「せいちょうそくど」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

炭化ケイ素エピタキシャル成長速度を高くできる単結晶炭化ケイ素エピタキシャル成長用フィード材を提供する。例文帳に追加

To provide a feed material for epitaxial growth of single crystal silicon carbide enabling to increase epitaxial growth rate of silicon carbide. - 特許庁

ＧａＩｎＰエピタキシャル層の形成に際しては、ＧａＩｎＰエピタキシャル層が鏡面状態で成長しうる速度の下限である臨界成長速度以上で成長させる。例文帳に追加

On the formation of the GaInP epitaxial layer, it is grown at or higher a critical growth rate which is the lower limit of the rate at which the GaInP epitaxial layer can grow in a mirror-finished state. - 特許庁

光半導体集積素子構造において問題となる、誘電体マスク面積や埋め込み再成長層の成長速度の面方位依存性に起因するマスク上への張り出し成長や、マスク端での成長速度増大を回避する光半導体集積素子構造およびその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide an optical semiconductor integrated element structure for avoiding problems in the structure such as overhanging growth over a mask due to a dielectric mask area and surface orientation dependency of growth speed of a buried regrowing layer and an increase in the growth speed at a mask end, and to provide its manufacturing method. - 特許庁

「そこで、この私の成長し過ぎたところで、あなたの成長していないところを刺して塞いで、国土を生みたいと思います。」例文帳に追加

So I would like to make land inserting my part that grew too much into your part that did not grow enough.'  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

マイクロパイプ欠陥が発生しにくく、かつ結晶成長速度を向上させた炭化珪素単結晶のエピタキシャル成長方法を提供する。例文帳に追加

To provide an epitaxial growth method for a silicon carbide single crystal which method hardly causes micropipe defects and improves the crystal growth rate. - 特許庁

気相成長装置およびエピタキシャル気相成長装置用ガス導入口の仕切り部材の傾斜角度設定方法例文帳に追加

EPITAXIAL VAPOR PHASE GROWTH SYSTEM AND GRADIENT ANGLE SETTING METHOD FOR PARTITION MEMBER OF GAS INLET FOR THE VAPOR PHASE GROWTH SYSTEM - 特許庁

ｎ−ＩｎＰバッファ層２の成長温度は，６００〜７００℃，成長速度は，１〜３μｍとされ，Ｖ／III比は，１５０〜２５０とされている。例文帳に追加

The N-InP buffer layer 2 is grown at a growth temperature of 600 to 700°C and at a growth rate of 1 to 3 μm, where a V/III ratio is set to 150 to 250. - 特許庁

化合物半導体薄膜の成長速度を一回の成長実験のみで短時間で容易に導出することのできる化合物半導体薄膜の成長速度の導出方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method by which the growth rate of a semiconductor thin film can easily be derived in a short time from only the result of a single growth experiment. - 特許庁

原子間空間が異なる面で異なっているので、異なる結晶面上の酸化物は、本来的に異なる成長速度で成長する。例文帳に追加

Since interatomic spaces are different for the different faces, the oxides on the different crystal faces grow at essentially different speeds. - 特許庁

ＭＯＶＰＥ法による窒化物系半導体のエピタキシャル成長速度を高める新たなエピタキシャル成長方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a novel epitaxial growth method of increasing an epitaxial growth speed of a nitride group semiconductor by a MOVPE method. - 特許庁

ＭＯＶＰＥ法による窒化物系半導体のエピタキシャル成長速度を高める新たなエピタキシャル成長方法を提供する例文帳に追加

To provide a new epitaxial growth method which can increase the epitaxial growth speed of a nitride-based semiconductor by MOVPE method. - 特許庁

平坦な成長表面を持つ単一の単結晶が安定して高い成長速度で得られるＳｉＣ単結晶の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for producing an SiC single crystal by which a unitary single crystal having a flat growth surface can be stably obtained at a high growth rate. - 特許庁

次に、ＧａＮ結晶１０２上に７μｍ／ｈ以下の成長速度でＧａＮ結晶１０５を成長させた。例文帳に追加

Then a GaN crystal 105 is grown on the GaN crystal 102 at a growth rate of 7 μm/h or less. - 特許庁

結晶成長温度 ： ９９０〔℃〕 結晶成長速度 ： ０．８〔μｍ／ｍｉｎ〕 供給ガス流量比（Ｖ／III 比）： ５０００例文帳に追加

Regarding the crystal growth condition of the non-vertical growth part 4, crystal growth temperature is 990°C; crystal growth rate is 0.8 μm/min; and supply gas flow ratio (V/III ratio) is 5,000. - 特許庁

成長温度Ｔ_Ｗが摂氏６４０度以上６９０度未満の温度であるとき、成長速度Ｖ_Ｇの下限は、５．５ｎｍ／分以上である。例文帳に追加

When the growth temperature T_W is not lower than 640°C and lower than 690°C, a lower limit of growth speed V_G is not smaller than 5.5 nm/min. - 特許庁

ＳｉＣ単結晶の成長速度の低下の低減、ＳｉＣ単結晶の長時間成長、ＳｉＣ粉末原料の残留の低減を図る。例文帳に追加

To promote the reduction of the decline in growth rate of SiC single crystal, the long time growth of SiC single crystal, and the reduction of the residual amount of SiC powdered raw material. - 特許庁

ヒトの部分的成長ホルモン不感受性症候群の患者の成長速度を向上させるための方法の提供。例文帳に追加

To obtain a pharmaceutical composition for improving the growth rate of patients suffered from human partial growth hormone insensitivity syndrome(GHIS) by including an effective amount of a serum insulin growth hormone (IGF-I) and a support. - 特許庁

溶液成長法により、高い成長速度で良質なＳｉＣ（ＳｉＣ）単結晶を製造する方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing a high-quality silicon carbide (SiC) single crystal at a high growing rate by a solution growth method. - 特許庁

増径後は結晶成長速度を６〜１２ｍｍ／ｈにして結晶径７５ｍｍ以上のＧａＡｓ単結晶を成長させる。例文帳に追加

After the diameter enlargement, the crystal growth velocity is controlled to 6 to 12 mm/h, and GaAs single crystals with a crystal diameter of ≥75 mm are grown. - 特許庁

成長温度Ｔ_Ｗが摂氏７１０度以上７５０度以下の温度であるとき、成長速度Ｖ_Ｇの上限は、１３．９ｎｍ／分以下である。例文帳に追加

When the growth temperature T_W is 710°C to 750°C, the upper limit of growth speed V_G is not larger than 13.9 nm/min. - 特許庁

結晶成長プロセスの制御の必要条件としての結晶成長速度を測定するために相界面の位置の測定を可能にする、結晶成長時、相界面の位置を測定する方法及び装置を提供する．例文帳に追加

To provide a method and a device for measuring an interface position at crystal growth in order to measure a crystal growth rate as a requirement of the crystal growth process control. - 特許庁

本発明によれば、半導体素子の製造に適用可能であるＧａＮ層成長速度を実現できるＧａＮ層成長方法、および、Ｓｉ基板直上にＧａＮ層が成長している半導体素子を実現することが可能になる。例文帳に追加

This invention realizes a GaN layer growing method capable of realizing a GaN layer growing rate applicable to manufacture of a semiconductor element, and provides the semiconductor element having the growing GaN layer just above the Si substrate. - 特許庁

半導体素子の製造に適用可能であるＧａＮ層成長速度を実現できるＧａＮ層成長方法、および、Ｓｉ基板直上にＧａＮ層が成長している半導体素子を提供すること。例文帳に追加

To provide a GaN layer growing method capable of realizing a GaN growing rate applicable to manufacture of a semiconductor element, and to provide a semiconductor having a GaN layer growing just above an Si substrate. - 特許庁

横方向結晶成長における横方向成長速度が縦方向成長速度と同等の成長速度を維持することにより、等方的に立方晶炭化珪素を成長させることができ、より広い低欠陥領域を有する立方晶炭化珪素膜を形成させることのできる立方晶炭化珪素膜の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a production method of a cubic crystal silicon carbide film which allows isotropic growth of a cubic crystal silicon carbide by maintaining such a growth rate as the lateral growth rate in lateral crystal growth is equivalent to the longitudinal growth rate, and allows formation of a cubic crystal silicon carbide film having a wider low defect region. - 特許庁

生長速度法かその他の手法か明確でない場合は、暫定的な措置としてそのNOEC値を用いてよい。例文帳に追加

NOECs may be used on a provisional basis when the method involved cannot be identified. - 経済産業省

その際に、結晶成長速度の遷移領域である種結晶３上の成長領域１０、１２、１３、１５での不純物添加量が、限界不純物添加量を超えないように制御するバルク結晶の成長方法である。例文帳に追加

The bulk crystal growth method comprises controlling the amount of addition of the impurity to the growth regions 10, 12, 13 and 15 where the rate of crystal growth is in a transition region on the seed crystal 3 not to exceed the limit to the amount of addition. - 特許庁

そして、解析装置８は、周期Ｔによってλ／２の膜厚を除算して成長速度を検出する。例文帳に追加

Then the analyzer 8 detects the growth rate by dividing the film thickness of λ/2 by the period T. - 特許庁

有機金属気相成長法によりジメチル亜鉛などを用いて亜鉛を含有するｐ型ＡｌＧａＩｎＰ系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層を成長させる工程において、成長速度を０．３ｎｍ／秒以上とする。例文帳に追加

In a process for forming a p-type AlGaInP III-V compound semiconductor layer comprising zinc by using dimethylzinc, etc., by a metal organic vapor phase epitaxy, a growth velocity is made at least 0.3 nm/s. - 特許庁

有機金属気相成長法を用いてＣドープ化合物半導体を成長する際に、成長速度の低下や固相組成のずれを抑制することができる結晶の作製方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of manufacturing a crystal which can prevent the decline in growth rate and the deviation in solid phase composition when growing a C-doped compound semiconductor using the metal organic vapor phase epitaxy. - 特許庁

面方位による成長速度の差を大きくすることができるとともに異常成長の発生等がなく、従来に較べて形状制御性を向上させることができる原子層成長による薄膜形成方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of forming a thin film by growth of an atom layer, which enables increase in difference in growth speed which depends on crystal orientation, and to eliminate the generation of an abnormal growth and which enables to improve a shape controllability than the conventional method. - 特許庁

本発明は、ＳｉＣ基板１０上に、第１のＧａＮ層１８を成長させる工程と、第１のＧａＮ層１８上に、（横方向成長速度）／（縦方向成長速度）が、第１のＧａＮ層１８の成長に比べて小さい条件を用いることで成長された第２のＧａＮ層２０を形成する工程と、を有する半導体装置の製造方法である。例文帳に追加

A manufacturing method of a semiconductor device in the present invention comprises the steps of: growing a first GaN layer 18 on an SiC substrate 10; and forming a second GaN layer 20, grown under a condition that a ratio of a lateral growth speed to a longitudinal growth speed is smaller than that in the growth of the first GaN layer 18, on the first GaN layer 18. - 特許庁

高純度のＡｌＮ単結晶を成長させることができるとともにＡｌＮ単結晶の成長ごとの成長速度のばらつきを低減することができるＡｌＮ単結晶の成長方法およびその方法により得られたＡｌＮ単結晶を提供する。例文帳に追加

To provide a method for growing an AlN single crystal capable of growing a high-purity AlN single crystal and capable of reducing the dispersion of AlN single crystal growth rates among respective growth steps and to provide an AlN single crystal obtained thereby. - 特許庁

バッファー層を比較的低い温度でかつ遅い速度でエピタキシャル成長させて形成する。例文帳に追加

The buffer layer is formed by the epitaxial growth at a comparatively low temperature at a slow speed. - 特許庁

ＩＩＩ族窒化物結晶の成長速度を高速化できる結晶製造装置を提供する。例文帳に追加

To provide an apparatus for manufacturing crystal that can increase the growth rate of a group III nitride crystal. - 特許庁

ただし、先進国と新興国の成長速度の差は縮まらず、新興国の存在感は一層高まる。例文帳に追加

However, with advanced economies failing to narrow the growth rate gap with emerging economies, emerging economies have further increased their presence. - 経済産業省

III-Ｖ族系化合物半導体のエピタキシャル成長に際し、低転位基板を用いた場合においても従来と同程度のエピタキシャル成長速度を実現することができるエピタキシャル成長方法を提供する。例文帳に追加

To realize epitaxial growth without decreasing its speed even with a low dislocation substrate, at epitaxial growth of a III-V compound semiconductor. - 特許庁

成長容器の直胴部上の開口部から液体封止剤を飛散させないようにして、化合物半導体単結晶成長後に成長容器を破損することなく取り出すことを可能とする。例文帳に追加

To take a compound semiconductor single crystal out of a growth vessel without damaging the growth vessel after the growth of the compound semiconductor single crystal by preventing a liquid sealant from being scattered from an opening part above the trunk part of the growth vessel. - 特許庁

結晶品質の向上、歩留り向上および結晶成長速度の改善を図ることができる結晶成長用ルツボおよび結晶成長方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a crucible for growth of a crystal and a method for growing a crystal to improve crystal quality, improve a yield, and improve a crystal growth rate. - 特許庁

供給されたガスが適切に成長表面で反応させられるようにし、速い成長速度においても結晶性の良好な成長が行えるようにする。例文帳に追加

To realize growth with a good crystallinity even at a high growth speed by allowing supplied gases to appropriately react on a growth surface. - 特許庁

溶液法によるＳｉＣ単結晶を成長する際の種結晶の破壊・剥離を防止して高い成長速度を達成し得る溶液法によるＳｉＣ単結晶成長用種結晶の複合接着方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for composite bonding of a seed crystal for growing a SiC single crystal by a solution growth technique, whereby high growth speed can be achieved by preventing breaking and separation of the seed crystal when growing the SiC single crystal by the solution growth technique. - 特許庁

基板上に単結晶成長を行うために、分子線エピタキシャル成長（MBE）や有機金属化学的気相成長が用いられているが、MBE法は10^-11 Torrレベルの超高真空を必要とする上に成長速度が遅いため、作製プロセスのコストが高い。例文帳に追加

To provide a light emitting element and a display element which can be manufactured in a safe and inexpensive process by making it unnecessary to contain any harmful material as a complete material and element and to provide a method for manufacturing the light emitting element and the display element. - 特許庁

チョクラルスキー法により炭素をドープしてシリコン単結晶１を製造する方法において、結晶成長時に、結晶成長方向に対して垂直面内の結晶中心部１５が成長する平均速度と結晶周辺部１６が成長する平均速度との差を±０．１ｍｍ／ｍｉｎ以内となるようにして結晶１を成長する。例文帳に追加

The production method of a silicon single crystal 1 by Czochralski method by doping with carbon is disclosed, wherein the crystal 1 is grown by controlling the difference between an average growing rate of the crystal center portion 15 within a plane perpendicular to the crystal growth direction and an average growing rate of the crystal peripheral portion 16 to be within ±0.1 mm/min during growing the crystal. - 特許庁

少なくともアルカリ金属とＩＩＩ族金属原料と窒素とが溶解した溶液からＩＩＩ族窒化物結晶を成長させるＩＩＩ族窒化物の結晶成長方法において、前記溶液に、ＩＩＩ族窒化物結晶のｃ軸に平行な方向の成長速度をｃ軸に垂直な方向の成長速度よりも速くさせる物質を含ませて、ＩＩＩ族窒化物結晶２９を成長させる。例文帳に追加

In the method for growing the group III nitride crystal from a solution in which at least an alkali metal, a group III metal raw material and nitrogen are dissolved, the group III nitride crystal 29 is grown by incorporating a substance for increasing the growth speed in the direction parallel to the c-axis of the group III nitride crystal higher than that in the direction perpendicular to the c-axis into the solution. - 特許庁

海洋藻類の成長速度制御における微量金属の役割はよく理解されていない。例文帳に追加

The role of trace metals in regulating the growth rates of marine phytoplankton is not well understood. - 英語論文検索例文集

海洋藻類の成長速度制御における微量金属の役割はよく理解されていない。例文帳に追加

The role of trace metals in regulating the growth rates of marine phytoplankton is not well understood. - 英語論文検索例文集