「せいちょうそくど」に関連した英語例文の一覧と使い方(6ページ目) - Weblio英語例文検索

横方向（ＥＬＯ）エピタキシャル成長によりチャネル領域１５の表面からｎ^−ドリフト層２１を形成する。例文帳に追加

An n- drift layer 21 is formed on the surface of the channel area 15 by epitaxial growth in the horizontal direction (ELO). - 特許庁

静置液体培地中での細胞の成長速度の増大およびこれらの細胞中での遺伝子の発現の増大。例文帳に追加

To increase the growth rate of cell in a static liquid medium and expression of gene in the cell. - 特許庁

また、フラックスの種結晶基板面上の速度分布が変化するために、面上に成長する半導体結晶の厚さが均一一様となる。例文帳に追加

By changing the speed distribution of the flux on a seed crystal substrate surface, the semiconductor crystal growing on the surface is made into uniform thickness. - 特許庁

この結果、基板結晶２４への途中でＡｌＮが析出してしまうことを防止し、ＡｌＮエピタキシャル成長速度が向上する。例文帳に追加

This prevents AlN from being deposited before reaching the substrate crystal 24, thereby increasing the AlN epitaxial growth rate. - 特許庁

従来よりも結晶成長速度を増大させ、大型のＩＩＩ族窒化物結晶を短時間で作製する。例文帳に追加

To make a large group III nitride crystal within a short time by increasing the rate of crystal growth over the conventional rate. - 特許庁

フラックス法により、欠陥の少ないＡｌＮ単結晶を大きな成長速度で製造可能なＡｌＮ単結晶の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a production method for an AlN single crystal by which the AlN single crystal having few defects can be produced at high growth rate by a flux method. - 特許庁

これにより、シリコン含有膜の成長速度の低下を抑制し、原料ガスや反応ガスの消費量を低減することができる。例文帳に追加

This enables suppression of a decrease in a growth rate of the silicon-containing film, thereby reducing the consumption of a material gas and a reaction gas. - 特許庁

酸性鉱化剤を使用しながら、アモノサーマル法によって均質な窒化物結晶を実用的な速度で成長させること。例文帳に追加

To enlarge a homogeneous nitride crystal at a practical velocity by an ammonothermal method while using an acidic mineralizer. - 特許庁

表示パネルを駆動して適応性調整可能な列極性反転を利用した画像データを表示させるソースドライバを提供する。例文帳に追加

To provide a source driver for driving a display panel to display image data using adaptability-adjustable column polarity inversion. - 特許庁

この誘電率膜は、１．３マイクロメートル以下の厚さを有し、毎秒１０^−１０メートル以下の水中での亀裂成長速度を有する。例文帳に追加

The film has a thickness of 1.3 micrometer or less and has a crack growth rate in water of 10^-10 meter/sec or less. - 特許庁

製作誤差や熱変形があっても、容易に組立でき、駆動軸の円滑な回転を可能とする結晶成長装置の提供。例文帳に追加

To provide a crystal growing apparatus which is easily assembled and where a driving shaft is smoothly rotatable even if manufacturing errors and thermal deformation are caused. - 特許庁

１時間当たり約１マイクロメートルより大きい成長速度で単結晶ダイヤモンドを製造すること。例文帳に追加

To provide an apparatus and a method for producing a single-crystal diamond at a growth rate greater than about 1 μm per hour. - 特許庁

成長速度が高く、安価で結晶性に優れたＧａＮ単結晶等の窒化物単結晶体の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for producing a nitride single crystal body such as a GaN single crystal which has high growing speed, is inexpensive, and has excellent crystallinity. - 特許庁

屈折率を調整する添加剤の供給流量をガラス微粒子堆積体１４の成長速度の変化に対応して調整する。例文帳に追加

The quantity of an additive to be supplied to adjust the refractive index is adjusted corresponding to the change of the growth rate of the glass particle deposits 14. - 特許庁

この成長過程において前記種付け部１７ａが前記液体封止剤１６中を通過するまでの引上速度は、５mm／ｈ以下とする。例文帳に追加

In the growth process, the pulling speed till the pass of the seeding part 17a through the liquid encapsulant 16 is set at 5 mm/h or lower. - 特許庁

キャリア面内濃度のばらつきが少なく、結晶の成長速度が速いIII族窒化物基板の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for producing a group III nitride substrate of which the variation of carrier in-face concentration is small and a crystal growing rate is high. - 特許庁

融液を攪拌する駆動軸の軸受の摩耗を抑制し、大型で高品質の結晶を得る結晶成長装置の提供。例文帳に追加

To provide a crystal growing apparatus suppressing abrasion of a bearing of a driving shaft for stirring a melt, and obtaining a crystal having a large size and high quality. - 特許庁

ＩＩＩ族窒化物結晶の成長速度を向上させたＩＩＩ族窒化物結晶の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for producing a group III nitride crystal at an increased growth rate. - 特許庁

目的とするタンパク質を導入した宿主細胞を、誘導成長期に誘導し、生育速度を抑制して誘導発現を行う方法。例文帳に追加

In the process for obtaining the inclusion body-free recombinant protein, a target protein is introduced into a host cell, and its expression is induced by leading the host cell into induction phase and regulating its growth rate. - 特許庁

また、第１グループの網点セル７２０における網点成長速度は第２グループの網点セル７３０よりも高くされる。例文帳に追加

Halftone dot growth speed of the halftone dot cells 720 in the first group is made higher than that of the halftone dot cells 730 in the second group. - 特許庁

求めた気相成長速度を用いて、所定時間経過後のシリコン棒の直径を求め、直径の更新を行う。例文帳に追加

The diameter of the silicon bar after the lapse of prescribed time is measured by using the measured vapor growth velocity to update the value of the diameter. - 特許庁

実用化に必要なレベルの成長速度を実現できるｐ型ＳｉＣ半導体単結晶の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing a p-type SiC semiconductor single crystal, by which a growth speed of the level required for practical application can be obtained. - 特許庁

高温高圧条件を採用せずに、アモノサーマル法による窒化物結晶の成長速度を速める方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for increasing the growth rate of nitride crystal by an ammonothermal method without employing high temperature and high pressure conditions. - 特許庁

本節でも確認したとおり、新興国は高い経済成長率により、今後、経済規模の加速度的拡大が見込まれている。例文帳に追加

As was confirmed in the main body of this document, the economic scale of emerging countries is forecast to accelerate and increase because of the high rate of economic growth. - 経済産業省

本発明の方法は、シリコン自己格子間物が移動性である温度範囲内で、成長条件、例えば成長速度ｖ、瞬時軸温度勾配Ｇ_０、および冷却速度を、凝集欠陥を形成しないように調節することを含んでなる。例文帳に追加

The method of producing the single crystal silicon comprises controlling growing conditions, such as, growth velocity v, an instantaneous axial temperature gradient G_0, and a cooling rate, within a range of temperatures at which silicon self-interstitials are mobile, in order to prevent the formation of the agglomerated defects. - 特許庁

本発明の方法は、シリコン自己格子間物が移動性である温度範囲内で、成長条件、例えば成長速度ｖ、瞬時軸温度勾配Ｇ_０、および冷却速度を、凝集欠陥を形成しないように調節することを含んでなる。例文帳に追加

The method comprises controlling growth conditions, such as growth velocity v, instantaneous axial temperature gradient G_o, and the cooling rate, within a range of temperatures at which silicon self-interstitials are mobile, in order to prevent the formation of the agglomerated defects. - 特許庁

続いて、ＥＣＵは、車体速度ＶＳ及び作動速度Ｖｗｐに応じて、ブレーキロータに付着する水分膜の所定周期での成長量ΔＷを推定し（ステップＳ１５）、所定周期毎の成長量ΔＷを積算して水分膜厚Ｗを求める（ステップＳ１６）。例文帳に追加

Subsequently, the ECU estimates a growth amount ΔW at a predetermined period of a water membrane adhering to the brake rotor based on the vehicle body speed VS and the wiper operation speed Vwp (step S15), integrates the growth amount ΔW for each predetermined period and determines a water membrane thickness W (step S16). - 特許庁

工程を増加させる歪補償層を成長させることなく、簡単な構造をとる通常のＧａＡｓ層を量子ドット層の中間層として設け、各層の成長速度を従来のものより早くする多積層量子ドット構造体および製造方法を得る。例文帳に追加

To provide a multilayered quantum dot structure having respective layers made faster in growing speed than before by providing a normal GaAs layer having a simple structure as an intermediate layer of a quantum dot layer without growing a strain compensation layer increasing processes, and to provide a method of manufacturing the same. - 特許庁

従来の酸化シリコン膜、窒化シリコン膜と同等の優れた絶縁性を持ち、その上に成長される窒化物半導体層の横方向の選択成長速度が速いという特性を持つアルミナ膜を用い、素子の作製工程が容易で、かつ高性能の窒化物半導体素子を実現する。例文帳に追加

To realize a nitride semiconductor element, wherein an alumina film having proper dielectric characteristics, similar to that of conventional silicon oxide films or silicon nitride films, and a characteristic that a lateral selective growth rate of a nitride semiconductor layer grown on the alumina film is high is used; the production process of the device is easy; and the performance of the device is high. - 特許庁

アルミニウム系ＩＩＩ族窒化物結晶成長装置において、加熱機構に起因して発生するベース基板のそりを低減し、かつ、速い結晶成長速度を達成できるような高温度を両立できるような装置を提供する。例文帳に追加

To provide an apparatus with which both of reduction in the warpage of a base substrate caused by a heating mechanism and high temperature capable of achieving a high crystal growing rate can be achieved, in an aluminum-based group III nitride crystal growth apparatus. - 特許庁

１度から６度の範囲の傾斜角の４Ｈ型または６Ｈ型ｃ面ＳｉＣ基板上に、ステップフロー成長の傾向が大きい近接昇華法を用いてＳｉＣ結晶層のエピタキシャル成長を行う工程と、さらにその上に複数の窒化物半導体層を成長する工程とを含む半導体基板の製造方法を用いる。例文帳に追加

A method of manufacturing a semiconductor substrate is used which includes a process of conducting the epitaxial growth of the SiC crystal layer on the 4H- or 6H-type c-surface SiC substrate having a tilt angle in the range between 1° to 6° using a proximity sublimation method having a tendency of step flow growth, and a process of growing a plurality of nitride semiconductor layers on the SiC crystal layer. - 特許庁

ＯＳＦリングがインゴット周辺部に存在できるようにインゴットを成長させる引上げ速度を維持し、単結晶が成長するホットゾーンの冷却条件を調節して半径方法への熱履歴の均一度を増加させことでインゴットを成長させた後、そのインゴットをスライスしてウェーハを作製する。例文帳に追加

The ingot is grown by keeping the lifting rate for growing the ingot to enable an OSF(Oxidation Induced Stacking Fault) ring to exist in the vicinity of the ingot and controlling the cooling condition of a hot zone where the single crystal grows to increase the uniformity of the heat history in the radius direction and after that, the ingot is sliced to form a wafer. - 特許庁

育成速度を通常速度から極端な低速度に下げて一定時間保持する操作を少なくとも１回、好ましくは、３回以上繰り返すことを特徴とするシリコン単結晶の成長方法により上記課題を達成。例文帳に追加

The silicon single crystal growing method is characterized un that the bring up speed is reduced from ordinary speed to remarkably slow speed and keeping for a specific time at least one time, preferably repeat more than three times. - 特許庁

この窒化物半導体レーザ素子１００（窒化物半導体素子）は、ｍ面に対してａ軸方向にオフ角度を有する面を成長主面１０ａとするＧａＮ基板１０と、このＧａＮ基板１０の成長主面１０ａ上に形成された窒化物半導体各層１１〜１８とを備えている。例文帳に追加

A nitride semiconductor laser element 100 (nitride semiconductor element) includes a GaN substrate 10 in which a plane having an off angle in an a-axis direction with regard to an m plane is made a major growth plane 10a, and nitride semiconductor layers 11-18 formed on the major growth plane 10a of the GaN substrate 10. - 特許庁

この窒化物半導体レーザ素子１００（窒化物半導体素子）は、ｍ面に対してａ軸方向にオフ角度を有する面を成長主面１０ａとするｎ型ＧａＮ基板１０と、ｎ型ＧａＮ基板１０の成長主面１０ａ上に形成された窒化物半導体層２０とを備えている。例文帳に追加

A nitride semiconductor laser element 100 (nitride semiconductor element) includes: an n-type GaN substrate 10 having a growth principal surface 10a having an off angle to an (m) plane in an (a)-axis direction; and a nitride semiconductor layer 20 formed on the growth principal surface 10a of the n-type GaN substrate 10. - 特許庁

この窒化物半導体レーザ素子１００（窒化物半導体素子）は、ｍ面に対してａ軸方向にオフ角度を有する面を成長主面１０ａとするｎ型ＧａＮ基板１０と、ｎ型ＧａＮ基板１０の成長主面１０ａ上に形成された窒化物半導体層２０とを備えている。例文帳に追加

The nitride semiconductor laser element 100 (nitride semiconductor element) includes an n-type GaN substrate 10 having, as a growth principal surface 10a, a surface having an off angle to an (m) plane along an (a) axis, and a nitride semiconductor layer 20 formed on the growth principal surface 10a of the n-type GaN substrate 10. - 特許庁

本願に係る半導体量子ドット形成方法は、自己組織化機構により半導体量子ドットを形成する方法において、量子ドットＤの結晶成長レート及び／もしくは埋め込み層Ｌ４の結晶成長速度として１ＭＬ／ｓ（モノレイヤー・パー・セカンド）以上によって層形成させる。例文帳に追加

The method of forming the semiconductor quantum dot forms the semiconductor quantum dot by a self-organizing mechanism, wherein a layer is formed at ≥1 ML/s (monolayer per second) as a crystal growing rate of the quantum dot D and/or a crystal growing speed of a buried layer L4. - 特許庁

従来の固相成長では実現不可能な極浅矩形高濃度不純物分布によるソース・ドレイン拡散層をゲート電極に影響を及ぼすことなく液相成長により実現させ、超微細半導体装置の低消費電力、大電流化、および高速動作化を実現させる。例文帳に追加

To realize source drain diffusing layer by extremely shallow rectangular high concentration impurity distribution which cannot be realized in the conventional solid-phase growth with the liquid phase growth without giving any adverse effect on the gate electrode and also realize low power consumption, large current and high-speed operation of an ultra-fine semiconductor device. - 特許庁

被エッチング半導体層２上に異なった開口部面積を有する複数の開口部４，５を有するエッチングマスク３の各開口部４，５に、エッチング速度の開口部面積依存性を相殺する厚さの選択成長層６，７をエッチング工程前に予め選択的に成長させる。例文帳に追加

Selective growth layers 6 and 7, which have thickness that offsets the dependence on opening area of etching rate, are selectively grown in advance in each opening 4 and 5 of the etching mask 3 which has a plurality of openings 4 and 5 having different areas of openings on a semiconductor layer 2 to be etched. - 特許庁

下地層上にＳｉをドープしつつ互いに異なる成長速度でIII族窒化物の成長を行う第１ステップおよび第２ステップを交互に複数回実施して内部に複数の空孔を含む空洞含有層を長用基板上に形成する。例文帳に追加

A first and a second step where, while Si is being doped on the ground layer, III-group nitride is grown at mutually different growth rates are alternately carried out multiple times, thereby forming on the growth substrate a cavity containing layer which internally contains a plurality of pores. - 特許庁

カーボンナノチューブ製造装置１０に、カーボンナノチューブの成長領域１６に磁場を生じさせる磁場印加部２２とその磁場強度を制御する磁場制御部２４を設けることにより、成長領域１６における磁性を有する触媒の移動速度を制御する。例文帳に追加

A carbon nanotube production apparatus 10 is provided with a magnetic field applying part 22 generating a magnetic field on a growing region 16 of carbon nanotubes, and a magnetic field control part 24 controlling the intensity of the magnetic field, so that the moving rate of a catalyst having magnetism in the growing region 16 is controlled. - 特許庁

ＭＯＶＰＥ法によりＡｌＧａＡｓやＩｎＧａＡｓ等のエピタキシャル層を成長させるＭＯＶＰＥ用化合物半導体ウェハにおいて、エピタキシャル層を成長させる表面を上側に向けた時に中央部が低く、かつ周辺部が高く同心円状に反っているウェハを用いてエピタキシャル成長させる。例文帳に追加

In the compound semiconductor wafer for MOVPE in which an epitaxial layer, such as AlGaAs or InGaAs is grown by the MOVPE method, the epitaxial growth takes place by means of a wafer which is low at the center, when a surface for growing the epitaxial layer faces upward and whose periphery is warped high and concentrically. - 特許庁

水平な円筒容器内で気相法により結晶を成長する方法において、成長室の直径ｄ、長さをＬ、重力の加速度をｇ、気体の密度をρ、前記容器の中心軸に沿った温度分布、濃度分布又は分圧分布によって生ずる気体の最小密度と最大密度の差をΔρとし、前記容器の中心軸を中心に下記式を満たすように回転周波数ｆで前記容器を回転することを特徴とする結晶の成長方法。例文帳に追加

To provide the method which enables inhibition of any convection in a container without being restricted by the kinematic viscosity of gas, and stable crystal growth. - 特許庁

ＩｎＰ基板１３上に有機金属気相成長法で形成され、該ＩｎＰ基板１３の格子定数に対して２％以上大きい格子定数を有する量子井戸層１０を含む量子井戸構造において、前記量子井戸層１０は、成長温度が４４０℃以上５１０℃以下、かつ、成長速度が１．５μｍ／時以上で形成した。例文帳に追加

In the quantum well structure formed by an organic metal vapor growth method on an InP substrate 13 and containing a quantum well layer 10 having a grating constant larger by 2% or more than a grating constant of the InP substrate 13, the quantum well layer 10 is formed at a growth temperature of 440 to 510°C and at a growth rate of 1.5 μm/hour or larger. - 特許庁

融解したＳｉ合金の溶媒中にＳｉＣ（炭化珪素）が溶解した溶液から種結晶基板上にＳｉＣ単結晶を成長させる溶液成長法によるＳｉＣ単結晶の製造において、量産化を実現するため、比較的容易に入手できる原料を用いて、良質の炭化珪素単結晶を高い成長速度で安定して製造できる方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing a good quality silicon carbide (SiC) single crystal at a high growth rate by using a relatively easily available raw material so as to realize mass production, in the manufacturing of the SiC single crystal by a solution growth method, comprising growing the SiC single crystal on a seed crystal substrate from a solution obtained by dissolving SiC into a solvent comprising a molten Si alloy. - 特許庁