「せいちょうそくど」に関連した英語例文の一覧と使い方(7ページ目) - Weblio英語例文検索

種結晶１８として、サファイア基板１００と、サファイア基板１００上に形成されたＧａＮ層１０１と、によって構成されたテンプレート基板を用い、ＧａＮ層１０１上に１５μｍ／ｈ以上の成長速度でＧａＮ結晶１０２を成長させた。例文帳に追加

The method is carried out by using, as a seed crystal 18, a template substrate composed of a sapphire substrate 100 and a GaN layer 101 formed on the sapphire substrate 100, and growing a GaN crystal 102 on the GaN layer 101 at a growth rate of 15 μm/h or more. - 特許庁

成長温度の選定等により、化合物半導体層４における結晶欠陥の低減と、原料例えばＶ族及びＩＩＩ族元素の原料の分解効率の維持ないし向上と、成長速度の低下防止とを両立することが可能となる。例文帳に追加

When the growth temperature is selected, compatibility among the reduction of crystalline defect in the compound semiconductor layer 4, the maintenance or improvement of a dissociation efficiency of a source material such as group V and III elements, and the prevention of reduction of a growth rate can be attained. - 特許庁

これによりウェハ１０１を高速回転させなくても済むため、ウェハ１０１がホルダ１０４からはずれたり、破損したりすることによる生産歩留まりの低下を防止し、且つ気相成長反応の成長速度を高めることができる。例文帳に追加

According to this constitution, the wafer 101 can be grown, without turning at a high speed whereby the deterioration of the yield of production due to dislocation of the wafer 101 from the holder 104 or the breakage of the same can be prevented, and the growing speed of the vapor growth reaction can be enhanced. - 特許庁

こうした内需主導の経済成長を支える消費者層の拡大については、経済成長に伴い年間の世帯収入が90,000ルピー（約1,850ドル）を超える中所得層以上が占める割合が1995 年度の9.5% から2001 年度には28％まで拡大しており、いわゆる中間層が増大していることが分かる（第1-4-8 図）。例文帳に追加

With respect to the expansion of the segment of consumers who have supported economic growth led by domestic demand, the proportion of middle-income earners and up whose yearly household incomes now exceed 90,000 rupees (approximately US$1,850) thanks to economic growth expanded from 9.5% in FY1995 to 28% in FY2001, indicating that the middle class is growing (Figure 1-4-8). - 経済産業省

Ｇａ原子、Ａｓ原子及びＥｒ原子を分子線源とし、（００１）面方位ＧａＡｓ基板２上、または（００１）面方位エピタキシャル成長層上に、分子線源の蒸発速度と、エピタキシャル成長温度とを同時に制御してエピタキシャル成長し、Ｅｒ原子をＧａＡｓ結晶の格子間位置に配位させることにより製作できる。例文帳に追加

The element can be manufactured by aligning the Er atoms to the position among the lattices of the GaAs crystal through the epitaxial growth with simultaneous control of the evaporation velocity of the molecular beam source and expitaxial growth temperature on the GaAs substrate 2 of the (001) alignment or on the epitaxial growth layer of the (001) alignment using the Ga atoms, As atoms and Er atoms as the molecular beam sources. - 特許庁

ブリッジマン法を用いたインプラント部材用Ｃｏ−Ｃｒ系合金単結晶の製造方法であって、所定の組成のＣｏ−Ｃｒ系合金を１５００〜２０５０℃の温度で溶融し、温度勾配０．５℃／ｍｍ以上の条件の下、成長速度１．０〜５００ｍｍ／ｈで結晶成長を行う。例文帳に追加

In the method for producing a Co-Cr based alloy single crystal for an implant member using a Bridgman method, a Co-Cr based alloy having a prescribed composition is melted at 1,500 to 2,050°C, and crystal growing is performed at a growing rate of 1.0 to 500 mm/h under the condition that the temperature gradient is ≥0.5°C/mm. - 特許庁

基板材料の制約がなく、基板温度の制御が容易にでき、薄膜形成速度を増大させながらエネルギー効率がよく、皮膜性能の安定化が可能な触媒化学気相成長方法および触媒化学気相成長装置を提供する。例文帳に追加

To provide a catalytic chemical vapor deposition method and a catalytic chemical vapor deposition device in which the control of a substrate temperature can easily be performed without the limitation of substrate materials, the efficiency of energy is high while increasing a thin film deposition rate, and the stabilization of film performance is possible. - 特許庁

更に、デンドライトが成長し多孔質性樹脂隔膜１５を突き抜けて電極どうしを短絡させたとしても、短絡されたことによる発熱により多孔質性樹脂隔膜１５が融解し孔部が埋まり電極反応が起こらなくなるため、それ以上デンドライトが成長することはない。例文帳に追加

Further, even if the dendrite is grown and penetrates the porous resin diaphragm 15 to cause the electrodes to short-circuit, the porous resin diaphragm 15 is fused by heat generation resulting from the short circuit to fill the hole part and electrode reaction is ceased, so that the dendrite will not be grown. - 特許庁

第２可変抵抗層１５は、第２電極１３と第３電極１６との間に配置され、第３電極１６から供給される金属に基づいて、第１導電性フィラメントと成長速度の異なる第２導電性フィラメントが成長可能である。例文帳に追加

A second variable resistance layer 15 is disposed between the second electrode 13 and a third electrode 16, and a second conductive filament having a growth rate different from that of the first conductive filament can grow up based on metal being supplied from the third electrode 16. - 特許庁

フラックス法に基づいて、３．７ＭＰａ、８７０℃の窒素（Ｎ_2 ）雰囲気下において、略同温のＧａ，Ｎａ及びＬｉの混合フラックスの中で、ＧａＮ単結晶２０を種結晶（ＧａＮ層１３）の結晶成長面から成長させる。例文帳に追加

A GaN single crystal 20 is grown on a crystal growth surface of a seed crystal (GaN layer 13) on the basis of the flux method in a nitrogen (N_2) atmosphere at 3.7 MPa and 870°C employing a flux mixture including Ga, Na and Li at about 870°C. - 特許庁

原料ガスを供給して基板上に薄膜を製造する方法であって、該基板表面における該原料ガスの供給速度に二次元的な分布を持たせて薄膜を成長させることを特徴とする薄膜製造方法及び薄膜成長装置。例文帳に追加

In the thin film manufacturing method and the thin film growth device, a thin film is manufactured on a substrate by feeding raw gas, and the thin film grows by realizing the two-dimensional distribution of the feeding rate of the raw gas on the surface of the substrate. - 特許庁

中国経済の目下の課題は、経済成長を巡航速度に徐々に減速させながら安定した成長軌道に乗せることであり、政府・人民銀行が、過熱経済からの「出口戦略」をいかに実施していくのかが注目される。例文帳に追加

The current task of the China’s economy is to be in tune with the stable growth railroad track while gradually decelerating economic growth to cruising speed. Attention is drawn that how the government and People’s Bank of China implement the “Operation to Exit” from the heating economy. - 経済産業省

そして、衝突速度が混入速度に釣り合った時点で成長表面の酸素数は一定の値で飽和し、結晶中の酸素濃度が一定となって定濃度領域Ｐを形成する。例文帳に追加

At a time point when a colliding speed is balanced with the mixing speed, the number of oxygen on the growth surface is then saturated at a fixed value, the concentration of oxygen in the crystal is fixed, and a concentration area P is formed. - 特許庁

トリシリルアミンを前駆体として用いながら、優れた膜特性を有するシリコン窒化物膜を比較的低温でも比較的高い成長速度で製造することができる気相成長によるシリコン窒化物膜の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a forming method of silicon nitride film by vapor phase epitaxy which is capable of forming the silicon nitride film having excellent film characteristics while employing trisilyl amine as a precursor at a comparatively high growth rate even at comparatively low temperatures. - 特許庁

まず、第１工程として、排気機構を用いて石英反応管６内を減圧し、６．６５×１０^3〜１．３３×１０^4Ｐａにして、ＳｉＣ種結晶２の表面に単結晶を０．５ｍｍ／ｈ以下の成長速度で成長させる。例文帳に追加

In a first process, the pressure in the inside of a quartz reaction tube 6 is reduced to 6.65×10^3 to 1.33×10^4 Pa by using an exhaust system, and a single crystal is grown on the surface of an SiC seed crystal 2 at a growth rate of ≤0.5 mm/h. - 特許庁

エピタキシャル成長に寄与しなかった原料溶液を原料溶液受けに落下させる際の落下速度をコントロールすることで、基板表面に残る原料溶液を減らし、結晶欠陥部を少なくすることが可能な発光ダイオード用エピタキシャルウェハの成長方法を提供する。例文帳に追加

To provide a growth method of an epitaxial wafer for a light emitting diode capable of reducing material solution left on a substrate surface and reducing a crystal defective part by controlling a dropping speed in dropping the material solution not having contributed to epitaxial growth into a material solution receiver. - 特許庁

これまでの歴史を見てみると経済水準格差の収束過程においてキャッチアップされる先進諸国は、持続的成長へ向けた種々の改革努力により、自らも引き続き成長を続け、新たな発展段階に進みつつあることがわかる。例文帳に追加

History reveals that as the United Kingdom, the United States and the rest of the developed world have observed other countries begin to catch up in the convergence process, they have instituted various reforms aimed at sustained growth, consequently maintaining their own growth and shifting into a new stage of development. - 経済産業省

ソマトスタチン又はその作用薬同族体の１つであり、非閉経女性における休止卵胞の成長開始を促進するにはソマトスタチンの拮抗薬同族体を使用する。例文帳に追加

The use of somatostatin or one of the agonistic analogs thereof is described and in order to accelerate the start of growing of quiescent ovarian follicles in non-menopausal women, an antagonistic analog of somatostatin is used. - 特許庁

そして、その換算結果に基づき、蓋５の下面に成長した単結晶表面（析出面）と原料１１の表面との距離が一定になるように、蓋５を上方に移動させるモータ６の駆動速度を調節する。例文帳に追加

Based on the conversion result, the driving speed of a motor 6 for moving the lid 5 upward is controlled to keep the distance between the surface of the single crystal (deposition surface) grown at the underside of the lid 5 and the surface of the raw material 11 to be constant. - 特許庁

PFAテフロン（登録商標）シートの表面に試験対象となる鉱物又は金属の粒子を埋め込んで成る結晶成長・溶解速度試験用試験センサーの表面形状を試験前後で測定し、試験前後の表面形状の差から鉱物又は金属の結晶成長速度もしくは溶解速度を求めるものである。例文帳に追加

By the method, it becomes possible to rapidly and easily perform the crystal growth test or the crystal dissolution rate measurement of minerals or metals in various environments without selecting a test place, and further, the method can be applied to a simple measurement in the order of micrometer. - 特許庁

導電膜を成長させるときは、シリコン基板とめっき液の相対速度が３０ｍ／分以下になる速度でシリコン基板を回転させながら、シリコン基板とアノード電極の間に通電する。例文帳に追加

The semiconductor device manufacturing method comprises energizing between the silicon substrate and an anode electrode with rotating the silicon substrate at a speed such that a relative speed between the silicon substrate and the plating liquid becomes 30 m/min and under when making a conductive film grow. - 特許庁

ガラス棒２３に堆積したガラス微粒子堆積体３１の成長速度又は表面温度の測定値に基づいて、ガラス棒２３の回転速度を制御する。例文帳に追加

The rotation speed of the glass rode 23 is controlled based on the measured value of the growth rate or the surface temperature of a glass fine particle deposited body 31 deposited on the glass rod 23. - 特許庁

操作が容易で高さ方向（Ｚ方向）の移動速度が速く、かつ駆動部が水没せず、作業台の姿勢調整が簡単な走行式作業足場を提供する。例文帳に追加

To provide a traveling type working scaffold with easy operation and simple attitude adjustment of a working base, in which movement speed in height direction (Z direction) is fast and a driving part is not sunk. - 特許庁

画素間隙に発生した逆ドメインの画素内への成長を抑制して駆動マージンの低下を防止するスリットの、生産上のスリット幅制御を大幅に緩和することのできる液晶素子を提供する。例文帳に追加

To drastically mitigate the control of a slit width on the production of a slit preventing a driving margin from lowering while suppressing an inverse domain generated at the gap between pixels from growing into the pixels. - 特許庁

媒体には結晶成長速度が結晶核生成速度に比較して大きな結晶化特性を持つ相変化媒体、マーク形成後に消去レベルを制御する記録波形を組み合わせる。例文帳に追加

A phase change medium having a crystallization characteristic of high crystal growing velocity compared with the crystal nucleus generating velocity is used as a medium and a recording wave form controlling the erasure level after the mark is formed is combined. - 特許庁

半導体結晶を成長するための方法および装置は、所定の引き上げ速度で融液から半導体結晶を引き上げるステップと、周期的な引き上げ速度を平均速度と組み合わせることによって前記引き上げ速度を調整するステップとを具える。例文帳に追加

The method and apparatus for growing a semiconductor crystal include steps of pulling the semiconductor crystal from melt at a predetermined pull speed and modulating the pull speed by combining a periodic pull speed with an average speed. - 特許庁

電界発光素子において、実際に駆動する際に最適化された駆動波形を素子に印加することにより、高信頼性、長寿命化を実現させること。例文帳に追加

To realize high reliability and the long life of an electroluminescent element in the electroluminescent element by applying an optimized driving waveform to the element when driving it actually. - 特許庁

素子の駆動時の駆動電圧上昇や輝度の低下、電流のリーク、部分的な非発光部の出現・成長を抑え、輝度の低下が小さく、高耐熱性等の信頼性が高く、かつ高輝度な有機ＥＬ素子を提供する。例文帳に追加

To provide an organic EL element which suppresses a drive voltage rise, deterioration of luminance, leakage of current, and appearance and growth of local non-luminous spots during driving of the element, and has small deterioration of luminance, high reliability such as high heat resistance property, and high luminance. - 特許庁

増減率取得手段は、駆動手段により一定の駆動力を与え、そのときの振動管の振動の減衰または成長の増減率を取得する。例文帳に追加

In a means for acquiring an increase/decrease rate, a fixed driving force is given by a drive means, and at that time, the increase/decrease rate of attenuation or growth of vibration of the vibration tube is acquired. - 特許庁

姿勢調整部２０は、移動体に設置された姿勢センサー４の検出姿勢を、移動体に設置された加速度センサー３の検出加速度ベクトルと移動体の移動に係る所与の参照ベクトルとを用いて調整する。例文帳に追加

An attitude adjustment section 20 adjusts a detection attitude detected by an attitude sensor 4 installed on a moving body using a detection acceleration vector detected by an acceleration sensor 3 installed on the moving body as well as a given reference vector relevant to a movement of the moving body. - 特許庁

この際、降下管２内に充填した雰囲気ガスの圧力を調整することで、降下管２内を降下する溶融シリコンの冷却速度を調整して結晶成長速度を制御する。例文帳に追加

At this time, the cooling speed of the fused silicon descending through the inside of the downcomer 2 is adjusted, and the crystal growth speed is controlled by regulating the pressure of the gaseous atmosphere filled in the downcomer 2. - 特許庁

工業的に安価な方法で、結晶成長速度を十分な速度で安定的にかつ継続的に保つことが可能な第１３族窒化物結晶の製造法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for producing a group 13 element nitride crystal by an industrially economical method capable of stably and continuously maintaining a sufficient crystal growth rate. - 特許庁

衝突計算ステップ１３により、挿入された液滴の成長を考慮しつつ、液滴の配管内壁への衝突時の液滴の大きさや衝突角度、衝突速度等の物理量を求める。例文帳に追加

In a collision calculation step 13, physical amounts such as the size of the droplet, a collision angle, and a collision speed when the droplet collides with an inner wall of the pipe are determined taking account of the growth of the inserted droplet. - 特許庁

工業的に安価な方法で、結晶成長速度を十分な速度で安定的にかつ継続的に保つことが可能な第１３族窒化物結晶の製造法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for producing a group 13 element nitride crystal by an industrially economical method capable of stably and continuously maintaining a sufficiently high crystal growth rate. - 特許庁

その製造方法は、ＣＺ法によるシリコン結晶の製造方法で製造する際に、結晶の成長条件を一時的に変更して、直胴部２の外周面に凸部３又は凹部を、又は直胴部２の肩部５にくぼみ部を形成する。例文帳に追加

Its manufacturing method comprises forming a protrusion or a dent around the outer circumference of body 2 or a dent on shoulder 5 of body 2. - 特許庁

そして、物品２０２の移送過程において、第１の周面接触体２３３ａがエアシリンダ２３０により駆動されて物品２０２の保持角度の粗調整が行われ、続いて第２の周面接触体２４３ａがサーボモータによって駆動されて物品２０２の保持角度の精調整が行われる。例文帳に追加

In the transfer step of the article 202, a first circumferential surface contact body 233a is driven by an air cylinder 230 to roughly adjust the holding angle of the article 202, and a second circumferential surface contact body 243a is driven by a servo motor successively to precisely adjust the holding angle of the article 202. - 特許庁

長尺状の非磁性支持体１の一主面に、真空薄膜形成技術によって形成された膜厚５５ｎｍ以下の磁性層３を有し、磁性層３の長手方向断面カラム構造における磁性微粒子３ａの成長方向の、非磁性支持体１の長手方向に対する法線との為す角度をθとし、磁性層初期成長部分における平均角度をθｉとし、磁性層成長終端部分における平均角度をθｆとしたとき、下記の関係を有する磁気記録媒体１０を提供する。例文帳に追加

A magnetic layer 3 of a film thickness of ≤ 55 nm is formed on one main surface of a long non-magnetic base material 1 by a vacuum thin film deposition technique. - 特許庁

車両２３がセンサの監視範囲内で一定速度以下に減速して検出されたとき、その位置と速度を前方の低速車両２２の位置と速度と比較して、渋滞が成長しているか否かを推測し渋滞情報を作成する。例文帳に追加

This system compares the position and speed obtained when it is detected that the vehicle 23 is decelerated to the lower speed than constant speed within a monitoring range of the sensor with the position and speed of a forward low-speed vehicle 22, predicts whether or not traffic congestion is developing, and prepares traffic congestion information. - 特許庁

そして、そのような基板１０上に、マスク層１７を利用してメサ状突起１１が形成され、さらに結晶成長速度の違いを利用して、メサ状突起１１の両脇に電流ブロック層１５が形成される。例文帳に追加

A mesa-shaped protrusion 11 is formed on the substrate 10 by utilizing a mask layer 17, and a current block layer 15 is formed on sides of the mesa-shaped protrusion 11 by utilizing a difference in crystal growth rate. - 特許庁

液滴の塗布装置１０において、圧電素子２９を複数回繰り返し駆動し、各１回の圧電素子２９の駆動によりノズル２８から吐出させた溶液の各１滴の液滴Ｅiを当該ノズル２８の前面の空間で互いに合体させて成長させ、成長させた液滴Ｅを滴下させる制御手段５０を有するもの。例文帳に追加

The coating apparatus 10 for the droplets is provided with a control means 50 for repeatedly driving a piezoelectric element for two or more times, mutually uniting each droplet Ei of a solution discharged from a nozzle 28 by the drive of the piezoelectric element 29 of each time in the space on the front surface of the nozzle 28 to grow, and dripping the grown droplet E. - 特許庁

そして、ＧａＮ基板１０の成長主面１０ａが、ｍ面に対して、ａ軸方向およびｃ軸方向の各方向にオフ角度を有する面からなり、ａ軸方向のオフ角度が、ｃ軸方向のオフ角度より大きい角度となっている。例文帳に追加

The principal growth plane 10a of the GaN substrate 10 is a plane having off-angles in a-and c-axis directions relative to an m-plane, and the off-angle in the a-axis direction is larger than the off-angle in the c-axis direction. - 特許庁

そして、ＧａＮ基板１０の成長主面１０ａが、ｍ面に対して、ａ軸方向およびｃ軸方向の各方向にオフ角度を有する面からなり、ａ軸方向のオフ角度が、ｃ軸方向のオフ角度より大きい角度となっている。例文帳に追加

The principal growth plane 10a of the GaN substrate 10 is consisting of a plane having off-angle in each direction of a-axis direction and c-axis direction relative to an m-plane, and the off-angle in the a-axis direction is larger angle than the off-angle in the c-axis direction. - 特許庁

そして、そのシミュレーション結果に基づいて、結晶内部に導入される空孔起因のグローンイン欠陥のサイズと密度とが所望の値となるように成長速度を選択し、シリコン単結晶を育成する。例文帳に追加

The silicon single crystal is grown by selecting the growing rate to control the size and density of the grow-in defect caused by the void introduced into the inside of the crystal to be a desired value based on the simulation result. - 特許庁

井坑内の流体の速度から、井坑内に生成するスケールの厚さを予測するスケール成長予測装置、方法、及びそのプログラムとプログラムを記録した記録媒体を提供する。例文帳に追加

To provide a device, a method and a program for estimating the growth of scale for estimating the thickness of the scale growing in a well based on the speed of the fluid in the well, and a recording medium stored with the program. - 特許庁

ビレットを次いで、超合金のγ′ソルバス温度未満の温度で加工して加工品を形成するが、その際、歪速度が平均結晶粒径を制御するための下限歪速度を超え、しかも臨界結晶粒成長を避けるための上限歪速度未満に維持されるようにビレットを加工する。例文帳に追加

The billet is then worked at a temperature below the γ' solvus temperature of the superalloy so as to form a worked article wherein the billet is worked so as to maintain strain rates above a lower strain rate limit to control average grain size and below an upper strain rate limit to avoid critical grain growth. - 特許庁