「せいちょうそくど」に関連した英語例文の一覧と使い方(11ページ目) - Weblio英語例文検索

この結果、成長速度の違いによって発生する応力を抑制することができ、この応力に起因する結晶欠陥の発生を抑制することができる。例文帳に追加

As a result, any stress caused by the difference of the growth rate can be reduced, and the occurrence of crystal defect due to the stress can be reduced. - 特許庁

洗浄水の広がり角度がＡ１に設定されている場合、使用者は水勢調整スイッチの押下操作により洗浄水の水勢をＬ１〜Ｌ５のいずれかに設定できる。例文帳に追加

When the widened angle of the washing water is set to A1, a user can set the jet force to either of L1-L5 by depressing a water jet force adjusting switch. - 特許庁

この推定は、例えばガスの流量と前記基板上での膜の成長速度との関係を線形的に近似した線形近似モデルを用いて行える。例文帳に追加

The relationship can be estimated by using, for example, a linear approximation model which linearly approximates the relationship between the flow rate of the gas and the growth rate of the film on the above substrate. - 特許庁

昇温速度が 50(℃／分) 程度と高い値に設定されていることから、昇温過程において未焼成シート１２に含まれる非晶質シリカ繊維からは種晶が生成し難く、且つ生成した種晶も成長し難い。例文帳に追加

Since the temperature increasing rate is set to a level as high as about 50°C/min in the present burning method, there is little formation of seed crystal from amorphous silica fiber contained in the green sheet 12 in the heating process and little growth of seed crystal if any. - 特許庁

光学部材用フッ化物単結晶の製造工程において、結晶成長速度を一定に制御し、内部欠陥の少ない高品質な結晶を製造する。例文帳に追加

To provide a method and an apparatus for manufacturing a high quality crystal having less internal defect by controlling a crystal growth rate constant in manufacturing a fluoride single crystal for an optical element. - 特許庁

供給圧が基準範囲内であり、かつ、パージガスの供給により変位したシール部材の変位量が基準範囲内である場合に、モータによる回転軸の回転駆動が許可され、気相成長装置の稼働が許可される。例文帳に追加

When the supply pressure is within the reference range, and the displacement amount of the sealing member displaced by the supply of the purge gas is within the reference range, the rotary drive of a rotary shaft by a motor is permitted, and the operation of the vapor deposition device is permitted. - 特許庁

筐体１１とディスク搬送機構３０と回転駆動機構４１と光学ピックアップ４２とピックアップ移動機構４３とベース部材４０とベース移動機構８３と姿勢調整機構９０とを有している。例文帳に追加

The disk driving device includes a casing 11, a disk conveying mechanism 30, a rotary-driving mechanism 41, an optical pickup 42, a pickup moving mechanism 43, a base member 40, a base moving mechanism 83, and a posture adjusting mechanism 90. - 特許庁

よって、アスペクト比が大きな凹部を有するウェハＷに対し、ＰＳＧ膜の成長堆積速度を維持しつつ、凹部の埋め込み性を向上できる。例文帳に追加

As a result, while the growth deposition rate of the BPSG film is maintained to the wafer W having a high aspect ratio of the recessed parts, the embedding properties of the recessed parts can be raised. - 特許庁

高集積化のためキャリア伝導方向が複数方向存在する駆動回路部において、結晶粒の成長方向を制御することによって高性能化を実現する。例文帳に追加

To provide a drive circuit unit which can be improved in performance by controlling the growth direction of crystal grains, where a plurality of conduction directions of carriers reside in the drive circuit unit because of high integration. - 特許庁

光散乱導光体１の散乱出射光取出面が散乱出射光強度角度特性調整凹凸領域２を形成しており、側方に棒状光源要素（蛍光灯）５が置かれている。例文帳に追加

The exiting face of the scattered light of a light-scattering light guide body 1 has a rugged region 2 to control the intensity-angle characteristics of the exiting scattered light, and a rod-like light source element (fluorescent lamp) 5 is disposed in the side of the body. - 特許庁

最終的には、最も成長速度の大きい結晶粒が１本の最終経路部１０ｄから目標領域１１にまで到達して、目標領域１１に大傾角粒界のない単一ドメインが形成される。例文帳に追加

Finally, the crystal grains which have highest growth rate reach the objective region 11 from one final path 10d, and a single domain having no large-angle grain boundary is made in the objective region 11. - 特許庁

光記録媒体１は基板１１の表面１１０２側にスパッタリング法などの膜成長速度の速い手法で薄膜１５を形成することによって構成される。例文帳に追加

An optical recording medium 1 is constructed, by forming a thin film 15 on the side of a surface 1102 of a substrate 11 with a means having a higher film growing speed, such as a sputtering method. - 特許庁

大きなタイムステップをとった場合、あるいは表面成長速度を計算するステップを減らした場合、において、界面付近の形状をより正確に算出できるシミュレーション方法およびシミュレーションプログラムを提供する。例文帳に追加

To provide a simulation method and a simulation program more accurately calculating a form near an interface when taking a large time-step or reducing the number of surface growing rate calculating steps. - 特許庁

緑液を苛性化するに先立ち、緑液の清澄度を高めて分光白色度測色計で測定される当該緑液のろ過残渣の明度を５０以上に保持する。例文帳に追加

Prior to causticize the green liquor, the lightness of the filtration residue of the green liquor measured by a spectral whiteness colorimeter is maintained at ≥50 by enhancing the degree of clarity of the green liquor. - 特許庁

同様に、カルテ情報作成部１０３で組織特性をマージし、会社全体のカルテを作成して企業内研修としての育成サイクルをスパイラルアップし、成長させていく。例文帳に追加

Similarly, the record information preparing part 103 merges the organization characteristics, prepares the record of the entire company, spirals up and grows an education cycle as intra-enterprise study. - 特許庁

また、成長過程において前記種付け部１７ａが前記液体封止剤１６中を通過した後の引上速度は、５mm／ｈ以上、１５mm／ｈ以下とする。例文帳に追加

In the growth process, the pulling speed after the pass of the seeding part 17a through the encapsulant 16 is set at 5 to 15 mm/h or lower. - 特許庁

この結果、成長速度の違いによって発生する応力を抑制することができ、この応力に起因する結晶欠陥の発生を抑制することができる。例文帳に追加

As a result, any stress caused by the difference of the growth rate is reduced, and the occurrence of crystal defect because of the stress is reduced. - 特許庁

光ファイバ母材の軸方向の成長速度を一定にしてΔＮ（比屈折率差）の変動を抑えることで、光ファイバの特性を安定化することができる光ファイバ母材の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for producing an optical fiber preform stabilizable of characteristics of an optical fiber by making the growth rate of the optical fiber preform in an axial direction to suppress variations in ΔN (specific refractive index difference). - 特許庁

部品に亀裂が発生するまで部品が持ちこたえた加熱−サイクル数に関する情報及び亀裂の成長速度の指標となる情報を得て（２４０）、複数の加熱サイクルで比較して部品及び補修技術を評価する。例文帳に追加

Information regarding the number of heating cycles sustained by the component until crack initiation and information indicating a rate of crack propagation are acquired (240) and compared over multiple heating cycles to evaluate the component and the repair techniques. - 特許庁

化学気相成長法によって、不純物濃度の低い良質な銅薄膜を、潜伏時間が少なく、かつ高い成膜速度で、大口径の基板に対しても面内全域にわたって均一に、高い原料使用効率で成膜を行なう。例文帳に追加

To form a high quality copper thin film having a low impurity concentration by chemical-vapor deposition in a little latency time and at high deposition rate, uniformly over the whole area in the surface for a large-diameter substrate with a high efficiency of using material. - 特許庁

ガラス微粒子堆積体の成長速度の変化にかかわらず屈折率分布の長手方向の変動を抑えて光ファイバの特性の安定化を図ることができる光ファイバの製造方法を得る。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing an optical fiber by which characteristics of the glass fiber can be stabilized by suppressing the variation of a refractive index distribution in a longitudinal direction regardless of the change of the growth rate of glass particle deposits. - 特許庁

また引上げ機構４による引上げ速度Ｖを調整するとともに、クーラの冷却量を調整して、前記Ｇ１を大きくさせた状態で、Ｖ／Ｇ１を臨界値近傍まで低下させて、シリコン結晶が引上げ成長される。例文帳に追加

The silicon wafer is pulled up and grown by lowering V/Gi down near to the critical value in the state of increasing G1 by regulating the pull-up speed V by means of the pull-up mechanism 4 and by regulating the rate of cooling of the cooler. - 特許庁

貫通孔２ｄを通じて空気や水が流通し、筒形台部２の相互間に充填された客土に空気や水が充分供給されるので、植物の根の呼吸や養分吸収が良くなり植物の成長が旺盛になる。例文帳に追加

Air and water circulate through the through-holes 2d, and the air and water are sufficiently supplied to additional fertile soil filled between the cylindrical stand parts 2, so breathing and nutrient absorption of plant roots are improved to make plant growth excellent. - 特許庁

流体計算手段２２は、ヤコビアン、気泡半径、気泡成長速度及びボイド率を用いて、気泡の質量の項を組み込んだ質量保存式を用いて圧力を算出し、これを固体計算手段２１に引渡す。例文帳に追加

The fluid calculation means 22 calculates the pressure by using a mass conservation equation into which the term of bubble mass is incorporated using the Jacobians, the bubble radius, the bubble growth rate and the void ratio, and delivers the pressure to the solid calculation means 21. - 特許庁

無欠陷高品質単結晶インゴットを速い成長速度で製造できる高品質シリコン単結晶の製造方法及びこれを用いて製造されたシリコン単結晶ウェーハを提供する。例文帳に追加

To provide a method for producing a high quality silicon single crystal which can be suitably used for producing a non-defect and high quality single crystal ingot by a high growth rate, and to provide a silicon single crystal wafer produced using the same. - 特許庁

複数の配管から供給する反応ガスの流量と基板上での膜の成長速度との関係を推定し、複数の配管から供給する反応ガスの流量を制御して成膜を行う。例文帳に追加

This film-forming method comprises estimating a relationship between the flow rate of the reaction gas supplied from several pipes and a growth rate of the film on a substrate, and controlling the flow rate of the reaction gas supplied from the several pipes, to form the film. - 特許庁

中長期的な経済成長の重要な要素である生産性について、国際比較を行ったところ、我が国の生産性は、米国の6割程度にとどまっており、欧州諸国（独、仏、英）と比較しても低水準となっている。例文帳に追加

In comparison with other countries, Japan's productivity, which is one of the significant factors for attaining medium- and long-term economic growth, is as low as around 60% of that in the United States and is also lower than that in Germany, France, and the United Kingdom.  - 経済産業省

蓄電池などの機器開発、スマートコミュニティの本格導入に向けた新たなビジネス創出など、新たな成長産業として支援していく。例文帳に追加

The government will provide support for new growth fields, including the development of such equipment as storage batteries and the creation of new business toward the full-scale introduction of smart community. - 経済産業省

日本には、全国総合開発計画をベースに、公共投資による地域間格差の是正、国土の均衡発展を目指し、高度成長を遂げたという経験がある。例文帳に追加

In Japan has the experience of aiming to correct regional disparities and carry out the balanced development of national land through public investment based on the Comprehensive National Development Plan, and has achieved high growth. - 経済産業省

最もインフラへのリスクが高いとされたインドでは、近年の急激な経済成長にインフラ整備が追いつかず、電力、道路など総じてインフラ面については不備が目立つと指摘されている（第2-4-3図）。例文帳に追加

India involves the greatest risk in terms of infrastructure. Infrastructure development cannot keep pace with the rapid economic growth that has occurred in recent years, and companies point that there is a conspicuous lack of development of infrastructure in general, including electric power and roads (Figure 2-4-3). - 経済産業省

グローバリゼーションが進展する中で、我が国としては、「収束クラブ」の中で、いかにして自らの改革努力を通じ、持続的成長につなげていくかが重要である。例文帳に追加

Amid ongoing globalization, it will be vital that Japan keeps pace with other "convergence club" members in pursuing reform toward sustained growth. - 経済産業省

さらに、成長率について見てみると、1997年におけるSRI資産総額は約227億ポンド（約330億ドル）であるから、2001年までの４年間で実に10倍に膨れ上がったこととなる（第2-1-36図）。例文帳に追加

As for the rate of growth, the total balance of SRI assets indeed ballooned as much as 10 times in the four years to 2001 from some 22.7 billion pounds (about 33 billion dollars) (Fig. 2.1.36). - 経済産業省

回転駆動されている記録ディスクの中央孔の周縁部又はその近傍部に発生し又は成長するクラックを適切なタイミングで検出してそれを回転駆動停止による記録ディスクの破損防止等に活用する。例文帳に追加

To perform prevention or the like of breakage of a recording disk due to the stop of rotary drive by detecting a crack that generates or grows up at the peripheral part or the proximity part of the center hole of the recording disk rotationally driven at appropriate timing. - 特許庁

また、オフ角度を有する（１１１）ＧａＡｓ基板を下地基板として用い、その上に複数の窓を有するマスクを形成し、その上からＧａＮ単結晶層を成長した後、下地基板を除去して、オフ角度を有するＧａＮ自立基板を作製してもよい。例文帳に追加

Self-standing GaN substrates with the off-axis angle may be manufactured by utilizing a (111) GaAs base plate with the off-axis angle as a starting substrate, by forming onto the starting substrate a mask having a plurality of apertures, depositing through the mask a GaN single crystal layer, and then removing the starting substrate. - 特許庁

また、オフ角度を有する（１１１）ＧａＡｓ基板を下地基板として用い、その上に複数の窓を有するマスクを形成し、その上からＧａＮ単結晶層を成長した後、下地基板を除去して、オフ角度を有するＧａＮ自立基板を作製してもよい。例文帳に追加

Alternately, a GaN self-standing substrate having an off-angle can be manufactured by using a (111) GaAs substrate having an off-angle as a ground substrate, then forming a mask having a plurality of windows on the substrate, and after growing a GaN single crystal layer on the resultant mask, removing the ground substrate. - 特許庁

また、オフ角度を有する（１１１）ＧａＡｓ基板を下地基板として用い、その上に複数の窓を有するマスクを形成し、その上からＧａＮ単結晶層を成長した後、下地基板を除去して、オフ角度を有するＧａＮ自立基板を作製してもよい。例文帳に追加

Alternately, a GaN self-standing substrate having an off-angle can be manufactured by using a (111) GaAs substrate having an off angle as a ground substrate, then forming a mask having a plurality of windows on the substrate, and after growing a GaN single crystal layer on the resultant mask, removing the ground substrate. - 特許庁

沈殿速度定数ｋが求まると、次に、予測計算処理部１３が、求められた沈殿速度定数ｋにより、坑井内流動シミュレータ１４とスケール成長シミュレータ１５を用いて、将来の予測スケール厚さと予測生産流量を計算する。例文帳に追加

Next, after the constant sedimentation rate (k) is determined, an estimation calculation processing part 13 calculates future estimated thickness of the scale and production flow rate based on the determined constant of sedimentation rate (k) by using the well flow simulator 14 and the scale growth simulator 15. - 特許庁

原料ガスとしてジクロロシランを使用し、９００〜１１５０℃、望ましくは１０００〜１１５０℃の温度範囲内でシリコンウェーハの表面にシリコン層をエピタキシャル成長させ、得られるエピタキシャルウェーハの成長速度方位依存性を低減させ、または、さらにエピタキシャルウェーハのエッジロールオフで評価される平坦度を優れたものとする。例文帳に追加

The epitaxial wafer is manufactured such that dichlorosilane is used as a material gas, a silicon layer is epitaxially grown on the surface of a silicon wafer at a temperature 900-1,150°C or preferably 1,000-1,150°C, growing azimuth dependency of an epitaxial wafer to be obtained is reduced, or the planarity evaluated with the edge roll off of the epitaxial wafer is made further superior. - 特許庁

ＦＺ法（浮遊帯域溶融法）により作製した酸化ガリウム単結晶を原料棒に用いて更にＦＺ法により酸素含有雰囲気下で酸化ガリウム単結晶を得るようにして、多段階的にＦＺ法を適用する酸化ガリウム単結晶の製造方法であって、成長速度を２．５〜２０ｍｍ／ｈの範囲で結晶成長させる。例文帳に追加

The method for producing the gallium oxide single crystal which applies an FZ method (floating zone melting method) in multistep is characterized in that the gallium oxide single crystal is obtained by using the gallium oxide single crystal produced by the FZ method as a source rod and is obtained under the atmosphere containing oxygen by the FZ method, wherein the crystal grows within 2.5-20 mm/h of a growth rate. - 特許庁

分子線エピタキシー法により閃亜鉛鉱型結晶基板上に窒化物結晶を成長させる方法であって、前記閃亜鉛鉱型結晶基板の［１１１］Ａ方向から０〜４５度の角度をなす方向から、窒素原料を前記閃亜鉛鉱型結晶基板上ないし該基板上に形成された層の上に供給する工程を含むことを特徴とする窒化物結晶の成長方法。例文帳に追加

This method for growing the nitride crystal is characterized in that the method is to grow the nitride crystal on a zincblende type crystal substrate according to a molecular beam epitaxial method and comprises a step of feeding a nitrogen raw material from the direction at 0-45° from the [111] A direction of the zincblende type crystal substrate onto the zincblende type crystal substrate or a layer formed on the substrate. - 特許庁

例えば、域内の橋・高速道路の建設、港の開港等のメコン- インド経済回廊（MIEC）整備ならびに、日本との空路・海路ルートの強化、非関税障壁の削減など日本とMIEC 関連国とのソフト面での連携強化は、アジア各国に高い経済成長をもたらすと同時に日本にとっても4.14% のGDP 成長をもたらすとされている（第5-2-1-8、9、10図）。例文帳に追加

For example, construction of bridges and highways in Asia, infrastructure development of the Mekong-India Economic Corridor (MIEC) including opening of a new port, and strengthening of partnerships between Japan and MIEC-related countries in “soft” aspects such as reinforcement of air and sea routes and reduction of non-tariff barriers will not only bring high economic growth to Asian nations but is also expected to boost Japanese GDP by 4.14%, according to the ERIA study (see Figures 5-2-1-8, 9, 10). - 経済産業省

双ドラム式薄板連続鋳造装置で用いられる冷却ドラムにおいて、端面部での摩耗の問題に加えて、端面での抜熱過剰による地金の異常成長を抑制し、長期にわたって安定した連続鋳造を実現できる双ドラム式薄板連続鋳造装置用冷却ドラムを提供する。例文帳に追加

To provide a cooling drum used for a twin drum-type thin plate continuous casting device which restrain abnormal growth of a base metal due to excessive heat releasing on an end face in addition to a problem of abrasion on an end face part, and realizes stable continuous casting for a long time. - 特許庁

近年、BRICS（ブラジル、ロシア、インド、中国、南アフリカ）と呼ばれる新興工業国は国土面積、人口の規模の大きさ、豊富な天然資源等を背景に世界経済の中で存在感を高めているが、その成長の速度や水準は国によって様々である。例文帳に追加

In recent years, a group of emerging economies referred to as BRICS (Brazil, Russia, India, China, and South Africa) has been increasing its presence in the global economy in light of its extensive land area and large population as well as abundant natural resources. The rate and level of growth, however, varies by country. - 経済産業省

結晶の成長工程（コーン工程や直胴工程等）や操業条件（結晶の回転数や回転方向等）に対応でき、安定して結晶径等を制御でき、安定した結晶成長を行うことが可能なＦＺ法(フローティングゾーン法または浮遊帯溶融法)による半導体単結晶棒の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of producing a semiconductor single crystal rod by an FZ method (floating zone method or floating zone melting method) that copes with a growth process (cone step, straight body step, or the like) of a crystal and an operation condition (rotational speed, rotary direction, or the like of a crystal), controls a crystal diameter, or the like stably, and grows a crystal stably. - 特許庁

包接水和物を生成する性質を有する水溶液、第四級アンモニウム塩をゲストとする包接水和物及び当該包接水和物のスラリ並びに、包接水和物の生成方法、包接水和物が生成又は成長する速度を増加させる方法、包接水和物が生成又は成長する際の過冷却現象を防止又は抑制する方法例文帳に追加

AQUEOUS SOLUTION HAVING PROPERTY FOR PRODUCING CLATHRATE HYDRATE, CLATHRATE HYDRATE CONTAINING QUATERNARY AMMONIUM SALT AS GUEST AND SLURRY OF THE CLATHRATE HYDRATE AND, METHOD FOR PRODUCING CLATHRATE HYDRATE, METHOD FOR INCREASING RATE FOR PRODUCING OR GROWING CLATHRATE HYDRATE, METHOD FOR PREVENTING OR CONTROLLING SUPERCOOLING PHENOMENON ON PRODUCTION OR GROWTH OF CLATHRATE HYDRATE - 特許庁