「せいちょうそくど」に関連した英語例文の一覧と使い方(5ページ目) - Weblio英語例文検索

膜の成長速度の速く、欠陥部分の少ない均一な膜を形成できる超微粒子の成膜方法およびその装置を提供する。例文帳に追加

To provide a film deposition method for hyperfine particles by which a uniform film having reduced defective parts can be deposited at a high film growing rate, and to provide a system therefor. - 特許庁

物質表面の加工形状のシミュレーションを行うシミュレーション方法であって、表面成長速度の計算を行うステップと、前記表面成長速度の計算をスキップするステップと、を繰り返すアルゴリズムを用い、物質界面を前記物質表面が横切ったステップに、前記表面成長速度を計算することを特徴とするシミュレーション方法が提供される。例文帳に追加

In the simulation method of simulating a processing form of a substance surface, using an algorithm of repeating the steps of calculating the surface growing rate and skipping the calculation of the surface growing rate, the surface growing rate is calculated at the step of passing the substance surface across the substance interface. - 特許庁

バクテリアの成長速度によって決めた毒性が上昇する順は銅，カドミウムそしてニッケルだった。例文帳に追加

The order of increasing toxicity on a basis of the bacterial growth rate was copper, cadmium, and nickel. - 英語論文検索例文集

結晶成長速度制御方法、化合物結晶とその製造方法、および半導体デバイスの製造方法例文帳に追加

METHOD FOR CONTROLLING CRYSTAL GROWTH RATE, COMPOUND CRYSTAL, METHOD FOR PRODUCING THE CRYSTAL, AND METHOD FOR PRODUCING SEMICONDUCTOR DEVICE - 特許庁

バッファー層の上に本体層を１０００〜１３００℃の温度でかつ１〜１５μｍ／ｈの速度でエピタキシャル成長させる。例文帳に追加

The epitaxial growth of the main body layer is effected on the buffer layer at a temperature of 1000-1300°C at a speed of 1-15μm/h. - 特許庁

運転動特性調整が車両の測定された横加速度を基礎とする、自動車の運転動特性の調整方法が提案される。例文帳に追加

In the automobile driving dynamics adjusting method, the adjustment of the driving dynamics is based on the measured lateral acceleration of an automobile. - 特許庁

所定の層上に形成されるメッキ層の成長速度は、第２の開口の大きさ（面積）に依存する。例文帳に追加

The growth speed of the plating layer formed on the specified layer depends on the size (area) of the second opening. - 特許庁

メサ状の埋込光導波路構造を有する半導体光素子において、曲線導波路領域の成長速度と直線導波路領域の成長速度とを容易に制御して、直線導波路領域の埋込層の層厚を確保しつつ、曲線導波路領域の埋込層の異常成長を抑制する半導体光素子を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor optical element having a mesa-type buried optical waveguide structure for controlling irregular growth of the buried layer of a curving waveguide region while acquiring thickness of the buried layer of a linear waveguide region by easily controlling growth rate of the curving waveguide region and that of the linear waveguide region. - 特許庁

悪性度分類法の目的は腫瘍の成長速度の予測と転移の傾向の情報を与えることである。例文帳に追加

the objective of a grading system is to provide information about the probable growth rate of the tumor and its tendency to spread.  - PDQ®がん用語辞書 英語版

3時間の培養時間では，硝酸態窒素1mg/Lまで主生産者の成長速度には影響を与えなかった。例文帳に追加

Nitrate up to 1 mg/L as N did not affect the rate of primary producer during 3 hr of incubation. - 英語論文検索例文集

しかし清朝の対応は遅れ、そうしているうちに日露両国が開戦し、自国の領土で他国同士が戦うという事態となった。例文帳に追加

However the Qing Dynasty Russo-Japanese War erupted before the Qing could mount a coherent response, leading to a situation in which two foreign countries fought on Qing territory.  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

各国によるそれぞれの政策努力を通じて、今後も持続可能なペースで世界経済が成長していくことを期待します。例文帳に追加

I hope this growth will be sustained through policy efforts on the part of each member country.  - 財務省

したがって、シリコン基板２、隣接する成長層22とのＰＮ接合による静電容量がなく高速動作が可能である。例文帳に追加

Therefore a high speed operation is possible without an electrostatic capacitance caused by a PN junction of the silicon substrate 2 and an adjacent growing layer 22. - 特許庁

このようなエピタキシャルウェーハは、ＡｌＧａＡｓ層の成長速度を毎分０．０５ミクロン以上とすることにより製造される。例文帳に追加

The epitaxial wafer such as this is manufactured, by allowing the growth rate of the AlGaAs layer to be 0.05 micron per minute or higher. - 特許庁

これらのワイヤの伸び長さを用いて、結晶成長長さ（ＧＬ）およびシード上昇速度操作量（ＳＬＣ）を算出する。例文帳に追加

Crystal growth length(GL) and a seed raising rate operating amount (SLC) are calculated by using the elongation length of the wire. - 特許庁

成膜中の成長速度をリアルタイムで精度良く検出可能な半導体製造装置を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor manufacturing apparatus for accurately detecting a growth rate under film formation in real time. - 特許庁

このため、ドーパントガスを添加したことによる成長速度の減少や固相組成のずれの影響を抑制することが可能である。例文帳に追加

Because of this reason, an influence by a decline in growth rate and the deviation in solid phase composition which are caused by the addition of the dopant gas can be suppressed. - 特許庁

ダメージの発生が抑制された状態で、プラズマを用いた原子層成長による成膜速度の向上が図れるようにする。例文帳に追加

To improve film formation speed by means of atomic layer deposition using plasma while the occurrence of damage is inhibited. - 特許庁

メッキ成長の速度を任意に制御できる半導体製造方法及びこの製造方法を用いた半導体装置を提供する。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing a semiconductor by which plating growth can be controlled at any speed and a semiconductor device using the manufacturing method. - 特許庁

ＳｉＣの場合、５００〜９００℃の温度でかつ０．１〜１μｍ／ｈの速度でバッファー層をエピタキシャル成長させる。例文帳に追加

In the case of SiC, the epitaxial growth of the buffer layer is effected at a temperature of 500-900°C at a speed of 0.1-1μm/h. - 特許庁

細溝２０内の各面から等速度でエピタキシャル成長し、ボイドの無い充填物２２が得られる。例文帳に追加

The epitaxial growth proceeds at a constant rate from individual surfaces in the narrow groove 20, thereby obtaining a void free filling material 22. - 特許庁

細溝２０内の各面から等速度でエピタキシャル成長し、ボイドの無い充填物２２が得られる。例文帳に追加

Each face inside each groove 20 is epitaxially grown at a uniform speed, and a filler 22 without a void is obtained. - 特許庁

この気相成長装置１０においては、ホルダ２２の回転速度が増加したときに、圧力調整器１６で筐体１２内を減圧する。例文帳に追加

In the vapor deposition arrangement 10, the inside of the case 12 is depressurized with the pressure regulator 16 when the rotation speed of the holder 22 increases. - 特許庁

結晶の成長速度の大きいＩＩＩ族窒化物結晶の製造方法および製造装置を提供する。例文帳に追加

To provide a method and an apparatus for producing a group III nitride crystal having a higher crystal growth rate. - 特許庁

シャワーヘッドノズルを用いた原子層成長方法による薄膜の形成で、成膜速度を向上できるようにする。例文帳に追加

To improve film formation speed by forming a thin film by means of atomic layer deposition using a shower head nozzle. - 特許庁

高品質な貼付処理、貼付コストの抑制、貼付処理速度向上による生産性の増大が可能な貼付装置を提供する。例文帳に追加

To provide an affixing apparatus capable of enhancing the productivity by the affixing treatment of high quality, suppression of the affixing cost, and increase of the affixing speed. - 特許庁

植食動物の接近を阻害するとともに、藻類の成長に必要な日光を継続して十分に確保することができる藻場増殖礁を提供する。例文帳に追加

To provide a reef for increasing seaweed bed, inhibiting approach of phytophagous animals, continuously and sufficiently securing sunlight necessary for growth of seaweeds. - 特許庁

活性層に用いられるＩｎＧａＮは、面方位に対してＩｎ取り込み効率や成長速度が大幅に変化する。例文帳に追加

InGaN used for the active layer varies significantly in In introduction efficiency and growing speed with respect to a planar direction. - 特許庁

植物の健康維持と生長促進のみならず、光合成および蒸散速度を速めて大気浄化能力を高める。例文帳に追加

To obtain a chemical for plant cultivation with which not only plant health is maintained and growth is promoted but also a photosynthesis rate and a transpiration rate are increased to raise air cleaning ability. - 特許庁

低速引上時のワイヤの速度の精度を向上させることにより、単結晶成長中の欠陥を確実に抑制することにある。例文帳に追加

To provide a method for controlling a speed of single crystal windup wire that suppresses defects surely during the growth of the single crystal by enhancing the accuracy of the wire speed at the time of low-speed windup. - 特許庁

ダークスポットの発生及び成長が少なく、駆動回路を簡素化できると共に、長寿命化した有機ＥＬ素子を提供する。例文帳に追加

To provide an organic EL element in which little development and growth of a dark spot are made, a drive circuit can be simplified, and a long life is obtained. - 特許庁

電気的手法によって高い成長速度で薄膜を形成することが可能な薄膜形成装置及び薄膜形成方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a thin film deposition system and a thin film deposition method by which a thin film can be deposited at a high growth rate by an electrical technique. - 特許庁

ＢＮ膜の成長速度を向上可能な半導体膜の製造方法および半導体膜の製造装置を提供すること。例文帳に追加

To provide a method and an apparatus of manufacturing a semiconductor film capable of improving growth speed of a BN film. - 特許庁

溶液法による、成長速度の速い、所望の結晶構造を持つ炭化珪素単結晶を製造する方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing a silicon carbide single crystal having high growth speed and a desired crystal structure by a solution method. - 特許庁

耐久性に優れると共に、走行時の発音、速度変動率が抑制でき、且つ低コストで製造できる樹脂製長尺歯付ベルトを提供する。例文帳に追加

To provide a durable resin long toothed belt capable of supressing the generation of sound and speed variations during travel, and being manufactured at a low cost. - 特許庁

従って、第１の開口内に形成されるメッキ層の成長速度を、第２の開口の大きさで調整することができる。例文帳に追加

Therefore, the growth speed of the plating layer formed in the first opening can be adjusted by the size of the second opening. - 特許庁

面積が増大しても応答速度の均一性を確保できる可撓性調光素子を廉価に提供すること。例文帳に追加

To inexpensively provide a flexible dimming element securing the uniformity of a response speed even when an area is increased. - 特許庁

特に後半は、先進国、新興国の双方の成長速度が鈍化すると共に、財政、金融の安定性への懸念が増した。例文帳に追加

Growth slowed notably in the latter half of the year in both advanced and emerging economies, which added to increased concerns about the global fiscal and financial stability. - 経済産業省

もっとも、世界経済全体の成長が再び加速した中で、先進国と新興国の回復速度には依然として大きな開きがある。例文帳に追加

However, while growth of the world economy as a whole was accelerated again, the gap in the recovery rate between the advanced and emerging economies still remained great. - 経済産業省

ＧａＮ結晶の溶液成長において、ガリウム融液に高速度で窒素を供給するために、ルツボに入れたガリウム融液に対して放電現象を利用して活性化した窒素もしくは窒素を含むガスを供給し、結晶の成長速度を早くする。例文帳に追加

In the solution growth of the GaN crystal, the growth speed of the crystal is accelerated by supplying nitrogen or a gas containing nitrogen activated by using the discharge phenomenon to a gallium melt in a crucible in order to supply nitrogen to the gallium melt at a high rate. - 特許庁

そして、発光素子サンプルの成長温度を上昇させていったときに、ガラス封止による駆動電圧上昇が始まる温度を臨界成長温度、発光素子サンプルのＭｇ濃度を減じていった時に初期駆動電圧が上昇し始めるＭｇ濃度を臨界Ｍｇ濃度とする。例文帳に追加

A temperature which rising of driving voltage by glass sealing starts at while the growth temperature of the light emitting element sample has been raised is set as a critical growth temperature, and a Mg concentration which an initial driving voltage starts to rise at while the Mg concentration of the light emitting sample has been decreased is set as a critical Mg concentration. - 特許庁

窒化物系化合物半導体を異種基板上に低温バッファ層を用いずにエピタキシャル成長する際、基板１表面から少なくとも１００nm以内の範囲において、窒化物系化合物半導体の成長速度を２．５nm／ｓｅｃ以上、好ましくは３．０nm／ｓｅｃ以上とし、この範囲を過ぎた以降の残り部分における成長速度をより低速にする。例文帳に追加

When the nitride compound semiconductor is epitaxially formed on a dissimilar substrate without using a low temperature buffer layer, the growth velocity of the nitride compound semiconductor is made 2.5 nm/sec or more, preferably, 3.0 nm/sec or more in a range at least within 100 nm from the surface of the substrate 1, and the growth velocity in the remaining part exceeding the range is made lower. - 特許庁

シリコン選択エピタキシャル条件を維持した状態で、基板平面方向のシリコン成長速度以下の速度でシリコン選択エピタキシャル条件領域を相対的に移動させることにより、基板にシリコン膜を成長させる。例文帳に追加

Thus, a silicon film is grown by relatively moving the silicon selection epitaxial condition area, at a rate which is not more than silicon growth rate in the direction of a substrate plane, in a state where the silicon selection epitaxial conditions are maintained. - 特許庁

画像から特定の画像領域を抽出する処理を行う画像処理装置１００において、ＣＰＵ１０１は、画像の特徴量に基づいて輪郭の成長速度を計算し、当該輪郭の成長速度に応じて、特定の画像領域を調整するようにする。例文帳に追加

In an image processing apparatus 100 extracting a specific image region from an image, a CPU 101 calculates a growth rate of a contour on the basis of the feature amount of the image, and adjusts the specific image region according to the growth rate of the contour. - 特許庁

活性溝２２_１〜２２_４の両端部分の半導体充填物２５の成長速度が中央部分の成長速度と等しくなり、活性溝２２_１〜２２_４内が均一高さの半導体充填物２５で充填された半導体装置１が得られる。例文帳に追加

A growing speed of the semiconductor filler 25 at both ends of the grooves 22_1-22_4 becomes equal to that at a central part, and the semiconductor device 1 in which the filler 25 of a uniform height is filled in the grooves 22_1-22_4, is obtained. - 特許庁