical vapor deposition on the glass substrate 12, light scattering observed as cloudiness is suppressed. - 特許庁

ずり９ａ及び砂分９ｂを除去した後の掘削泥水７を比重調整槽１０に入れ、その廃棄泥水１１中からシルト分９ｃ及び粘土分９ｄを分離して清澄な処理水を得る。例文帳に追加

The drilling mud 7 after the muck 9a and the sand 9b are removed is put into a specific gravity adjusting tank 10, where slit 9c and clay 9d are separated from waste mud 11 to provide clarified water. - 特許庁

空洞部内において上下方向からそれぞれ成長してくる埋め込み酸化膜同士の密着性を向上できるようにした半導体装置の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of manufacturing a semiconductor device capable of improving adhesiveness between buried oxide films growing vertically in each cavity. - 特許庁

基板との間に十分な密着力を持った薄膜を、成膜速度を上げて、より迅速に作製できるようにした薄膜成長方法及び装置を提供する。例文帳に追加

To provide a thin film growing method by which a thin film having sufficient adhesion with a substrate can more swiftly be produced at an increased film deposition rate and to provide a system therefor. - 特許庁

その一方、生産台数も一定の速度で成長するため、昨年積み残した在庫分も考慮すると、乗用車市場は引き続き供給過多の状態が続くとの見解を示している。例文帳に追加

On the other hand, the Development Research Center of the State Council of the People’s Republic of China expressed its view that the passenger car market will continue to face oversupply if the remaining inventory from the previous year is taken into account, given that the number of units produced will rise at a steady pace. - 経済産業省

リモコン１ｃから操作信号が供給されてきたら、本体ＣＰＵ１００ｂは、フラッシュＲＯＭ１０２ｂ内のテーブルを参照してその種別情報に応じた姿勢調整パラメータを読み出し、その姿勢調整パラメータに応じてパン／チルト制御部１８０ｂにチルト用モータ１８１ｂおよびパン用モータ１８２ｂ双方の駆動を行なわせる。例文帳に追加

When an operation signal is supplied from a remote controller 1c, the main body CPU 100b refers to a table in the flash ROM 102b to read a posture adjusting parameter corresponding to the kind information, and causes a pan/tilt control section 180b to drive both a tilting motor 181b and panning motor 182b in response to the posture adjusting parameter. - 特許庁

中国の名目 GDP は、改革開放の始まった1978年にはわずか3,645億元にすぎなかったが、その後30年間に渡る高成長を経て、「世界の工場」へ、さらには巨大かつ成長率の高い「世界の市場」へと大きくその姿を変容させており、2010年は実にその110倍の39兆8,000億元（5兆9,000億ドル）と世界全体の9.5％を占めるに至っている。例文帳に追加

The Chinese nominal GDP was only 364.5 billion yuan in 1978 when the reformation and opening policy began, but after the high growth for 30 years, it became “the world’s factory” and afterward, transformed the figure to “the world market” with high growth rate. In 2010, the nominal GDP reached 39,800 billion Yuan (or US$5,900 billion), 110 times larger than the amount in 1978, and accounted for 9.5% of the whole world. - 経済産業省

水素化ガリウムガスの発生反応を促進し、窒化ガリウム結晶の成長速度を向上するのに寄与し、窒化ガリウム結晶に酸素をｎ型ドーパントとしてドープすることで、所望のキャリア濃度を有する不純物の少ない窒化ガリウム結晶を、結晶成長用装置の腐食を生ずることなく製造する方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for producing a gallium nitride crystal having a desired carrier concentration and fewer impurities without corroding a device for growing a crystal by accelerating a reaction of producing gallium hydride gas to contribute to improving a growth rate of the gallium nitride crystal and doping the gallium nitride crystal with oxygen as a n-dopant. - 特許庁

このとき、第１層構造１１がエッチング除去された領域の基板１０上に第２半導体層構造を成長する工程において、第１領域Ｒ１から第２領域Ｒ２への余分な原料の拡散が低減され、層構造の成長速度の増加や結晶組成の変化の発生が抑制される。例文帳に追加

In this case, in a step of growing a second semiconductor layer structure on a substrate in an area where the first layer structure 11 is etched and removed, the diffusion of an excessive material from a first area R1 to a second area R2 is reduced, thus suppressing the growth speed of the layer structure or the change of a crystal composition. - 特許庁

ＭＯＶＰＥ法において一定条件下でＶ／ＩＩＩ比を下げることにより、１０μｍ／Ｈｒ以上の成長速度が得られ、またこれをr面サファイア基板上のａ面窒化物系半導体層の成長に適用することにより、ａ面窒化物系半導体を用いた発光素子および電子走行素子への応用を行うこと。例文帳に追加

A growth speed of 10 μm/Hr or over is obtained by decreasing a V/III ratio under a prescribed condition by the MOVPE method, and this is applied to the growth of an a-plane nitride group semiconductor layer on an r-plane sapphire substrate so as to apply the growth method to a light emitting element and an electron transit element using the a-plane nitride group semiconductor. - 特許庁

昭和の高度成長期にはデパートの食堂も洋食を提供する代表であり、近年はファミリーレストランがその役割を一部担っている。例文帳に追加

Department store restaurants were major place which served Yoshoku during the high-growth period of the Showa period, and has been taken up in part by family restaurants in recent times.  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

約束どおり将軍職位譲を行わない義政、義視将軍就任のために積極的に動かない後見人勝元、富子に見守られ僧門に入ることもなく成長して行く義尚。例文帳に追加

Yoshihisa had grown up without entering priesthood, watched over by Yoshimasa who would not hand over the Shogunate as promised, guardian Katsumoto and Tomiko who would make no active move to place Yoshimi in the position of Shogun.  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

プラズマによる基板表面のエッチングを抑えつつ、カーボンナノチューブの成長速度の向上を図ることができるプラズマＣＶＤ装置を提供する。例文帳に追加

To provide a plasma CVD apparatus capable of increasing the growth rate of a carbon nanotube while suppressing the etching on a surface of a substrate by plasma. - 特許庁

ランガサイト結晶における形状のいびつさの改善と、ランガサイト結晶における音速ばらつきの低減とを図り、ランガサイト結晶におけるＹ面とＺ面との成長速度をほぼ等しくする。例文帳に追加

To improve the irregular form of a langasite crystal, to reduce the dispersion of the acoustic velocity in the langasite crystal, and to approximately equalize the growth rates of the Y plane and the Z plane of the langasite crystal. - 特許庁

従来のガンマ特性調整機能と比べ、肩の部分の調整範囲をより広げることが可能な機能を実現し、より多様な表示パネルにおいて、正確な色再現性を実現することができる表示装置用駆動装置を提供する。例文帳に追加

To provide a display driver capable of realizing accurate color reproducibility on a more variety of display panels by realizing a function capable of widening adjustment ranges of shoulder portions more than a conventional gamma characteristic adjusting function. - 特許庁

次いで、結晶内部に導入される空孔起因のグローンイン欠陥のサイズならびに密度とシリコン単結晶の成長速度との関係（図２）を、電子計算機を用いたシミュレーションにより求める。例文帳に追加

Next, the relation (fig. 2) between the size and the density of the grow-in defect caused by the void and the growing rate of the silicon single crystal is obtained by the simulation using the computer. - 特許庁

シリコンエピタキシャルウェーハに形成されるスリップ転位の発生を抑止しながら、エピタキシャル層の成長速度を向上させることのできるシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of manufacturing silicon epitaxial wafer by which the growing speed of an epitaxial layer can be improved, while the occurrence of slipping dislocation formed on a silicon epitaxial wafer is suppressed. - 特許庁

マイクロパイプ欠陥を含まない、格子欠陥の少ない良質な炭化珪素バルク単結晶を、２０００℃以下の融液温度で、高い成長速度で製造する。例文帳に追加

To manufacture good quality silicon carbide bulk single crystal having no micro-pipe defect and a small number of lattice defects at a melt temperature of ≤2000°C and at a high growth rate. - 特許庁

３個以上のワークが積層されて形成された積層体に対してスポット溶接を施す際、ワーク同士の接触面にナゲットを十分に成長させる。例文帳に追加

To allow a nugget to fully grow on contact surfaces of workpieces when executing spot welding on a laminate formed by laminating three or more workpieces. - 特許庁

時刻ｔｄ’から時刻ｔｅ’までは更に冷却速度を速めて石英カセット５内の温度を６２０℃に低下させ、Ｓｉの不純物を除去したＰＮ接合のエピタキシャル成長層を形成する。例文帳に追加

The cooling speed is increased further from a time td' to a time te', the temperature in the quartz cassette 5 is decreased to 620°C, and an epitaxial growth layer of PN junction wherein impurities of Si are eliminated is formed. - 特許庁

成長温度が低温でも反応速度が早く、生産性の高いゲート絶縁膜やキャパシタンスの容量絶縁膜等に用いられる半導体装置用絶縁膜、特に酸化タンタル膜の形成方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of forming an insulation film for semiconductor devices, especially, a tantalum oxide film for gate insulation films and capacitance insulation films, etc. of semiconductor devices, which has a high reaction speed even at low growth temperatures and a high productivity. - 特許庁

反応ガスの気流を基板上に効率よく集めて、エピタキシャル膜の成長速度を増大させることのできる成膜装置および成膜方法を提供する。例文帳に追加

To provide a film deposition apparatus and a film deposition method which can efficiently accumulate air streams of a reaction gas on a substrate thereby enhancing a growth rate of an epitaxial film. - 特許庁

Ｓｎ基ハンダ合金の接合界面又は押圧界面で、成長速度が遅い金属間化合物が生成し、上記界面での耐経年劣化特性が格段に優れた導電性被覆材料を提供する。例文帳に追加

To provide a Pt base conductive coating material forming an intermetallic compound having a slow growing speed at the bonding or pressing interface of an Sn base solder alloy and markedly excellent in the secular deterioration characteristic resistance at the interface. - 特許庁

植食動物の接近を阻害するとともに藻類の成長に必要な日光を十分に確保することを可能にし、さらには設置者等の利便性に配慮した藻場増殖礁を提供する。例文帳に追加

To provide a reef for increasing a seaweed bed, which prevents phytophagous animals from approaching, sufficiently secures sunlight necessary for growth of algae and gives consideration for conveniences to installation personnel, etc. - 特許庁

単結晶成長に用いるワイヤの伸びや組成変形等の剛性特性の変化を最小限に抑えることにより、引上速度の精度を向上し、高品質な単結晶を効率よく製造する方法を提供する。例文帳に追加

To provide an efficient manufacturing method of high quality single crystal which improves precision in pulling speed of the wire by minimizing change in rigidity such as elongation and plastic deformation. - 特許庁

Ｓｎ基ハンダ合金の接合界面又は押圧界面における金属間化合物の成長速度が極端に遅く、耐経年劣化特性が格段に優れた導電性被覆材料を提供する。例文帳に追加

To provide a conductive coating material forming an intermetallic compound having a slow growing speed at the bonding or pressing interface of an Sn-based solder alloy and having markedly excellent characteristic in resistance, to deterioration with time. - 特許庁

ＶＢ法及びＶＧＦ法による結晶の成長速度の高速化、結晶の長尺化に有効な化合物半導体結晶の製造方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing a compound semiconductor single crystal, which is effective for enhancing the speed of crystal growth and for obtaining a long size crystal in VB and VGF methods. - 特許庁

パーティクルの発生を抑えつつ、カーボンナノチューブの成長速度の低下を抑制できるカーボンナノチューブの形成方法、及びカーボンナノチューブの形成装置を提供する。例文帳に追加

To provide a method of forming carbon nanotube capable of restraining the lowering of the growth rate of carbon nanotube while suppressing the generation of particle and a forming apparatus of carbon nanotube. - 特許庁

成長主面１０ａは、ｍ面に対して、ａ軸方向にオフ角度を有する面からなり、窒化物半導体各層１２〜１８は、ＡｌＧａＮからなる下部クラッド層１２を含んでいる。例文帳に追加

The principal growth plane 10a includes a plane having an off-angle in the a-axis direction with respect to the m plane, and the nitride semiconductor layers 12-18 each include a lower clad layer 12 formed of AlGaN. - 特許庁

単結晶中の酸素濃度をさらに低減するためには、シードの回転速度を８ｒｐｍ以下に設定して単結晶の成長を行うことが好ましい。例文帳に追加

In order to further decrease the oxygen concentration in the single crystal, the single crystal is preferably grown by setting the rotation speed of a seed to not more than 8 rpm. - 特許庁

Ｉｎ_xＡｌ_yＧａ_(1-x-y)Ｎ結晶（０≦ｘ＜１、０≦ｙ＜１、０＜ｘ＋ｙ≦１）の厚みを均一にし、かつ成長速度を向上する結晶の製造方法および発光素子の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of manufacturing a crystal which uniformizes the thickness of In_xAl_yGa_(1-x-y)N crystal (0≤x<1, 0≤y<1, 0<x+y≤1), and improving the growth speed, and to provide a method of manufacturing a light-emitting element. - 特許庁

各々のエピタキシャル層の成長は独立に行うので、実用的な耐圧で各トランジスタの速度性能を究極のところまで調整することができる。例文帳に追加

Since epitaxial layers independently grow, the speed potential of the transistors can be adjusted to an ultimate level by practical withstand pressure. - 特許庁

この不連続改質領域で形成した仮想タイルＴＬにチャネル方向が略帯状結晶シリコン膜の結晶成長方向となるように薄膜トランジスタ等のアクティブ素子を有する駆動回路を作り込む。例文帳に追加

The drive circuit which has an active element, such as a thin-film transistor is fabricated so that the channel direction become the crystal growth direction of approximately strip-shaped crystal silicon film to a virtual tile TL which is formed in the discontinuous modify region. - 特許庁

機能的に類別された組成調整粉末治金処理および熱間静水圧処理を利用した異種金属同士の接続のための無溶接装置の製造方法例文帳に追加

METHOD FOR MANUFACTURING WELD-FREE APPARATUS FOR CONNECTION OF DISSIMILAR METAL USING FUNCTIONALLY GRADED COMPOSITIONALLY CONTROL POWDER METALLURGY AND HOT ISOSTATIC PROCESSING METHOD - 特許庁

当該酸化物層（４１８）の成長速度は気体相中の還元剤の割合と全圧を掛けて求められる分圧を調整することで制御できる。例文帳に追加

A growth speed in the oxide layer 418 can be controlled by adjusting a partial pressure obtained by multiplying the ratio of the reducing agent in a gaseous phase by total pressure. - 特許庁

上記ＡlＧaＩnＰ系半導体からなる中間層１５において、成長速度を１μｍ／ｈ以下とすると共に、ＧaＡsに対する格子整合率Δa／aをa−３.２％以上かつ−２.５％以下とする。例文帳に追加

The growth rate of the intermediate layer 15 composed of the AlGaInP-based semiconductor is adjusted to ≤1 μm/h and, at the same time, the lattice matching rate Δa/a of the layer 15 with respect to GaAs is adjusted to ≥-3.2% and ≤-2.5%. - 特許庁

凝固速度が大きな状態で晶出した金属がある程度成長した後に冷却体から剥離する事態を回避して、精製効率の向上を図ることができる金属精製法及び装置等を提供する。例文帳に追加

To provide a metal-refining method that can prevent a metal which has been crystallized at a high solidification rate from exfoliating from the coolant after the metal has grown in some measure, and can improve the refining efficiency, and to provide an apparatus therefor. - 特許庁