「せいちょうそくど」に関連した英語例文の一覧と使い方(3ページ目) - Weblio英語例文検索

学童の骨塩量評価を行う場合にその成長過程を考慮に入れる。例文帳に追加

To achieve a bone-salt quantity evaluation by giving a due consideration to a growth process of school children. - 特許庁

原子層成長法による薄膜の形成において、成膜速度をより向上させる。例文帳に追加

To further improve a film forming speed in forming a thin film using an atomic layer growing method. - 特許庁

Ｎ元素がＧａＮ基板の溶解により供給され、結晶成長速度を高くすることができる。例文帳に追加

Nitrogen element is supplied by the dissolution of the GaN substrate 10, and thereby, the crystal growth speed can be increased. - 特許庁

そして、ガス流路３６Aのそれぞれのガス流量の変化がウェハ２８上の膜成長速度分布の変化に及ぼす感度を定義した膜成長感度データを用いて、回帰計算により、上記の膜成長速度の偏差を減らすように、それぞれのガス流路３６Aのガス流量が調整される。例文帳に追加

Then, the gas flow rate of each of the gas flow passages 36A is adjusted by recurrence calculation so that the deviation of the film growing speed can be reduced, using film growing sensitivity data defining sensitivity influenced by a change of a gas flow rate of each of the gas flow passages 36A on a change in film growing speed on the wafer 28. - 特許庁

この成長速度の表現は，環境影響を説明するために修正されている。例文帳に追加

The kinetic expression for growth is modified in order to account for environmental effects. - 英語論文検索例文集

成長の速度論的表現は，環境の効果を説明するために修正される。例文帳に追加

The kinetic expression for growth is modified in order to account for environmental effects. - 英語論文検索例文集

この成長速度の表現は，環境影響を説明するために修正されている。例文帳に追加

The kinetic expression for growth is modified in order to account for environmental effects. - 英語論文検索例文集

一部の場合，鱗を採集して成長速度や一般的体長が計算・比較される。例文帳に追加

In some cases scales are collected so that growth rates as well as general size can be calculated and compared. - 英語論文検索例文集

高度成長期以降、国道171号線沿いに工場や倉庫が増加した。例文帳に追加

The number of factories and warehouses along the National Route 171 has increased since the beginning of the high-growth period.  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

グリーンで持続可能な成長を促進するコミットメント（オーストラリア，韓国，ドイツ，メキシコ）例文帳に追加

Commitments to promote green and sustainable growth (Australia, Korea, Germany, Mexico).  - 財務省

窒化物半導体の製造方法、結晶成長速度増加剤、窒化物単結晶、ウエハ及びデバイス例文帳に追加

PROCESS FOR PRODUCING NITRIDE SEMICONDUCTOR, CRYSTAL GROWTH RATE ENHANCEMENT AGENT, NITRIDE SINGLE CRYSTAL, WAFER AND DEVICE - 特許庁

高品質のシリコン単結晶を高い成長速度で製造する技術を提供する。例文帳に追加

To provide technology for manufacturing a high quality silicon single crystal at a high growth speed. - 特許庁

ダストを発生させず、成長速度の大きい窒化タングステン薄膜形成技術を提供する。例文帳に追加

To provide a technique for forming a tungsten nitride thin film high in a growing rate without generating dust. - 特許庁

高品質の単結晶を高い成長速度で製造する方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing a high quality single crystal at a high growth speed. - 特許庁

結晶の成長速度の大きいＩＩＩ族窒化物結晶の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of producing a group III nitride crystal having a high rate of crystal growth. - 特許庁

走査位置毎の伝播角度や個体差に対応した遮光板の姿勢調整が必要となる。例文帳に追加

A propagation angle in every scanning position and postures of a shielding plate corresponding to individual differences are required to be regulated. - 特許庁

結晶性が良好な窒化物単結晶を速い速度で成長させる方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for growing a nitride single crystal having good crystallinity at a faster speed. - 特許庁

結晶成長速度を向上させた溶液法によるＳｉＣ単結晶の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for producing an SiC single crystal improved in crystal growth rate by a solution process. - 特許庁

結晶の成長速度の大きいＩＩＩ族窒化物結晶の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for producing a group III nitride crystal having a higher crystal growth rate. - 特許庁

ダイヤモンドの成長速度が１時間当たり１マイクロメートルより大きい。例文帳に追加

Here, the growth rate of the diamond is greater than 1 μm per hour. - 特許庁

さらに、温度をより高温にして保持し、結晶成長速度を向上させる。例文帳に追加

Thereafter the temperature is kept at a higher temperature to improve the crystal-growing rate. - 特許庁

このような変数の例としては、バッチプロセスの構成成分（例えば、生成速度、細胞成長速度等）の変化速度であってもよい。例文帳に追加

An example of such a variable may be a change speed of components (such as generation rate, cell growth speed, etc.) of the batch process. - 特許庁

遅い成長速度の第１の層３１と速い成長速度の第２の層３２とを２組以上積層することにより、高い結晶性を維持しながら、上面の凹凸を大幅に低減したバッファ層３を形成することができる。例文帳に追加

Two or more pairs of a first layer 31 having a slow growing speed and a second layer 32 having a fast growing speed are stacked to form a buffer layer 3 which has upper-surface unevenness greatly reduced while maintaining high crystallinity. - 特許庁

｛０００１｝面から傾斜角度１°〜９０°傾いた面を成長面とする複数の炭化珪素単結晶を、上記成長面が互いに相対するように一定の間隔をおいて配置し、上記成長面上に炭化珪素単結晶を成長させて上記間隔を炭化珪素単結晶で満たした成長結晶を作製する。例文帳に追加

Arranging a plurality of silicon carbide single crystals having their growth surfaces being tilted at an inclination angle of 1-90° from {0001} plane so that the growth surfaces oppose each other with definite intervals, then silicon carbide single crystals are grown on the growth surface to fill the intervals with silicon carbide single crystals to obtain a grown crystal. - 特許庁

高い成長速度が得られ、１バッチに多数枚の基板を投入しても、基板内や基板間の成長速度の分布が均一で、装置を大型化しても、メルトの反応や汚染を低減しやすい液相成長方法、および、装置を提供する。例文帳に追加

To provide a liquid phase growth method which makes it possible to obtain a high growth rate, is uniform in the distribution of growth rates within and between substrates in spite of feeding many sheets of the substrates to one batch and easily lessens the reaction and contamination of a melt in spite of upsizing of the equipment, and an equipment therefor. - 特許庁

結晶成長装置内で、半導体ウエハ表面に、エッチング作用のある原料と結晶成長原料を同時に供給し、エッチング速度と結晶成長速度をバランスさせることで、効率良く残留不純物を除去する。例文帳に追加

In a crystal growth apparatus, a material having etching action and a material for crystal growth are supplied at the same time onto the surface of a semiconductor wafer to be well-balanced between an etching rate and a crystal growth speed, resulting in the efficient removal of residual impurities. - 特許庁

この際、第１の窒化ガリウム系化合物半導体層の成長速度を、第２の窒化ガリウム系化合物半導体層の成長速度よりも小さくする。例文帳に追加

At this time, the growth rate of the first gallium nitride-based compound semiconductor layer is adjusted to be lower than that of the second gallium nitride-based compound semiconductor layer. - 特許庁

半導体光素子基板の各層に対応する膜の成長速度条件出しに関し、成長速度条件出し項数を削減する方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of decreasing the number of growth rate conditioning terms with respect to growth rate conditioning of films corresponding to respective layers of a semiconductor photonic device substrate. - 特許庁

成長時に膜厚分布を生じたとしても、成長中断を挿入すれば、膜厚が厚い部分におけるエッチング速度が、膜厚が薄い部分におけるエッチング速度を上回り、これを解消する方向に寄与する。例文帳に追加

When the growth is interrupted, the etching rate at a thicker portion becomes higher than that at a thinner portion and the thickness distribution is eliminated, even if the distribution occurs during the course of the selective growth. - 特許庁

ｃ面サファイア基板３０１上に、減圧ハイドライドＶＰＥ法により４μｍ／ｈ以下の成長速度で薄いＧａＮ層３０２を成長させた後、このＧａＮ層３０２上に常圧ハイドライドＶＰＥ法により４μｍ／ｈよりも大きく且つ２００μｍ／ｈ以下の成長速度で十分に厚いＡｌＧａＮ層３０４を成長させる。例文帳に追加

A thin GaN layer 302 is grown at a growth rate of, for example, 4 μm/h or under by depressurized hydride VPE method on a substrate 301, and then a thick AlGaN layer 304 is grown enough at a growth rate of 4-400 μm/h by normal pressure hydride VPE method on this GaN layer 2. - 特許庁

ｃ面サファイア基板１上にＭＯＣＶＤ法やＭＢＥ法により４μｍ／ｈ以下の成長速度で薄いＧａＮ層２を成長させた後、このＧａＮ層２上にハイドライドＶＰＥ法により４μｍ／ｈよりも大きくかつ２００μｍ／ｈ以下の成長速度で十分に厚いＧａＮ層３を成長させる。例文帳に追加

A thin GaN layer 2 is grown rate of 4 μm/h or less on a c-face sapphire substrate 1 by MOCVD or MBE, and then a sufficiently thick GaN layer 3 is grown on the GaN layer 2 at a rate higher than 4 μm/h but not higher than 200 μm/h by hydride VPE. - 特許庁

ウエハ上で液滴を成長させた後（液滴成長工程）、１００ｒｐｍ程度の第１液滴排除速度でウエハを回転し、さらに２００ｒｐｍ程度の第２液滴排除速度でウエハを回転する（第１回転工程）。例文帳に追加

After droplets have been grown on a wafer (droplet growth process), the wafer is turned at a first droplet removal rate of about 100 rpm, and the wafer is turned further at a second droplet removal rate of about 200 rpm. - 特許庁

ガス流量の制御では、試験的成膜によりウェハ２８上に形成された膜厚データに基づいて、ウェハ２８上の種々の位置における膜成長速度と所定の目標膜成長速度の間の偏差が計算される。例文帳に追加

In the control of the gas flow rate, deviation between film growing speeds on various positions on a wafer 28 and a predetermined target growing speed is calculated on the basis of data about the thickness of a film formed on the wafer 28 by an experimental film formation. - 特許庁

目標速度のＲＲＯ成長量の実測値又は推定値と、伝達率と、を用い、目標速度の高速ＲＦＶ推定値を算出する。例文帳に追加

Using a measured value or estimated value of the amount of RRO growth at a target speed and transmissibility thereof, high-speed RFV estimated value at the target speed is calculated. - 特許庁

光学要素の駆動装置、該駆動装置を有する露光装置、デバイス製造方法、光学特性調整方法例文帳に追加

DRIVING DEVICE FOR OPTICAL ELEMENT, EXPOSURE DEVICE HAVING THE DRIVING DEVICE, DEVICE MANUFACTURING METHOD, AND OPTICAL CHARACTERISTIC ADJUSTING METHOD - 特許庁

本発明はＬＥＯ法を利用してＧａＮを側面成長させる際インジウム（Ｉｎ）ドーピングを通してＧａＮの側面成長速度を増加させ、より短時間内にＧａＮ層を形成するＩｎドーピングを通したＧａＮ側面成長方法に関するものである。例文帳に追加

To reduce the manufacturing period for a device and to improve its productivity by increasing the lateral growth rate of GaN by doping with indium (In) during laterally growing GaN by an LEO (lateral epitaxial overgrowth) method. - 特許庁

このように配置すれば、その角度に応じて種結晶４の上に成長する炭化珪素単結晶６の成長面も傾斜するため、炭化珪素単結晶６の成長面（凹面）の凹部から下流側までの間においても、炭化珪素原料ガスの流れが円滑に行われる傾斜とすることができる。例文帳に追加

By this disposition, the growth face of the silicon carbide single crystal 6 is inclined according to the angle and the smooth flow of the silicon carbide reaction gas can be secured even in the range from the concave part of the growing face (having a concave face) to the down stream side of the silicon carbide single crystal 6. - 特許庁

そして、微粒子集合体３の成長にあわせて、分散媒の蒸発速度を速める装置５を微粒子分散液２の側へ移動させることにより、微粒子集合体３の成長端４を微粒子分散液２の側へ移動させ、前記微粒子集合体の成長方向を制御する。例文帳に追加

By moving the device 5 to the dispersion liquid 2 side in conformity to the growth of the particulate assembly 3, a growth end 4 of the assembly 3 is moved to the dispersion liquid 2 side to control the growth direction of the assembly 3. - 特許庁

音声調整卓に音声信号を供給する再生装置等の音声信号供給源を繰り返して再生駆動することなく、同一の音声信号を得ることが可能な音声調整卓を提供する。例文帳に追加

To provide a speech adjusting console capable of obtaining the same speech signal without repeatedly reproducing and driving a speech signal supply source such as a reproducing device for supplying the speech signal to the speech adjusting console. - 特許庁

カーボンナノチューブを高速成長せしめる従来の方法では、成長速度がガスの供給方法に強く依存しているため、長さや直径が揃ったカーボンナノチューブを再現性よく成長せしめることは困難である。例文帳に追加

To provide a method of manufacturing a carbon nanotube which can overcome such a problem that the conventional methods to grow carbon nanotubes at a high speed can hardly grow carbon nanotubes having equal lengths and diameters with good reducibility since the growing speed strongly depends on the supply method of gases. - 特許庁

貫通転位遮断層を形成する工程は、常圧且つデバイス機能層の成長温度よりも低い温度雰囲気の下、互いに異なる成長速度で半導体膜の成長を行う第１ステップおよび第２ステップを交互に複数回実施する。例文帳に追加

The process of forming the through dislocation blocking layer alternately repeats a first step and a second step of performing the growth of the semiconductor film at mutually different growth rates, under a normal pressure and a temperature atmosphere lower than the growth temperature of a device function layer. - 特許庁

本発明に係るＩｎＧａＮ層の製造方法は、７００℃〜７９０℃の成長温度、３０Å／分〜９３Å／分の成長速度及び１．７６×１０^−５モル／分〜３．５３×１０^−５モル／分のトリメチルインジウムの流量の条件下でＩｎＧａＮ層を成長させる。例文帳に追加

In the method for producing the InGaN layer, under conditions that a growing temperature is 700°C to 790°C, a growing speed is 30 Å/min to 93 Å/min, and a flow rate of trimethyl indium is 1.76×10^-5 mol/min to 3.53×10^-5 mol/min, the InGaN layer is grown. - 特許庁

３００ｍｍ以上の直径を有するシリコン単結晶を成長させる場合であっても、成長する単結晶に対する冷却効果を最大限に発揮し、結晶成長速度の高速化を図ることのできる単結晶育成方法ならびに単結晶育成装置を提供する。例文帳に追加

To provide a method of growing a single crystal and a single crystal growing device which can attain high speed growing of the single crystal by making cooling effects to the growing single crystal maximum even in the case of growing a silicon single crystal of ≥300 mm diameter. - 特許庁

つまり、ｐ型基板に見立てるｐ＋型４Ｈ-ＳｉＣアノード層１２は、エピタキシャル成長により作製するから、バルク成長で作製されるｐ型基板に比べて結晶成長速度が遅く、ｐ型ドーパントであるアルミニウムの濃度を上げても、結晶品質が良くなる。例文帳に追加

This means that, since a p+ type 4H-SiC anode layer 12 likened to a p-type substrate is fabricated by epitaxial growth, its crystal growth speed is slower than for a p-type substrate fabricated by bulk growth, so that excellent crystal quality is obtained even when the concentration of aluminum which is a p-type dopant is increased. - 特許庁

高度経済成長期には本格的な自動車専用道路である高速道路が、日本で初めて登場した（名神高速道路）。例文帳に追加

In the high economic growth period, the expressway (Meishin Expressway) was constructed for the first time in Japan.  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス