だいけっかんてんいの英語

第２導電型半導体結晶層４の活性層３とは反対側の表面に貫通転位欠陥１１が露出し、貫通転位欠陥１１の内表面及びその周囲を、第２導電型半導体結晶層４に対して非オーミックコンタクト性の材料で被覆（被覆部１３）した。例文帳に追加

On the surface of an opposite side to an active layer 3 of a second conduction type semiconductor crystal layer 4, a penetrating dislocation defective 11 is exposed, the internal surface of the penetrating dislocation defective 11 and its periphery are covered with a material (a coating portion 13) which has non-ohmic contact nature to a second conduction type semiconductor crystal layer 4. - 特許庁

その結果、本体筐体は、底足２３ｄ、２３ａの設けられた角部が回転台２の相隣り合う２面からはみ出すことなく、回転移動する。例文帳に追加

As a result, the main body housing is rotated and moved without protruding corner parts provided with the bottom feet 23d, 23a from two mutually adjacent surfaces of the rotary stand 2. - 特許庁

その結果、ダイヤモンド１３およびタングステン１４により積層構造のＸ吸収体が形成される。例文帳に追加

Consequently, the X-ray absorbing body of a laminated structure is formed by the diamonds 13 and tungsten 14. - 特許庁

転位欠陥の少ない良質の大口径SiC単結晶ウェハを再現性良く製造するための、SiC単結晶育成用坩堝を提供する。例文帳に追加

To provide a crucible for the growth of a SiC single crystal for producing a high quality SiC single crystal wafer which is reduced in transfer defect and has a large diameter, with high reproducibility. - 特許庁

積層欠陥及び貫通転位の密度が十分に低いダイヤモンド薄膜構造とその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a diamond thin film structure having sufficiently low density of lamination defects and threading dislocations, and to provide a method for producing the same. - 特許庁

また、集計結果は原則として小数点以下第2位を四捨五入し表記しているため、合計が100％にならない場合がある。例文帳に追加

In addition, totals cited based on the results of these surveys do not always sum to 100% due to rounding to the first decimal place.発音を聞く  - 経済産業省

活性層６の下地層の一部をなすｎ型窒化ガリウム系半導体からなる第２クラッド層５の転位欠陥密度が１０^９〜１０^１１／ｃｍ^２であることが好ましく、第２クラッド層５における転位欠陥の間隔が１２０〜１７０ｎｍであることが好ましい。例文帳に追加

Preferably, the dislocation defect density of a second clad layer 5 composed of an n-type gallium nitride series semiconductor forming a part of an underlaying layer of the active layer 6 is 10^9 to 10^11/cm^2, and preferably, the gap of a dislocation defect in the second clad layer 5 is 120 to 170 nm. - 特許庁

また、集計結果は原則として小数点以下第2位を四捨五入し表記しているため、合計が100%にならない場合がある。例文帳に追加

In addition, totals cited based on the results of these surveys do not always sum to 100% due to rounding to the first decimal place.発音を聞く  - 経済産業省