「せいちょうそくど」に関連した英語例文の一覧と使い方(14ページ目) - Weblio英語例文検索

対向ターゲットを用いたスパタッリングによって下地電極上の結晶方位に倣ってエピタキシャル成長した巨大磁気抵抗材料薄膜を成膜する際に、少なくとも２段階のスパッタリング工程を用い、第１段階のスパッタリング工程で成膜速度を相対的に遅くし、その後の段階のスパッタリング工程で成膜速度を相対的に速くして薄膜を形成する。例文帳に追加

When depositing the colossal magneto-resistive material thin film which has epitaxially grown after crystal orientation on a base electrode by sputtering using facing targets, a sputtering process having at least two steps are used, a deposition rate is relatively slowed down in the sputtering process in a first step, and the deposition rate is relatively accelerated in the sputtering process in later steps to form the thin film. - 特許庁

シリコンウェハーの上に垂直パワー素子を製造する方法に関し、第１導電形の重くドープした基板の上表面に第２導電形の軽くドープしたエピタキシャル層を成長させ、該エピタキシャル層はパワー素子の動作中に印加される最大電圧に耐える厚さを有し、ウェハーの中に少なくとも１つのパワー素子に対応する領域を絶縁壁により区切る。例文帳に追加

In a method of manufacturing the vertical power element on a silicon wafer, a second-conductivity lightly-doped epitaxial layer having such a thickness that can withstand the maximum voltage impressed upon the power element during operation is formed on the upper surface of a first-conductivity heavily-doped substrate and at least one area corresponding to the power element is divided by insulating walls in the wafer. - 特許庁

この動力的伝達関係を、操作レバー２５により断つことで、起動軸１５におけるめねじ部とねじシャフト部とが、相互に動力を伝達可能にする結合関係で自由に動作できる状態として、ボトムの荷重によって姿勢調節機構による復帰速度を越えた速度で、ボトムを起動軸１５と共に平坦な位置に戻す。例文帳に追加

When this motive transmitting relation is cut by the control lever 25, the female screw section 15 and a screw shaft section of the starting shaft 15 become free operational state in a jointing relation for mutually transmitting motive power and return the bottom to a flat position together with the starting shaft 15 at a speed over a returning speed caused by a load of the bottom operated by an attitude control mechanism. - 特許庁

コンペイ糖状粒体の造粒装置は、底部隅をアールとした傾斜回転パンと、この傾斜回転パンを駆動する駆動装置と、傾斜回転パン内に粉体を充填する粉体供給手段と、傾斜回転パンの内部に少なくとも粒体成長工程時に一点に集中して水を吹付け可能なノズルと、スクレーパとを備える。例文帳に追加

The granulating apparatus for Konpeito-like granules is provided with the inclined rotating pan rounding the bottom corner, a driving device driving the inclined rotating pan, a powder supplying means filling powder in the inclined rotating pan, a nozzle capable of centering the spraying of water at least at the time of the granule growing process in the inclined rotating pan, and a scraper. - 特許庁

この高配向性ダイヤモンド膜の形成工程は、少なくとも２段階の（００１）面選択成長条件による高配向性ダイヤモンド膜合成工程を有し、第１段階のダイヤモンド膜４の合成工程の成膜速度が、それ以降に行われる第２段階のダイヤモンド膜５の合成工程の成膜速度の１０分の１以下である。例文帳に追加

The deposition process of the highly oriented diamond film comprises a highly oriented diamond film synthesizing process including at least two stage (001) plane selective deposition conditions, and the film deposition speed in a first stage diamond film 4 synthesizing process is ≤1/10 of the film deposition speed in the second stage diamond film 5 synthesizing process, performed after the first stage. - 特許庁

Ｎｄ、Ｅｒ及びＴｍから選ばれる少なくとも１種の元素を含有するフッ化ルテチウムからなることを特徴とするフッ化物単結晶、該フッ化物単結晶からなることを特徴とするシンチレーターであって、該フッ化物単結晶は、例えば、少なくともフッ化ルテチウムとアルカリ金属フッ化物とを混合してなる原料混合物にＮｄ、Ｅｒ及びＴｍから選ばれる少なくとも１種の元素のフッ化物を添加し、溶融して原料融液とし、該原料融液より引上げ法を用いてフッ化物単結晶を成長せしめる際に、成長速度を下式で表わされるｖ_ｍａｘ以下として得る。例文帳に追加

The scintillator is composed of a fluoride single crystal composed of lutetium fluoride containing at least one element selected from Nd, Er and Tm. - 特許庁

制御装置７０ｂが、初期動作において第１及び第２電極１５、１６のうち例えば第１電極１５の先端側を溶かす溶融駆動（ステップＳ２３）を行った場合、その後の定常動作において上記第１電極１５のについて先端部１５ａを成長させる再生駆動（ステップＳ２４）を行うので、点灯開始の期間を利用した第１電極１５の溶融が可能になる。例文帳に追加

When a control device 70b performs a melting drive (step S23) for melting the tip of the first electrode 15 between first and second electrodes 15, 16 during an initial operation, the first electrode 15 making use of a lighting start period can be melted so that a regenerating drive (step S24) for growing the tip 15a of the first electrode 15 is carried out at the following regular operation. - 特許庁

基板上に、化学気相成長法により誘電体薄膜を形成するときに、基板上に誘電体薄膜の一部を堆積する工程と、この誘電体薄膜を熱処理する工程と、さらに上記誘電体薄膜の堆積速度より速い堆積速度で、誘電体薄膜の堆積を行う工程を含む半導体装置の製造方法。例文帳に追加

When a dielectric thin film is formed on a substrate by a chemical vapor growth method, a method of manufacturing a semiconductor device comprises the process for depositing a part of the dielectric thin film on the substrate, the process for heat-treating this dielectric thin film and moreover, the process for depositing the dielectric thin film at a deposition rate higher than that of the dielectric thin film. - 特許庁

シリコン融液１２を貯留する石英るつぼ１３を所定の回転速度で回転させ、シリコン融液１２から引上げられるシリコン単結晶インゴット２５を石英るつぼ１３とは逆方向に所定の回転速度で回転させながら引上げることにより、シリコン単結晶インゴット２５をチョクラルスキー法により成長させる。例文帳に追加

The silicon single crystal ingot 25 is grown by Czochralski process by rotating a quartz crucible 13 reserving a silicon melt 12 at a predetermined rotation speed and pulling the silicon single crystal ingot 25 from the silicon melt 12 while rotating the ingot at a predetermined rotation speed in the opposite direction to the quartz crucible 13. - 特許庁

前記電子メール送受信手段１６は、電子メールと共に、仮想生命体の特定データを送受信し、前記電子メール送受信手段１６により受信した特定データが示す仮想生命体の育成データと、前記成長決定手段で決定された速度とに基づいて仮想生命体を育成し、育成した当該仮想生命体を表示手段２１に表示させることを特徴としている。例文帳に追加

The electronic mail receiving/sending means 16 receives/sends the specification data of the virtual organism with the electronic mail and grows the virtual organism on the basis of the virtual organism raising data shown by the specification data received by the electronic mail sending/receiving means 16 and the speed decided by the growth deciding means, and the grown virtual organism is displayed on the display means 21. - 特許庁

本発明の目的は、凝集沈殿処理速度の向上、槽内への被処理水の均一分散性、装置の稼働時におけるスラリブランケット層の早期形成、槽から引き抜く汚泥の固形物濃度の向上、清澄な処理水質の確保等を達成することができる凝集沈殿装置を提供することにある。例文帳に追加

To provide coagulation sedimentation equipment capable of achieving the improvement of the rate of coagulation sedimentation treatment, uniformity of scattering of to-be-treated water into a tank, early formation of a slurry blanket layer during operation of the equipment, improvement of the solid concentration of the sludge drawn from the tank and securement of clear quality of treated water. - 特許庁

水素吸蔵合金を、気相状態または液相状態から固相状態に相変態させるときに、ナノカーボン材を噴射して、ナノカーボン材を凝固核として成長させた水素吸蔵合金は、水素反応速度及び水素吸蔵量を向上させ、更に微粉末化を抑制することが判明した。例文帳に追加

In a method for producing a hydrogen storage material, when phase-transforming the hydrogen storage alloy from a vapor phase state or a liquid phase state into a solid phase state, a nanocarbon material is jetted, and the nanocarbon material is grown as solidification nuclei, thus the hydrogen storage alloy can improve a hydrogen reaction rate and a hydrogen storage content, and further, micronization is suppressed. - 特許庁

フロック形成槽内の混和液を緩やかに撹拌するだけ、凝集フロックが破壊されず、槽底部への沈降堆積を防止させ、且つ沈降速度の大きな安定した凝集フロックを確実に形成・成長させることができ、次段の沈降分離槽での固液分離を効率よく行うことができると共に、省エネおよびランニングコストの低減が図れる凝集沈殿処理装置を得ることにある。例文帳に追加

To obtain a flocculating sedimentation treatment equipment by which flocculated flocs are not destroyed by slowly stirring a liquid mixture in a flocculation tank, sedimenting to a tank bottom can be prevented and stable flocculated flocs having high sedimentation speed can be surely formed and grown, and solid-liquid separation can be efficiently executed in a sedimentation/ separation tank of a following step with energy saving and running-cost reduction. - 特許庁

キク科の雑草が繁茂している除草を行うべき所望の場所における該雑草の成長を抑制する雑草抑制方法であって、表土に対する被覆速度が大きい先行植物を植栽した後あるいは植栽と同時に、表土に対して安定被覆を形成しうる安定植物を前記先行植物と混在させて植栽することを特徴とする雑草抑制方法。例文帳に追加

The method for suppressing weed in which growth of the weed in a desired places, in which weeds of the family Compositae grow thickly, needing weeding comprises planting stable plants capable of stably forming covering for surface soil in a state mixed with preceding plants having large covering rate to surface soil after planting the preceding plants or simultaneously with a time when the preceding plants are planted. - 特許庁

アライメントマーカーの形成後に行うシリコンエピタキシャルの成長速度を、通常の条件より遅くすることなく、アライメントマーカーのパターン形状精度の低下を防ぎ、超接合半導体装置を低オン抵抗にするために用いられる低抵抗砒素ドープシリコン基板からのオートドーピングを防止する多段エピタキシャル方式による超接合半導体装置の製造方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a method of manufacturing a superjunction semiconductor by using a multistage epitaxial system, in which a silicon epitaxial growth rate after alignment marker formation is not made slower than that of a typical condition, deterioration of pattern form accuracy of the alignment marker is prevented, and auto doping from a low resistance arsenic-doped silicon substrate used to lower an on resistance of a superjunction semiconductor is prevented. - 特許庁

除草を行うべき所望の場所における雑草の成長を抑制する雑草抑制方法であって、表土に対する被覆速度が大きい先行植物を植栽した後あるいは植栽と同時に、表土に対して安定被覆を形成しうる安定植物を、前記先行植物と混在させて植栽または播種することを特徴とする雑草抑制方法。例文帳に追加

This method for suppressing the growth of weeds on the desired area to be weeded comprises the planting of a precedent plant having a high covering speed of surface soil and the planting or sowing of a stable plant capable of forming a stable coating on the surface soil simultaneously with or after the planting of the precedent plant in a state mixed with the precedent plant. - 特許庁

微細気泡発生装置は、少なくとも１対の電極を備え水の電気分解により発生した気泡を流水に加圧混入する気泡混入部６と、気泡の混入した水を噴出する気液噴出部７を備え、水の電気分解により発生した気泡を溶解することで、溶解する気泡の径を電極表面での液体の流速や、気泡成長速度すなわち電流密度によって、コントロールすることができる。例文帳に追加

A microbubble generator comprises a bubble mixing part 6 which is equipped with at least a pair of electrodes, and mixes bubbles generated by electrolysis of water with flowing water under pressure, and a gas-liquid spouting part 7 which spouts the water mixed with the bubbles. - 特許庁

六方晶系のＳｉＣ基板上に形成された窒化物半導体において、半導体層間の界面に発生する自発分極やピエゾ分極によるキャリア空乏化を低減させて、駆動電圧を安定させることができるとともに、平坦な窒化物半導体層を成長させることができる窒化物半導体素子を提供する。例文帳に追加

To provide a nitride semiconductor element having a nitride semiconductor formed on a hexagonal system SiC substrate, in which nitride semiconductor carrier depletion caused by spontaneous polarization and piezopolarization occurring on the interface between semiconductor layers is reduced to stabilize a drive voltage, and to allow a flat nitride semiconductor layer to grow. - 特許庁

シリコン融液１８が貯えられた外るつぼ１２ａと内るつぼ１２ｂの間にシリコン原料２１をインゴットの成長量に相応して供給しながら、外るつぼを回転させかつ内るつぼの内側領域からインゴットを引上げ軸方向を中心として回転させながら引上げ速度Ｖのみを一定にして引上げる。例文帳に追加

The ingot is pulled up from the inside area of an internal crucible 12 b while making only the V constant and while rotating the external crucible and rotating the ingot around the direction of the pulling up axis and, further, while supplying a silicon raw material 21 between the external crucible 12a for storing a silicon molten liquid 18 and the internal crucible 12b according to the amount of grown ingot. - 特許庁

種結晶を用いた昇華再結晶法により炭化珪素単結晶を成長させる際に、種結晶として口径４０ｍｍ以上を有し、｛０００１｝面から所定のオフ角度のついた面方位の炭化珪素単結晶を用いることにより、高品質な炭化珪素単結晶ウェハを高歩留りで製造できる炭化珪素単結晶インゴットを得る。例文帳に追加

The silicon carbide single crystal ingot, with which the high quality silicon carbide single crystal wafer is manufactured at high yield by using silicon carbide single crystal having ≥40 mm diameter and the plane orientation making a prescribed off angle with {0001} plane as the seed crystal in the growth of silicon carbide single crystal by a sublimation re-crystallization method using the seed crystal, is obtained. - 特許庁

インクを吐出させる複数のノズルを有する記録ヘッドを用いて画像を記録するインクジェット式の記録装置であって、記録ヘッドのインク吐出性能を回復させる回復機構を備え、インクが充填された記録ヘッド内に存在する気泡の成長速度に影響を及ぼすパラメータに応じて、回復機構の動作を異ならせる。例文帳に追加

An inkjet printing apparatus records an image using a recording head having a plurality of nozzles for ejecting ink, and includes a restoration mechanism that restores an ink ejection function of the recording head, and the operation of the restoration mechanism is changed depending on a parameter involving a growth rate of air bubbles existing inside the recording head that is filled with ink. - 特許庁

基板１に形成した結晶性サファイア薄膜５０をシードにして多結晶シリコン等を溶解した低融点金属層からヘテロエピタキシャル成長により単結晶シリコン層７を形成し、この単結晶シリコン層７を表示部−周辺駆動回路一体型のＬＣＤなどの電気光学装置のトップゲート型ＭＯＳＴＦＴに用いる。例文帳に追加

Using a thin film 50 of crystalline sapphire formed on a substrate 1 as a seed, a single crystal silicon layer 7 is formed from a low melting point metal layer of molten polysilicon through heteroepitaxial growth and the single crystal silicon layer 7 is employed in a top gate type MOSFET of an electrooptic device, e.g. a display section-peripheral drive circuit integrated LCD. - 特許庁

第七十五条　次の各号のいずれかに掲げる行為をしようとする者（以下「第一種特定建築主等」という。）は、国土交通省令で定めるところにより、当該各号に係る建築物の設計及び施工に係る事項のうちそれぞれ当該各号に定める措置に関するものを所管行政庁に届け出なければならない。これを変更しようとするときも、同様とする。例文帳に追加

Article 75 (1) A person who intends to take any of the measures listed in the following items (hereinafter referred to as a "Type 1 specified construction client, etc.") shall, pursuant to the provision of an Ordinance of the Ministry of Land, Infrastructure, Transport and Tourism, notify the administrative agency with jurisdiction of the matters concerning the designing and construction of a building as set forth in the respective items, which relate to the measures prescribed in the respective items. The same shall apply where such a person intends to change these matters:  - 日本法令外国語訳データベースシステム

そして、第１の鋳型幅方向位置での凝固シェルの厚みに対して第２の鋳型幅方向位置での凝固シェルの厚みが所定の数値を超えて薄いとき、鋳型４のコーナ近傍で凝固遅れが発生していると推定されるので、鋳造速度を減少させて、凝固シェル２の成長時間を確保する。例文帳に追加

Then, when the thickness of the coagulated shell is thin exceeding a prescribed numerical value in the second mold width direction position with respect to the thickness of the coagulated shell at the first mold width direction position, it is estimated that the delay of the coagulation is generated in the vicinity of the corner of the mold 4, and then a growing time of the coagulated shell 2 is secured by decreasing casting speed. - 特許庁

ブロイラーの飼育において、腹水症を十分に予防しながら成長速度を向上させることで、育成率の向上と生育期間の短縮をともに可能とするブロイラー用の飼料組成物を提供するとともに、この飼料組成物を用いた生産効率のよいブロイラーの飼育方法を提供する。例文帳に追加

To obtain a feed composition for broiler, with which in rearing broilers, improvement in rate of rearing and shortening of growth period can be both achieved by improving a growth rate while sufficiently preventing ascites and to provide a method for rearing broilers, having a high production efficiency, with which the feed composition is used. - 特許庁

アモルファスカーボンＣを成長させるための基材Ｂをチャンバ１１内に収容し、そのチャンバ１１内に原料ガスＧを供給し、供給した原料ガスＧのプラズマＰを生成し、生成されたプラズマＰの基材Ｂに到達する際の速度を制御してアモルファスカーボンＣの製造を行う。例文帳に追加

A base material B for growing amorphous carbon C is accommodated in a chamber 11, then a raw material gas G is supplied into the chamber 11, a plasma P of the supplied raw material gas G is formed, and the amorphous carbon C is produced while controlling the speed of the formed plasma P being allowed to reach the base material B. - 特許庁

自動車の車体を構成する基材表面をコーティングする光触媒性親水性コーティング剤において、親水性を阻害せずに基材の酸化還元による分解を防止することによって初期親水性・親水化速度を損なわず、かつクラックなどの発生・成長を防止することによって初期外観を維持することが可能な自動車ボディー用光触媒性親水性コーティング剤を提供する。例文帳に追加

To obtain a photocatalytic hydrophilic coating agent for an automobile body, capable of not damaging initial hydrophilicity/hydrophilization rate by preventing decomposition of substrate by oxidation-reduction without hindering hydrophilicity and capable of maintaining initial appearance by preventing occurrence/growth of crack, etc., in a photocatalytic hydrophilic coating agent for coating the surface of the substrate constituting the automobile body. - 特許庁

今回の交渉では、従来に増して基金の運営方針を巡ってドナー間の意見交換が活発に行われており、その結果、借入国が資金を効果的に利用できるかどうかを判断するため、経済成長・貧困削減・環境保護に向けた政策努力やガバナンスなど借入国のパフォーマンス評価を行い、これに基づいて資金を配分するという新たな試みが行われることになりました。例文帳に追加

In the current round of negotiations, exchange of opinions among donors regarding the policy issues for the Fund is more active than ever. As a result, we have agreed to assess the performance of borrowers, such as their governance and policy efforts for economic growth, poverty reduction, and environmental protection - so that resources can be allocated based on this assessment.  - 財務省

それゆえ我々は本日、景気循環緩和のための支出、銀行の資本増強、インフラ整備、貿易金融、国際収支支援、債務借換え及び社会支援のための財源調達を助けることにより、新興市場国及び途上国の成長を支えるため、国際金融機関を通じて8500億ドルの追加的資金を利用可能とすることに合意した。例文帳に追加

We have therefore agreed today to make available an additional $850 billion of resources through the global financial institutions to support growth in emerging market and developing countries by helping to finance counter-cyclical spending, bank recapitalisation, infrastructure, trade finance, balance of payments support, debt rollover, and social support.  - 財務省

本発明では、ウェーハを載置するためにチャンバーの内部に配設したサセプターと、このサセプターを加熱するための加熱手段と、この加熱手段の駆動制御を行うための制御手段とを有するエピタキシャル成長装置において、前記制御手段は、複数の温度センサーを用いてサセプター表面の温度分布を計測できるように構成した。例文帳に追加

In a device for epitaxial growth having the susceptor arranged in a chamber to mount a wafer, a heating means for heating the susceptor, and a control means for performing driving control over the heating means; the control means is configured to measure a temperature distribution on a susceptor surface by using a plurality of temperature sensors. - 特許庁

チョクラルスキー法によりシリコン単結晶Ｓを製造する製造方法は、単結晶製造装置１において、坩堝６中の溶融されたシリコン原料Ｆに１０００ガウス以上５０００ガウス以下の磁界を印加し、かつシードの回転速度を８ｒｐｍ以下に制御して単結晶Ｓの成長を実行する。例文帳に追加

The method for producing a silicon single crystal S by Czochralski method includes growing the single crystal S in a single crystal production apparatus 1 by applying a magnetic field of 1,000 Gauss or more and 5,000 Gauss or less to a silicon raw material F molten in a crucible 6 and controlling the rotation speed of a seed to not more than 8 rpm. - 特許庁

シリコン芯線の芯線ホルダへの装着が容易であり、芯線ホルダにシリコン芯線を充分な強度で保持させるまでの時間を短くし、転倒を防止するとともに、多結晶シリコンの析出反応初期における成長速度抑制時間の短縮化を可能とする多結晶シリコン製造技術を提供すること。例文帳に追加

To provide a polycrystalline silicon manufacturing technique in which mounting of a silicon core wire into a core wire holder is easy, the time required to make the core wire holder hold the silicon core wire with satisfactory strength is shortened, falling is prevented, and it is made possible to shorten growth rate control time in the early stage of deposition reaction of polycrystalline silicon. - 特許庁

衣類の洗濯、乾燥、着用時に衣類に繁殖する微生物の生長と増殖を抑制または予防することができるだけでなく、同時に繊維の不快な臭いを除去することができ、さらに衣類に繁殖する微生物や各種皮膚常在菌などにより発生する各種皮膚トラブルなどを予防することができる繊維柔軟剤組成物を提供する。例文帳に追加

To provide a fiber softener composition not only suppressing and preventing growth and proliferation of microbes propagating in washing, drying and wearing but also removing unpleasant odor and preventing several kinds of skin troubles caused by microbes propagating in the clothes and various indigenous bacteria in the skin. - 特許庁

窒素極性面５側の面取り部７の面取り角度θ_２を30°を超え60°までと大きくすることにより、ピンセットなどでＧａＮ基板１を拾い上げやすく、且つエピタキシャル成長時にサセプタと接触する窒素極性面５の接触面積が広くなり、基板加熱時の面内均熱性がよくなる。例文帳に追加

When the chamfering angle θ_2 of the chamfer 7 in the side of the nitrogen polarity surface 5 is expanded up to 60° exceeding 30°, the intra-surface heat uniformity when the substrate is heated is improved because the GaN substrate 1 is picked up easily with a tweezer, and a contact area of the nitrogen polarity surface 5 becomes wider in contact with a susceptor during epitaxial growth. - 特許庁

成膜雰囲気に供給するガス原料の流量を制御して、半導体基板上に選択的にエピタキシャル薄膜を形成する方法は、所定の温度条件下で、成膜雰囲気に供給するガス原料の流量を変化させることによって、エピタキシャル薄膜の成長速度とガス原料の流量との関係を求める工程を備える。例文帳に追加

The method for selectively forming an epitaxial thin film on a semiconductor substrate by controlling the flowrate of a gas raw material supplied to a film-formed atmosphere has a process for obtaining the relationship between the growth speed of the epitaxial thin film and the flowrate of the gas raw material by changing the flowrate of the gas raw material that is supplied to the film-formed atmosphere under specific temperature conditions. - 特許庁

シリコン基板上に、シリコン層を堆積しこれを二酸化シリコン膜に生成する工程を繰り返すことにより、所定厚さの二酸化シリコン膜を生成するとともに、生成される二酸化シリコン膜の表面粗さ、堆積するシリコン膜の成長速度などを、適宜に選択できるようにした二酸化シリコン膜の生成方法を提供する。例文帳に追加

To provide a silicon dioxide film-generating method in which that film having a prescribed thickness can be generated by repeating the processes for depositing a silicon film on a silicon substrate and for converting the film into a silicon oxide film, and further the surface roughness of the generated silicon dioxide film and also the growth rate of the deposited silicon film can be selected properly. - 特許庁

過去に印加された電圧の最大値に応じた放出電流特性を有する電子放出素子の特性調整方法であって、電子放出素子の駆動源として、出力電圧および出力電流が所望の制限値に設定でき、出力電圧または出力電流が設定された制限値に到達すると出力モードが切り換わるように構成された電圧電流発生器を用いることを特徴とするもの。例文帳に追加

For the characteristics adjustment method of the electron emission elements having emission current characteristics in accordance with the maximum value of voltage impressed in the past, such a voltage current generator is used that can set an output voltage and an output current at desired limit values and is structured to have its output mode changed over when either the output voltage or the output current reaches the limit value. - 特許庁

本発明に係る半導体装置の製造方法は、半導体基板にトレンチを形成する工程と、トレンチの内壁に第１の絶縁膜を形成する工程と、異方性のある成膜方法によりトレンチの底面に第２の絶縁膜を形成する工程と、第１の絶縁膜上よりも第２の絶縁膜上において成長速度が速い第３の絶縁膜をトレンチ内に埋め込む工程とを有する。例文帳に追加

This method of manufacturing a semiconductor device has a process of forming a trench on a semiconductor substrate, a process of forming a first insulating film on the inner wall of the trench, a process of forming a second insulating film on the bottom surface of the trench by an anisotropic film forming method, and a process of embedding a third insulating film growing faster on the first insulating film than on the second insulating film. - 特許庁

ガラスロッド５の外周面にガラス微粒子を堆積させて光ファイバ用母材を製造する方法において、該ロッド５の外周面に堆積したスート６及び該ロッド５を回転させる回転機構部４の重量を測定することにより、該母材の成長速度を制御することを特徴としている。例文帳に追加

In the method for producing the optical fiber preform, comprising depositing glass fine particles on the outer peripheral surface of a glass rod 5, the growth rate of the preform is controlled by weighing the weight of soot 6 deposited on the outer peripheral surface of the glass rod 5 and the weight of a rotation mechanism 4 for rotating the rod 5. - 特許庁

連続した曲面状部を有するガラスバルブ１と、このバルブ１内に配設した光源４と、上記バルブ１表面上に気相成長方向をこの表面からの垂線に対し３０度以内の角度θで形成した多層光干渉膜５とを備えている管球およびこの管球を有する反射鏡付管球である。例文帳に追加

The bulb tube and the bulb with a reflection mirror are provided with a glass bulb 1 with continuous curved surface parts, a light source 4 arranged inside the bulb 1, and a multi-layer light-interfering film 5 with vapor phase epitaxy formed on the surface of the bulb to a direction within an angle θof not more than 30° against the vertical line from the surface. - 特許庁

三角貿易構造が基盤となって効率性の高い生産域として成長を続ける東アジア経済は、三角貿易構造の枠組みの中の取引だけが強化、高度化しているのではなく、同時に三角貿易の外にある貿易も質の異なる財に集約することで活性化しており、日中米の三極で形成される三角貿易構造はいわば多層的な発展を見せていると言えよう。例文帳に追加

The East Asian economy, which continues to grow as an efficient production region with the Triangular Trade Structure as its foundation, is not only strengthening and advancing trade within the Triangular Trade Structure framework. Instead, by consolidating the goods of different quality levels, trade outside the triangular trade is stimulated. We could say that the Triangular Trade Structure formed by Japan, China, and the United States is showing a multi-layered development. - 経済産業省

政府としては、こうした回復の動きを持続的な経済成長につなげるために、これまでの改革の成果を社会全体に浸透させるとともに、引き続き、2005年３月までの主要行の不良債権問題の終結、年金制度改革、地方財政制度の改革、高速道路事業や郵政事業の民営化の検討など、構造改革を進めていく所存です。例文帳に追加

In order to nurture the current movements of recovery to a sustainable growth, the government will, while working to expand the benefits of various reforms across the country, continue to pursue structural reforms, such as the resolution of nonperforming loan problems by March 2005, public pension reforms, reforms of the fiscal relationship between central and local governments, and the privatization of highway construction and postal services.  - 財務省

＜１１１＞方向を回転軸として、＜１１０＞方向を左回りに３０°、９０°、１５０°のいずれかの角度φだけ回転させた方向にオリフラを有する（１１１）面を主面とするシリコン基板をヘテロエピタキシャル成長用基板として使用し、ＩＩＩ族窒化物半導体からなるバッファ層を形成する。例文帳に追加

The silicon substrate having a (111) plane which has orientation flat, in a direction in which the <110> direction rotates counterclockwise about the rotation axis of the <111> direction by an angle ϕ of 30°, 90°, and 150° as a principal surface is used as the substrate for heteroepitaxial growth; and a buffer layer made of the group-III nitride semiconductor is formed. - 特許庁

シリコン単結晶の直胴部の前半部までが形成される時間の長短によることなく、昇華性ドーパントが確実に高濃度に添加された、所望の抵抗率を有するシリコン単結晶を成長することができるシリコン単結晶引上装置及びシリコン単結晶の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a silicon single crystal pulling apparatus growing a silicon single crystal having desired resistivity to which a sublimable dopant is reliably added at high concentration without depending on a time period until a first half of a cylindrical portion of the silicon single crystal is formed, and to provide a method for producing a silicon single crystal. - 特許庁

物質表面の加工形状のシミュレーションを行うシミュレーション方法であって、前記物質表面が物質界面を横切るステップを計算する際に、前記物質表面から前記物質界面への距離と、表面成長速度と、を用いて、前記ステップの時間間隔Δｔを決定することを特徴とするシミュレーション方法が提供される。例文帳に追加

In the simulation method of simulating a machining shape of a material surface, the step when the material surface traverses a material interface is calculated by determining a time interval Δt of the step by using a distance from the material surface to the material interface, and a surface growth rate. - 特許庁